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共格γ′/γ界面对位错运动的单向阀门作用 被引量：1
1
作者 林一坚 Robert W.Cahn 《上海钢研》 1993年第5期1-8,共8页
对IC-218合金(一种完全共格而且点阵错配度很小的γ′—γ两相合金)冷加工及回复中位错行为的研究表明,γ′/γ界面对位错运动起单向阀门作用,即允许位错自由地由γ′进入γ而严格限制其相反的运动。这种作用对该合金的冷加工及退火行... 对IC-218合金(一种完全共格而且点阵错配度很小的γ′—γ两相合金)冷加工及回复中位错行为的研究表明,γ′/γ界面对位错运动起单向阀门作用,即允许位错自由地由γ′进入γ而严格限制其相反的运动。这种作用对该合金的冷加工及退火行为产生重要影响:在冷加工中缩短位错自由滑移距离而又避免位错在γ′中的塞积;在退火中加速γ′的位错回复,导致退火早期大幅度硬度回复,同时抑制再结晶起动。 展开更多
关键词 γ'/γ界面 位错运动 回复 NI3AL
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DD8单晶镍基高温合金热机械疲劳后γ/γ'界面位错网产生内应力的计算 被引量：4
2
作者 周丽 李守新 +1 位作者 王跃臣 王中光 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期245-250,共6页
计算了DD8单晶镍基高温合金在同相(IP)和反相(OP)热机械疲劳(TMF)后γ／γ'相界面上产生的位错网的内 应力.结果表明:IP TMF条件下, γ／γ'相界面上产生的位错网可以释放掉大部分错配应力,同时因位错网的存在导致了γ' 沉... 计算了DD8单晶镍基高温合金在同相(IP)和反相(OP)热机械疲劳(TMF)后γ／γ'相界面上产生的位错网的内 应力.结果表明:IP TMF条件下, γ／γ'相界面上产生的位错网可以释放掉大部分错配应力,同时因位错网的存在导致了γ' 沉淀相发生了明显的筏化现象. OP条件下产生的层错未造成基体内应力分布的不同,因此未发生γ'沉淀相的筏化. 展开更多
关键词 单晶镍基高温合金 热机械疲劳 位错网 γ/γ′界面 内应力
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TiAl基合金中γ/γ界面关系的定量分析
3
作者 陈善华 G.舒马赫 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期3-6,11,共5页
γ/γ界面对于(γ+α2)双相TiAl基合金的力学性能具有重要影响。本工作利用汇聚束电子衍射技术对一种含有Mn,Nb合金元素的(γ+α2)TiAl基合金中具有六种不同晶体学取向的γ相及γ/γ界面关系进行了实验唯一测定。结果表明,仅利用一套〈... γ/γ界面对于(γ+α2)双相TiAl基合金的力学性能具有重要影响。本工作利用汇聚束电子衍射技术对一种含有Mn,Nb合金元素的(γ+α2)TiAl基合金中具有六种不同晶体学取向的γ相及γ/γ界面关系进行了实验唯一测定。结果表明,仅利用一套〈334〉高阶劳厄带花样就可以完全决定该合金中γ层片的晶体学取向。该合金中γ/γ界面有四种,即绕〈111〉旋转120°、旋转180°呈镜面对称真孪晶、旋转60°呈镜面对称的伪孪晶和反相畴界面。统计分析表明,真孪晶γ/γ界面的比例最高,伪孪晶γ/γ界面和旋转120°γ/γ界面较少。TiAl合金中偶尔也会出现γ/γ反相畴界。 展开更多
关键词 γ-TIAL基合金 汇聚束电子衍射 γ/γ界面
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确定双相TiAl基合金中γ/γ界面关系的变换矩阵
4
作者 陈善华 G.Schumacher 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期903-908,共6页
γ/γ界面对(γ+α2)双相TiAl基合金的力学性能有着重要影响.采用矩阵方法系统地导出了该合金中标定γ相晶体学取向的变换矩阵.利用这些变换矩阵和汇聚束电子衍射技术对XDTM制备的Ti-47Al-2Mn-2Nb(原子分数, ％)+0.8TiB2(体积分数,％)... γ/γ界面对(γ+α2)双相TiAl基合金的力学性能有着重要影响.采用矩阵方法系统地导出了该合金中标定γ相晶体学取向的变换矩阵.利用这些变换矩阵和汇聚束电子衍射技术对XDTM制备的Ti-47Al-2Mn-2Nb(原子分数, ％)+0.8TiB2(体积分数,％)合金中γ/γ界面关系及其统计分布进行了测定. 展开更多
关键词 TIAL基合金 变换矩阵 γ/γ界面关系 汇聚束电子衍射
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