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nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性 被引量：1
1
作者 马蕾 蒋冰 +2 位作者 陈乙豪 沈波 彭英才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第13期327-333,共7页
利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显... 利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了α-Si:H/α-SiC:H多层膜结构,并在900—1000?C下进行了高温退火处理,获得了尺寸可控的nc-Si:H/α-SiC:H多层膜样品.Raman测量表明,900?C以上的退火温度可以使α-Si:H层发生限制晶化.透射电子显微镜照片显示出α-Si:H层中形成的Si纳米晶粒的纵向尺寸被α-SiC:H层所限制,而与α-Si:H层的厚度相当,晶粒的择优取向是?111?晶向.傅里叶变换红外吸收谱则清楚地显示出,高温退火导致多层膜中的H原子大量逸出,以及α-SiC:H层中有更多的Si-C形成.对nc-Si:H/α-SiC:H多层膜吸收系数的测量证明,多层膜的吸收主要由nc-Si:H层支配,随着Si晶粒尺寸减小,多层膜的光学带隙增大,吸收系数降低.而当nc-Si:H层厚度不变时,α-SiC:H层厚度变化则不会引起多层膜吸收系数以及光学带隙的改变. 展开更多
关键词 α-si H α-siC H多层膜 光吸收边蓝移 量子限制效应
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非制冷红外焦平面探测器热敏薄膜技术研究进展 被引量：3
2
作者 王成刚 宋广 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第8期927-929,共3页
近年来红外探测技术在军事和民用领域得到了迅速的发展,非制冷红外探测器以其低成本、小型化、非制冷等优势在红外探测系统发展中占据着重要的地位。本文总结了国内外非制冷红外探测器的发展现状,分析了两种主要的非制冷红外探测器技术... 近年来红外探测技术在军事和民用领域得到了迅速的发展,非制冷红外探测器以其低成本、小型化、非制冷等优势在红外探测系统发展中占据着重要的地位。本文总结了国内外非制冷红外探测器的发展现状,分析了两种主要的非制冷红外探测器技术路线的特点及差异,并给出了这两种技术路线后续发展趋势。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 氧化钒 非晶硅
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椭圆偏振仪测试非晶薄膜热光系数研究 被引量：2
3
作者 陈伟 刘爽 +2 位作者 曾璞 刘永 刘永智 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期77-79,共3页
在椭圆偏振仪测量原理的基础上,采用Forouhi-Bloomer模型的参数匹配模型,分析非晶硅的物理性质,利用温度与禁带宽度间的关系,得到利用椭圆偏振仪测试非晶硅薄膜热光系数的方法与非晶硅热光系数的表达式,利用相关文献对其进行验证,验证... 在椭圆偏振仪测量原理的基础上,采用Forouhi-Bloomer模型的参数匹配模型,分析非晶硅的物理性质,利用温度与禁带宽度间的关系,得到利用椭圆偏振仪测试非晶硅薄膜热光系数的方法与非晶硅热光系数的表达式,利用相关文献对其进行验证,验证结果表明,该方法是可行的。 展开更多
关键词 椭偏仪 非晶硅 热光系数 Forouhi-Bloomer模型
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激光刻图在制造 a-Si 光伏器件中的应用 被引量：1
4
作者 钟伯强 肖兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期269-275,共7页
描述了在集成型 a-Si 光伏器件的制造中,利用高功率激光束进行刻图的新方法。作为激光刻图中材料除去的模型,被刻蚀材料的蒸汽压对材料除去会带来很大的影响。在制备 a-Si 光伏器件中,侧边接触的器件结构对激光刻图技术是很合适的。激... 描述了在集成型 a-Si 光伏器件的制造中,利用高功率激光束进行刻图的新方法。作为激光刻图中材料除去的模型,被刻蚀材料的蒸汽压对材料除去会带来很大的影响。在制备 a-Si 光伏器件中,侧边接触的器件结构对激光刻图技术是很合适的。激光的平均功率或激励电流,重复频率、焦距和扫描速度是激光刻图技术的基本参数。我们列出了刻蚀 TCO、a-Si 和背电极薄膜的一些刻蚀条件,可以发现要刻蚀不同的薄膜,需控制这些条件以达到最佳化。 展开更多
关键词 激光刻图 α-si 光伏器件
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α-Si TFT有源矩阵液晶显示器的研制进展
5
作者 孟志国 代永平 +26 位作者 周祯华 张建军 姚仑 谷纯芝 李俊峰 吴春亚 熊绍珍 赵颖 王丽莉 徐温元 袁庆鹏 黄宇 李树山 莫希朝 马京涛 王德申 孙钟林 李庆诚 马锦 耿卫东 李德林 李红玉 赵晶 雷宗保 徐寿颐 张百哲 张伟 《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第4期268-285,共18页
本文全面介绍了我们在α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的ＴＦＴ—... 本文全面介绍了我们在α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计、性能改善、提高矩阵板一致性与完整性、液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。并在南开大学形成的一个集中的ＴＦＴ—ＬＣＤ研制线上，最终研制出具有视觉感受无缺陷的α—ＳｉＴＦＴ—ＡＭＬＣＤ视频图象显示器。 展开更多
关键词 α-si TFT-LCD 研制线 完整性 视频显示
