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一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计
1
作者
谭炜锋
刘辉华
《现代电子技术》
2009年第14期188-190,共3页
基于标准SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,得到该电压源。此基准电压...
基于标准SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,得到该电压源。此基准电压源电路仅使用NMOS和PMOS晶体管来实现。在-40^+80℃的温度变化范围内,它的温漂系数约为6.12 ppm/℃。
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关键词
PTAT电流
弱反型
nmos
二极管连接
nmos
阈值电压
基准电压
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职称材料
题名
一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计
1
作者
谭炜锋
刘辉华
机构
电子科技大学电子科学技术研究院
出处
《现代电子技术》
2009年第14期188-190,共3页
文摘
基于标准SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,得到该电压源。此基准电压源电路仅使用NMOS和PMOS晶体管来实现。在-40^+80℃的温度变化范围内,它的温漂系数约为6.12 ppm/℃。
关键词
PTAT电流
弱反型
nmos
二极管连接
nmos
阈值电压
基准电压
Keywords
PTAT
current
weak
inversion
nmos
diode
-
connected
nmos
threshold
voltage
voltage
reference
分类号
TN710 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
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1
一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计
谭炜锋
刘辉华
《现代电子技术》
2009
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