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溴化硼分子及离子的势能函数与垂直电离势 被引量:12
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作者 冉鸣 高涛 黄萍 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第1期28-32,共5页
为了弄清BBr在金属蚀刻中的机理 ,需了解BBrn(n =0、+ 1、+ 2 )分子及离子体系势能函数和稳定性的信息 ,用原子分子反应静力学原理推导出了BBrn(n =0、+ 1、+ 2 )的基态电子状态及其离解极限 .基于cc pVDZ基组 ,用B3LYP方法计算了他们... 为了弄清BBr在金属蚀刻中的机理 ,需了解BBrn(n =0、+ 1、+ 2 )分子及离子体系势能函数和稳定性的信息 ,用原子分子反应静力学原理推导出了BBrn(n =0、+ 1、+ 2 )的基态电子状态及其离解极限 .基于cc pVDZ基组 ,用B3LYP方法计算了他们的平衡几何、电子状态 ,在此基础上分别计算了BBr、BBr+ 的Murrell Sorbie解析势能函数和BBr2 + 的解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数 .BBrn(n =+ 1、+ 2 )离子的垂直电离势为 :I+ =9.583 675eV ,I+ + =2 9.3 4 2 3 4eV .计算表明 ,BBr+ 、BBr2 + 的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点 ,说明BBr+ 、BBr2 + 展开更多
关键词 BBr^n(n=0、+1、+2) 势能函数 垂直电离势
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金镍二元团簇结构和电子性质的理论研究 被引量:6
2
作者 唐典勇 金诚 +1 位作者 邹婷 黄雪娜 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第14期1539-1546,共8页
在UBP86/LANL2DZ和UBP86/def2-TZVP水平下详细研究了AumNin(m+n≤6)团簇的几何结构和电子性质.详细地分析了团簇的结构特征,平均结合能,垂直电离势,垂直电子亲和能,电荷转移以及成键特征.所有混合团簇中,镍原子趋于聚集到一起,形成最多N... 在UBP86/LANL2DZ和UBP86/def2-TZVP水平下详细研究了AumNin(m+n≤6)团簇的几何结构和电子性质.详细地分析了团簇的结构特征,平均结合能,垂直电离势,垂直电子亲和能,电荷转移以及成键特征.所有混合团簇中,镍原子趋于聚集到一起,形成最多Ni—Ni键,金原子分布在镍原子聚集体周围以形成最多Au—Ni键.Ni原子较少团簇的电子性质与纯金团簇类似,呈现一定奇偶振荡.混合团簇中存在镍到金原子间的电荷转移.Ni原子较少团簇中,自旋电子主要定域在Ni原子上,Ni原子较多团簇中,Au原子明显受到自旋极化.混合团簇的分波态密度表明,AuNi混合团簇对小分子的反应活性要高于纯金团簇. 展开更多
关键词 金镍混合团簇 垂直电离能 垂直电子亲和能 态密度(DOS) 密度泛函理论
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金钯二元小团簇的几何结构与电子性质 被引量:6
3
作者 唐典勇 黄雪娜 +3 位作者 邹婷 金诚 胡建平 伏秦超 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期453-460,共8页
在UBP86/LANL2DZ和UB3LYP/def2-TZVP水平下详细研究了AumPdn(m+n≤6)团簇的几何结构和电子性质.阐明了团簇的结构特征、平均结合能、垂直电离势、垂直电子亲和能、电荷转移以及成键特征.除单取代混合团簇(AunPd和AuPdn,n=5或6)外,五和... 在UBP86/LANL2DZ和UB3LYP/def2-TZVP水平下详细研究了AumPdn(m+n≤6)团簇的几何结构和电子性质.阐明了团簇的结构特征、平均结合能、垂直电离势、垂直电子亲和能、电荷转移以及成键特征.除单取代混合团簇(AunPd和AuPdn,n=5或6)外,五和六原子混合团簇中钯原子趋于聚集到一起形成Pdcore,金原子分布在Pdcore周围形成PdcoreAushell结构.含一个和两个钯原子团簇的电子性质与纯金团簇类似,呈现一定奇偶振荡.混合团簇的电子性质,如最高占据分子轨道(HOMO),最低未占据分子轨道(LUMO),垂直电离势,垂直电子亲和能,Fermi能级和化学硬度等均与团簇空间结构和金、钯原子数之比直接相关.混合团簇中存在钯原子到金原子间的电荷转移,表明团簇中存在明显金钯间成键作用.分析团簇的电荷分布、前线轨道和化学硬度表明,金钯混合团簇对小分子如O2、H2和CO等的反应活性要强于纯金团簇. 展开更多
关键词 密度泛函理论 金钯二元团簇 垂直电离势 垂直电子亲和能 Fermi能级
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基态XO^(n+)(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的势能函数和第一垂直电离势 被引量:1
4
作者 王蓉 蒋刚 +1 位作者 蒙大桥 朱正和 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1103-1106,共4页
运用原子分子反应静力学原理推导出XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的基态电子状态及离解极限.运用密度泛函的B3P86方法和LANL2DZ赝势基组及aug-cc-pVTZ全电子基组,对XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)体系进行计算,获得了这些分子及其离子基态的Murrell-S... 运用原子分子反应静力学原理推导出XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的基态电子状态及离解极限.运用密度泛函的B3P86方法和LANL2DZ赝势基组及aug-cc-pVTZ全电子基组,对XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)体系进行计算,获得了这些分子及其离子基态的Murrell-Sorbie解析势能函数.同时计算了XOn+(X=Ru,Rh,Pd;n=0,1)的光谱数据,计算了XO(X=Ru,Rh,Pd)中性分子的第一垂直电离势. 展开更多
