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宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用
被引量:
13
1
作者
周万幸
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2010年第12期1-6,共6页
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结...
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望。
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关键词
雷达
宽禁带半导体功率器件
发射机
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职称材料
题名
宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用
被引量:
13
1
作者
周万幸
机构
南京电子技术研究所
出处
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2010年第12期1-6,共6页
文摘
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步。宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能。文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望。
关键词
雷达
宽禁带半导体功率器件
发射机
Keywords
radar
wide band
-
gap
semiconductors
power
devices
transmitter
分类号
TN952 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用
周万幸
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2010
13
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