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沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
被引量：
1
1
作者
李志栓
汤光洪
+2 位作者
於广军
杨新刚
杨富宝
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期933-938,共6页
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线...
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
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关键词
沟槽肖特基器件
Si深槽刻蚀
常温刻蚀
无缝回填
SF6/O2比例
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职称材料
题名
沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
被引量：
1
1
作者
李志栓
汤光洪
於广军
杨新刚
杨富宝
机构
杭州士兰集成电路有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期933-938,共6页
文摘
深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
关键词
沟槽肖特基器件
Si深槽刻蚀
常温刻蚀
无缝回填
SF6/O2比例
Keywords
trench
Schottky
device
silicon
deep-trench
etching
etching
at
room
temperature
void
-
free
backfill
SF6/O2
ratio
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺
李志栓
汤光洪
於广军
杨新刚
杨富宝
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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