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MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究
被引量：
9
1
作者
张雪川
张跃
+1 位作者
袁洪涛
王树彬
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期972-976,共5页
采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列。在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列。XRD...
采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列。在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列。XRD结果表明未掺杂ZnO晶须为六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向;掺铝ZnO晶须晶体结构仍为六方纤锌矿结构,沿c轴择优取向。SEM结果显示,未掺杂的ZnO晶须阵列排布规则,长径比达到20;掺杂ZnO晶须随着铝掺杂浓度的增加,晶须的形貌及排布规则性变差。
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关键词
ZNO
一维
定向
材料
晶须
MOCVD
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究
被引量：
9
1
作者
张雪川
张跃
袁洪涛
王树彬
机构
北京航空航天大学材料学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期972-976,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.50172002)
文摘
采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列。在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列。XRD结果表明未掺杂ZnO晶须为六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向;掺铝ZnO晶须晶体结构仍为六方纤锌矿结构,沿c轴择优取向。SEM结果显示,未掺杂的ZnO晶须阵列排布规则,长径比达到20;掺杂ZnO晶须随着铝掺杂浓度的增加,晶须的形貌及排布规则性变差。
关键词
ZNO
一维
定向
材料
晶须
MOCVD
Keywords
ZnO
one-dimension well-aligined material
whisker
MOCVD
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究
张雪川
张跃
袁洪涛
王树彬
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
9
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职称材料
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