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单结a-Si太阳电池稳定性的研究
6
作者 熊绍珍 王玉冰 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期15-19,共5页
本文报道了单结非晶硅太阳电池稳定性研究结果,对S-W效应在总衰退中所占的比重进行了分析,结合工艺提出了几项与改善电池稳定性有关的措施,最后对a-Si材料和电池稳定性的前景作了讨论。
关键词 电池 太阳能 单结 α-si 稳定性
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SiC_W/6061Al铝基复合材料激光焊机理 被引量：29
7
作者 牛济泰 王慕珍 +3 位作者 来忠红 刘黎明 许德胜 王涛 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期1-4,共4页
采用脉冲激光焊接方法对SiCW/ 6 0 6 1Al复合材料进行焊接试验。研究了试件表面处理状态、保护气体、激光输出功率、焊接速度、激光脉冲频率等工艺参数对焊接质量的影响规律。试验结果表明 ,激光输出功率和焊接速度对焊缝的显微组织和... 采用脉冲激光焊接方法对SiCW/ 6 0 6 1Al复合材料进行焊接试验。研究了试件表面处理状态、保护气体、激光输出功率、焊接速度、激光脉冲频率等工艺参数对焊接质量的影响规律。试验结果表明 ,激光输出功率和焊接速度对焊缝的显微组织和焊接质量都有较大的影响 ,激光脉冲频率的变化对焊接质量有一定的影响 ,而试件表面的处理状态对焊接质量影响不大。同时发现 ,利用N气代替Ar气也取得了较好的保护效果。利用扫描电镜和透射电镜对焊缝进行显微观察 ,从微观角度分析了焊缝接头强度损失的机理 ,认为焊接时SiC晶须与基体Al发生反应而烧损及生成较脆的界面反应物是造成接头强度下降的重要原因。提出了临界硅活度α[Si]min的概念 ,成功实现了铝基复合材料SiCW/ 6 0 6 1Al的激光焊接。 展开更多
关键词 铝基 复合材料 激光焊接 临界硅活度
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a-Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 被引量：17
8
作者 陈城钊 方健文 林璇英 《浙江师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第3期246-249,共4页
利用固相晶化法获得多晶硅薄膜 (退火温度 70 0～ 80 0℃ ) ,采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析 .研究结果表明 :晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加 ;并且退火后薄膜暗电导率提高了 2～
关键词 多晶硅薄膜 固相晶化法 α—si:H薄膜 平均晶粒尺寸 退火温度 掺杂浓度 薄膜厚度
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热丝CVD生长SiCN薄膜的研究 被引量：11
9
作者 牛晓滨 廖源 +2 位作者 常超 余庆选 方容川 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期397-403,共7页
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类... 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程. 展开更多
关键词 HFCVD siCN薄膜 α-si3N4 化学气相沉积 纳米晶粒 薄膜生长
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α-Si_3N_4晶须的制备与分析 被引量：7
10
作者 曹阳 齐龙浩 潘伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期89-91,共3页
采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0～ 2 0 0nm ,无明显... 采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0～ 2 0 0nm ,无明显缺陷 ,其晶须生长方向为〈0 110〉。 展开更多
关键词 α-si3N4 晶须 制备 分析 等离子体 气相反应 无定型氮化硅
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薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响 被引量：9
11
作者 朱锋 赵颖 +7 位作者 魏长春 任慧智 薛俊明 张晓丹 高艳涛 张德坤 孙建 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期81-84,共4页
本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率... 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253 cm2。 展开更多
关键词 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结
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控温活化燃烧合成α-Si_3N_4的动力学研究 被引量：6
12
作者 陈松林 杨筠 +3 位作者 林志明 李江涛 赵海雷 孙加林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1345-1352,共8页
采用控温活化手段实现了燃烧合成α-Si3N4粉末.通过对反应温度特征曲线的分析,得出了Si-N体系的一系列燃烧反应动力学参数,包括燃烧波速、升温速率、绝热温升、惰性温升时间、惰性温降时间和转化率等,另外采用波速法和转化率法计算了该... 采用控温活化手段实现了燃烧合成α-Si3N4粉末.通过对反应温度特征曲线的分析,得出了Si-N体系的一系列燃烧反应动力学参数,包括燃烧波速、升温速率、绝热温升、惰性温升时间、惰性温降时间和转化率等,另外采用波速法和转化率法计算了该反应体系的活化能.这些参数将为进一步研究该反应的机理、优化燃烧合成工艺提供指导. 展开更多
