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背照式AlGaN/GaN基光电探测器的结构设计及性能模拟 被引量：5
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作者 黄鑫 罗木昌 周勋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2071-2077,共7页
基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光电响应特性和电学参数,结果与实测数据和文献报道数据一致性... 基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光电响应特性和电学参数,结果与实测数据和文献报道数据一致性较好。计算时还考虑了材料制备和器件工艺的实际情况,分析了有关参数对器件性能的影响,这些结果对于分析器件的工作机制以及提取某些感兴趣的参数都有较好的指导意义。 展开更多
关键词 氮化物 可见光盲/日盲紫外 光电二极管 模拟
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