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须条与长丝间距对Sirofil成纱结构性能的影响 被引量：3
1
作者 钱军 余燕平 +1 位作者 俞建勇 王善元 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期10-14,共5页
分析了Sirofil纺纱过程中“V”形区的动态变化及粗纱须条与长丝间距大小对“V”形区形状和单纱受力的影响,认为间距增大会使“V”形区夹角增大、单纱段长度变长,并以此为依据,保持其他工艺参数不变,改变粗纱与长丝间距大小,试纺Sirofil... 分析了Sirofil纺纱过程中“V”形区的动态变化及粗纱须条与长丝间距大小对“V”形区形状和单纱受力的影响,认为间距增大会使“V”形区夹角增大、单纱段长度变长,并以此为依据,保持其他工艺参数不变,改变粗纱与长丝间距大小,试纺Sirofil纱,通过理论分析和实验比较讨论间距大小对Sirofil成纱结构性能的影响。结果表明:随着间距增大,成纱直径系数趋小、毛羽减少、强伸性与条干均呈非单调性变化;综合考虑成纱结构和性能,在其他参数相同时,Sirofil最佳成纱间距为12～16mm。 展开更多
关键词 间距 SIROFIL纱 “v”形区 成纱性能 影响
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Li_3N-hBN体系合成cBN单晶“V”形区的相变热力学 被引量：5
2
作者 吕美哲 许斌 +2 位作者 杨红梅 郭晓斐 温振兴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期301-307,共7页
利用静态高温高压触媒法合成优质cBN单晶,合成温度和压强范围形成一"V"形区域。从Gibbs自由能(△G)角度分析了采用Li3N为触媒合成cBN单晶时,不同物相在"V"形区及其扩大区域(1600~2200 K、4.8~6.0 GPa)内向cBN相变... 利用静态高温高压触媒法合成优质cBN单晶,合成温度和压强范围形成一"V"形区域。从Gibbs自由能(△G)角度分析了采用Li3N为触媒合成cBN单晶时,不同物相在"V"形区及其扩大区域(1600~2200 K、4.8~6.0 GPa)内向cBN相变的可能性。分别计算了高温高压下hBN+Li3N→Li3BN2、hBN→cBN和Li3BN2→cBN+Li3N三个反应的△G。结果表明:在"V"形区及其扩大区域内,前二个反应的△G均为负值,分别为-35^-10 kJ/mol和-25^-19kJ/mol;而第三个反应的△G有正有负,其正值范围形成了一个温度、压强的"V"形区域。该"V"形区基本覆盖了以前文献中提到的"V"形区。这说明在合成优质cBN单晶的温度压强范围内,Li3BN2稳定存在,不能分解出cBN。Li3N触媒体系内的cBN可能源自hBN的直接相变,而非Li3BN2的分解。但分析表明Li3BN2促进了hBN→cBN的相变。 展开更多
关键词 cBN单晶 “v”形区 相变热力学 Gibbs自由能
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添加剂Si对纯Fe粉末触媒合成金刚石的影响 被引量：1
3
作者 郑友进 贾晓鹏 马红安 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1697-1699,共3页
研究了添加剂Si对纯Fe粉末触媒合成金刚石的影响。实验中将一定比例的无定形Si粉直接添加到Fe-C粉末体系中并均匀混合,利用高温高压条件,进行掺Si合成金刚石的研究。实验结果表明,由于体系中Si的掺入,合成金刚石的最低压力点及温度明显... 研究了添加剂Si对纯Fe粉末触媒合成金刚石的影响。实验中将一定比例的无定形Si粉直接添加到Fe-C粉末体系中并均匀混合,利用高温高压条件,进行掺Si合成金刚石的研究。实验结果表明,由于体系中Si的掺入,合成金刚石的最低压力点及温度明显降低,"V"形区发生了移动;并且考察了Fe-C、Fe-Si-C两种体系中合成金刚石的情况;借助于光学显微镜,发现Fe-Si-C体系合成出的晶体晶形完整,且多为八面体,颜色比Fe-C体系合成的晶体要浅,经红外光谱检测,Fe-Si-C体系合成出的晶体含氮量明显低于Fe-C体系所合成的晶体。 展开更多
关键词 硅 高温高压 金刚石 “v”形区
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F_(e80)N_(i20)-C-F_eF_3系工业金刚石的生长特性研究
4
作者 朱健宇 朱丽伟 郑友进 《牡丹江大学学报》 2014年第4期145-146,共2页