关键词 α·si3N4 燃烧合成 动力学 活化能
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添加剂对Si粉直接氮化工艺中α-Si3N4含量的影响 被引量：4
13
作者 乐红志 田贵山 李素珍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期370-375,共6页
通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SE... 通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SEM检测分析发现,添加适量NH4Cl、FeCl3可大幅提高Si3N4粉体中α-Si3N4的含量,最高可达88.3%,但FeCl3的含量过高时,则可显著降低α-Si3N4的含量。研究还发现添加NH4Cl、FeCl3还可降低Si粉发生氮化反应的起始温度。 展开更多
关键词 添加剂 si粉直接氮化 α-si3N4
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SHS法工艺参数对制备氮化硅粉体的影响 被引量：4
14
作者 王正军 李金富 +2 位作者 燕东明 王拥军 段关文 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2006年第6期23-26,共4页
本文采用自蔓燃高温合成方法（Self—propagating High—temperature Synthesis）简称（SHS）合成氮化硅粉体，借助于XRD、SEM等检测方法，分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等方面的影响。结果表明：只要最... 本文采用自蔓燃高温合成方法（Self—propagating High—temperature Synthesis）简称（SHS）合成氮化硅粉体，借助于XRD、SEM等检测方法，分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等方面的影响。结果表明：只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度，就可以用SHS方法合成Si3N4；氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应，必须要引入Si3N4稀释荆，来控制反应温度，以获得高α相含量的粉体。压坯气孔率控制在30％～70％，否则反应不能进行。研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体。此法较传统方法合成的氮化硅设备简单，成本低廉，纯度高，填充性及烧结活性好。 展开更多
关键词 自蔓燃高温合成 α—si3N4 Β-si3N4
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工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响 被引量：4
15
作者 李金富 李康 +2 位作者 王拥军 燕东明 段关文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期252-255,272,共5页
采用自蔓燃高温合成方法（self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS）合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果... 采用自蔓燃高温合成方法（self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS）合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明：只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度（Tcom）,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制：低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好. 展开更多
关键词 自蔓燃高温合成 燃烧温度 α-si3N4 Β-si3N4
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高侧壁垂直度超浅铌酸锂光栅耦合器的加工工艺及耦合效率 被引量：1
16
作者 瞿敏妮 刘思琦 +4 位作者 刘民 李进喜 陈舒静 付学成 程秀兰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期131-136,共6页
利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之... 利用聚焦离子束(FIB)在铌酸锂(LN)表面形成100 nm及以下深度的超浅光栅耦合器结构。为了提高刻蚀侧壁垂直度、避免开口展宽效应对光栅形貌的影响,在LN表面覆盖非晶硅(α-Si)作为掩膜层,实际刻蚀深度为α-Si层厚度和LN表面目标刻蚀深度之和,且刻蚀过程中产生的开口效应仅存在于α-Si层。通过氢氧化钾(KOH)溶液选择性地去除α-Si层,留下的LN表面结构侧壁陡直且无开口展宽效应。制备了刻蚀深度108 nm的超浅光栅耦合器,在924 nm波长处,其耦合效率为23.3%。制备了刻蚀深度70 nm的超浅光栅耦合器,在935 nm波长处,其耦合效率为14.4%。该研究为LN光栅耦合器的发展与应用提供了有益指导。 展开更多
关键词 超浅光栅耦合器 高侧壁垂直度 聚焦离子束(FIB) 铌酸锂(LN) 非晶硅(α-si)
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PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力的研究 被引量：5
17
