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Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展
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作者 徐建 《科技视界》 2017年第17期68-69,共2页
Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体实现了电荷和自旋注入的分离调控,成为半导体领域的研究热点。本文从传统稀磁半导体出发,详述Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的研究进展,并对今后发展进行了展望。
关键词 传统稀磁半导体 ⅰ-ⅱ-ⅴ族基新型稀磁半导体 研究进展
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