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铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究
被引量：
16
1
作者
闫万珺
谢泉
+3 位作者
张晋敏
肖清泉
梁艳
曾武贤
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1381-1387,共7页
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用...
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105cm-1.
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关键词
β
-
fesi
2
电子结构
光学特性
下载PDF
职称材料
题名
铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究
被引量：
16
1
作者
闫万珺
谢泉
张晋敏
肖清泉
梁艳
曾武贤
机构
贵州大学电子科学与信息技术学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第9期1381-1387,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:60566001)
教育部博士点专项科研基金(批准号:20050657003)
+4 种基金
教育部留学回国科研基金(批准号:教外司(2005)383)
贵州省科技厅国际合作项目(批准号:黔科合G(2005)400102)
贵州省教育厅重点基金(批准号:05JJ002)
贵州省留学人员科技项目(批准号:黔人项目(2004)03)
贵州省委组织部高层人才科研资助项目~~
文摘
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105cm-1.
关键词
β
-
fesi
2
电子结构
光学特性
Keywords
β
-
fesi
2
electronicstructure
opticalproperties
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究
闫万珺
谢泉
张晋敏
肖清泉
梁艳
曾武贤
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
16
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职称材料
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