作者 周顺 刘卫国 +1 位作者 刘欢 蔡长龙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期341-346,共6页
利用等离子体增强化学气相沉积技术在硅基底上沉积了氢化非晶硅(α-Si:H)薄膜,通过纳米压入仪、电子薄膜应力分布仪、傅里叶变换红外光谱仪等表征技术,研究了沉积时的工艺参数(射频功率、沉积温度、工作压强)对薄膜内应力的影响,对薄膜... 利用等离子体增强化学气相沉积技术在硅基底上沉积了氢化非晶硅(α-Si:H)薄膜,通过纳米压入仪、电子薄膜应力分布仪、傅里叶变换红外光谱仪等表征技术,研究了沉积时的工艺参数(射频功率、沉积温度、工作压强)对薄膜内应力的影响,对薄膜的本征应力、热应力进行分析,并探讨了射频功率对薄膜红外吸收光谱的影响。研究结果表明,提高射频功率能够使薄膜从张应力转变为压应力,且压应力随射频功率的增大而增大;提高工作压强能够使薄膜从压应力转变为张应力;应力随沉积温度的升高而增大;薄膜中氢含量、SiH组态、SiH2组态含量随射频功率的增大而增大。通过优化工艺,得到了沉积具有较小张应力薄膜的工艺参数(射频功率30W,沉积温度250℃,气体流量80cm3/min(标准状态),工作压强67Pa),并将其成功应用于非晶硅薄膜自支撑悬空结构。 展开更多
关键词 薄膜 内应力 本征应力 氢化非晶硅 等离子体增强化学气相沉积
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基于SOI材料α-Si:H TFTs的制作和特性研究(英文) 被引量：2
18
作者 李蕾 温殿忠 +1 位作者 李刚 赵晓锋 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期181-185,共5页
采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶... 采用RF-PECVD系统在SOI材料上制作α-Si:H TFT,纳米非晶硅薄膜厚度为98nm,沟道长宽比为10μm/40μm。用扫描电子显微镜、X射线衍射和拉曼光谱等检测方法对不同退火温度下的氢化非晶硅薄膜形貌进行了表征。采用CMOS工艺、各向异性腐蚀溶液EPW、射频溅射技术和等离子体刻蚀等工艺实现α-Si:H TFT的制作。在给出一般α-Si:H TFT特性分析和实验结果的基础上,又采用建模方式对α-Si:H TFT出现的负阻特性进行研究。提取纳米氢化非晶硅薄膜与栅氧化层界面处能带图的结果表明,在靠近漏端0.5μm范围内,漏压由6V增加到30V时,随漏压的增加,价带能量逐渐下降。研究结果表明,距离漏端0.5μm范围内的压降导致负阻特性产生。 展开更多
关键词 α-si:H TFT 纳米非晶硅薄膜 SOI材料 腐蚀自停止技术 负阻特性
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α-Si：H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化 被引量：3
19
作者 郑雪 余学功 杨德仁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第19期534-538,共5页
利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了α-Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池.用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果,通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理.将α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的... 利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了α-Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池.用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果,通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理.将α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的α-Si:H薄膜进行对比,发现α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果明显优于α-Si:H薄膜.不同温度下热处理后,α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低.在最佳热处理温度300°C下进行热处理,α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于α-Si:H薄膜.模拟计算结果表明,α-Si:H/SiNx薄膜的钝化效果与α-Si:H/Si界面处的态密度有关. 展开更多
关键词 太阳电池 钝化 α-si:H/siNx薄膜 热处理
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β-Si_3N_4含量对Y_2O_3-MgO-α-Si_3N_4陶瓷性能的影响 被引量：2
20
作者 李荐 李淳伟 +5 位作者 周宏明 黄祖琼 刘凡 李艳芬 杨俊 杨亮 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期91-93,共3页
利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均... 利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均先增加后降低,当β-Si3N4含量达到40%时,陶瓷致密度和力学性能同时达到最大,此时致密度为93%,横向断裂强度为583.4 MPa,断裂韧性为5.42 MPa.m1/2。 展开更多
关键词 陶瓷 Β-si3N4 Y2O3-MgO-α-si3N4 力学性能 显微组织
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