本文研究了添加剂FeF3对Fe80Ni20粉末触媒合成金刚石生长特性的影响。实验中将不同比例的无定形FeF3粉直接添加到Fe80Ni20-C体系中并均匀混合,在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成实验。结果表明,由于掺FeF3量的不同,合成金刚石... 本文研究了添加剂FeF3对Fe80Ni20粉末触媒合成金刚石生长特性的影响。实验中将不同比例的无定形FeF3粉直接添加到Fe80Ni20-C体系中并均匀混合,在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成实验。结果表明,由于掺FeF3量的不同,合成金刚石的最低生长压力并没有发生变化,但其金刚石的成核量、生长速度、"V"形区内晶体形态分布都发生了显著的改变。 展开更多
关键词 FeF3 高温高压 金刚石 “v”形区
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金刚石晶体的V形生长区 被引量：4
5
作者 王光祖 《工业金刚石》 2000年第2期1-6,共6页
关键词 金刚石 晶体 v形生长区 晶体生长 晶形
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添加剂Si对NiMnCo触媒合成金刚石的影响 被引量：1
6
作者 郑友进 贾晓鹏 马红安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期255-258,共4页
本文研究了添加剂Si对NiMnCo粉末触媒合成金刚石生长特性的影响。实验中将不同比例的无定形Si粉直接添加到Ni-Mn-Co-C体系中并均匀混合,在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成实验。结果表明,由于掺Si量的不同,合成金刚石的最低生... 本文研究了添加剂Si对NiMnCo粉末触媒合成金刚石生长特性的影响。实验中将不同比例的无定形Si粉直接添加到Ni-Mn-Co-C体系中并均匀混合,在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成实验。结果表明,由于掺Si量的不同,合成金刚石的最低生长压力有所不同,"V"形区发生了移动;通过考察Ni-Mn-Co-C和Ni-Mn-Co-Si-C两种体系中合成金刚石的情况并借助于光学显微镜,发现两种体系所合成的晶体颜色变化并不大,但随着Si含量的增加,晶体的完整性变差,包裹体增多;通过XPS检测发现,在Ni-Mn-Co-Si-C体系所合成的金刚石当中存在SiC。 展开更多
关键词 硅 高温高压 金刚石 v形区
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优质金刚石合成工艺控制技术探讨 被引量：1
7
作者 李忠福 赵文东 +1 位作者 鄂洪儒 郑丽雪 《珠宝科技》 2003年第2期9-12,共4页
借助于国外学者在合成金刚石的压力、温度广泛区间内晶体形态分布图解 ,就合成腔中压力和温度分布规律以及造成合成腔内压力、温度梯度不均匀的影响原因进行了比较详细的分析。并根据不足之处提出了相应的减少合成腔内压力、温度梯度的... 借助于国外学者在合成金刚石的压力、温度广泛区间内晶体形态分布图解 ,就合成腔中压力和温度分布规律以及造成合成腔内压力、温度梯度不均匀的影响原因进行了比较详细的分析。并根据不足之处提出了相应的减少合成腔内压力、温度梯度的方法。再后对目前人造金刚石合成中普遍采用的 :( 1)恒压恒功率 ;( 2 )恒压非恒功率 ;( 3 )恒功率非恒压 ;( 4)非恒功率非恒压等四种不同的压力、温度控制方式进行了分析比较 ,从而提出了使用不同缸径压机合成优质高韧性金刚石的不同压力 。 展开更多
关键词 v形生长区 高品级金刚石 合成工艺
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高品级工业金刚石的亚稳区合成
8
作者 高峰 李春杰 +2 位作者 丁战辉 于立军 马红安 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第6期62-65,共4页
本文以SPD6×1200型六面顶压机为金刚石的合成设备,采用升压至成核压力,成核后再降压到金刚石的亚稳区的特殊工艺进行金刚石的合成。在高温高压条件下合成出了晶体形貌完好的优质金刚石单晶。SEM结果表明:与传统工艺合成的金刚石相... 本文以SPD6×1200型六面顶压机为金刚石的合成设备,采用升压至成核压力,成核后再降压到金刚石的亚稳区的特殊工艺进行金刚石的合成。在高温高压条件下合成出了晶体形貌完好的优质金刚石单晶。SEM结果表明:与传统工艺合成的金刚石相比较,亚稳区内合成的金刚石晶体的缺陷明显变少,表面平滑度增强。还将亚稳区内合成的金刚石与传统工艺合成的金刚石的粒度值进行了比较,在相同生长时间下,亚稳区内合成的金刚石粒度明显小于传统工艺合成的金刚石,即亚稳区内金刚石的生长速度变慢。最后,本文还对特殊工艺与传统工艺下金刚石生长的区别机理进行了分析讨论。 展开更多
关键词 高温高压 v形区 金刚石
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