设计了一种基于厚气体电子倍增器(THGEM)的快中子探测器。通过研究其对252Cf快中子源(2.13 Me V)和137Csγ源(661 ke V)的响应,分别得到了在80 m V、160 m V、260 m V三种电子学阈值下,探测器对γ射线抑制和快中子探测的结果。结果表明...设计了一种基于厚气体电子倍增器(THGEM)的快中子探测器。通过研究其对252Cf快中子源(2.13 Me V)和137Csγ源(661 ke V)的响应,分别得到了在80 m V、160 m V、260 m V三种电子学阈值下,探测器对γ射线抑制和快中子探测的结果。结果表明在阈值为260 m V、γ射线全部抑制的条件下,探测器有70V的工作电压调整范围,能够探测到中子的(n,p)过程产生的反冲质子信号。展开更多
文摘设计了一种基于厚气体电子倍增器(THGEM)的快中子探测器。通过研究其对252Cf快中子源(2.13 Me V)和137Csγ源(661 ke V)的响应,分别得到了在80 m V、160 m V、260 m V三种电子学阈值下,探测器对γ射线抑制和快中子探测的结果。结果表明在阈值为260 m V、γ射线全部抑制的条件下,探测器有70V的工作电压调整范围,能够探测到中子的(n,p)过程产生的反冲质子信号。
