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双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究
被引量:
8
1
作者
王桂珍
姜景和
+3 位作者
彭宏论
常东梅
郭红霞
杨海帆
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期247-249,253,共4页
介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法,以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下(四种γ脉冲辐射源,宽度分别为:~2ns,~20ns,~60ns,~100ns,剂...
介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法,以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下(四种γ脉冲辐射源,宽度分别为:~2ns,~20ns,~60ns,~100ns,剂量率为105~106Gy/s),对三种晶体管进行了辐照,对其等效关系进行了分析,得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。
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关键词
脉冲
γ
源
双极晶体管
辐射效应
γ
剂量率效应
下载PDF
职称材料
题名
双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究
被引量:
8
1
作者
王桂珍
姜景和
彭宏论
常东梅
郭红霞
杨海帆
机构
西北核技术研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期247-249,253,共4页
文摘
介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法,以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下(四种γ脉冲辐射源,宽度分别为:~2ns,~20ns,~60ns,~100ns,剂量率为105~106Gy/s),对三种晶体管进行了辐照,对其等效关系进行了分析,得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。
关键词
脉冲
γ
源
双极晶体管
辐射效应
γ
剂量率效应
Keywords
γ
-
pulse
radiation
source
Bipolar
transistor
radiation
effect
Secondary
photocurlent
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究
王桂珍
姜景和
彭宏论
常东梅
郭红霞
杨海帆
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000
8
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