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Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性
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作者 刘国柱 洪根深 +4 位作者 于宗光 吴建伟 赵文彬 曹利超 李冰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期510-516,共7页
基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方... 基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方式实现了其＂开/关＂态功能,并对其＂开/关＂态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性。实验结果表明,该单元具有较优的＂开/关＂态特性和电参数一致性,T_1/T_2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2 V和2.4%;在工作电压为-1.5 V条件下,T_2管＂关＂态的漏电流均在1 p A/μm以下,T_2管＂开＂态的驱动电流均值为116.22μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次。同时,在25℃的＂开/关＂态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年。 展开更多
关键词 Sence-Switch型pFLASH单元 阈值窗口 耐久性 保持性 “开/关”态
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Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性
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作者 刘国柱 洪根深 +5 位作者 于宗光 赵文彬 曹利超 吴素贞 李燕妃 李冰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期652-658,663,共8页
基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现... 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管（T1/T2）和1个信号传输PMOS管（T3）组成,采用带带隧穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）擦除方式实现其＂开/关＂态功能。同时,对其＂开/关＂态特性进行表征,研究其耐久性和电荷保持特性,最后,对其抗总剂量（TID）能力进行评估。实验结果表明：该器件的＂T1编程-T2擦除＂与＂T1擦除-T2编程＂态均可以实现信号传输管的＂开/关＂态功能,其阈值窗口的均值约为10.5 V;在工作电压为-1.2 V条件下,T3管的＂开＂态驱动电流均值约为0.92 mA,＂关＂态漏电流低于40 pA,且均表现出了良好的一致性。同时,该器件的循环擦/写次数可达10 000次,在25℃的＂开/关＂态应力条件下寿命大于10年,抗总剂量能力可达150 krad（Si）以上。 展开更多
关键词 Push-Pull型pFLASH开关单元 “开/关”态 阈值窗口 电荷保持性 总剂量(TID)
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