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氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究
被引量：
1
1
作者
王广民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期44-47,共4页
报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．...
报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。
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关键词
氢化非晶硅
带隙态密度
光诱导变化
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职称材料
题名
氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究
被引量：
1
1
作者
王广民
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期44-47,共4页
文摘
报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。
关键词
氢化非晶硅
带隙态密度
光诱导变化
Keywords
α
-
si
:
h
density
of
gap
states
S-
w
effect
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究
王广民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
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