关键词 XO^(n+)(X=Ru Rh Pd n=0 1) 势能函数 垂直电离势
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Theoretical Analysis on Magnetic Properties of Conjugated Organic Molecules Containing Borepin
5
作者 WEI Wei BAI Fu-quan +2 位作者 XIA Bao-hui CHEN Hai-bo ZHANG Hong-xing 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2013年第5期962-968,共7页
Theoretical study about the magnetic properties of conjugated organic molecules containing borepin with π current density was carried out. 1-(2,4,6-Trimethylphenyl)borepin moiety is the center and other different g... Theoretical study about the magnetic properties of conjugated organic molecules containing borepin with π current density was carried out. 1-(2,4,6-Trimethylphenyl)borepin moiety is the center and other different groups are situated on the both fl sides, which are named molecules 1--12 as theoretical model in order to establish the rela- tionship between aromaticity and geometry variation of borepin. The optimized molecular structures of molecules 1--12 are almost keeping planar and the C2--C3 bond length of borepin turns longer from molecule 1 to molecule 12 Different borepin-annulated ring could change the conjugated effect of π-electron between borepin and these bore- pin-annulated rings. Moreover, the molecule presents antiaromaticity, in other words, the molecule became unstable when the C2--C3 bond length of borepin extended more than ca. O. 1417 nm. But the fl position fragment and substi- tuent groups of borepin are not affected in this case, they are still steady. However, the central borepin ring current is counteracted by symmetrical overlap of it with affiliated borepin-annulated ring current. Hence, the central borepin ring breaking would be liable to occur. These molecules have higher vertical ionization potentials(VIPs) and lower vertical electron affinities(VEAs), which suggests that these molecules could easily exist in anionic form. 展开更多
关键词 AROMATICITY STABILITY vertical ionization potential vertical electron affinity
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XF_3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算 被引量:2
6
作者 唐海燕 陈恒杰 +1 位作者 程新路 周学平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期244-249,共6页
采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明E... 采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明EOM-CCSD计算的价层垂直电离势整体上与SAC-CI结果相近,而优于OVGF和P3理论结果,在整个价层上,EOM-CCSD结果与实验值总体差距约0.2eV,在外价层这种差距相对较小,在内价层则有所增大.随基组增大EOM-CCSD计算得到的第一电离势与实验值差距迅速减小,约0.03eV.根据SAC-CI,OVGF,P3和EOM-CCSD对NF3和PF3计算结果,判断AsF3第一电离势约为12.8eV,而非12.3eV,同时给出AsF3的价层电离势依次为12.64,15.23,16.30,17.37,18.05,21.98eV. 展开更多
关键词 XF3(X=N P As) 垂直电离势 运动方程耦合团簇理论
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3d过渡金属掺杂M2@Si20(M=Sc-Zn)团簇的密度泛函理论研究 被引量:1
7
作者 傅院霞 屈苏平 +1 位作者 王莉 肖伟 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2020年第3期385-389,共5页
利用密度泛函理论(DFT)研究3d过渡金属掺杂硅团簇的几何结构和稳定性,计算了绝热电子亲和能和垂直电离能,内嵌双金属间距,自旋磁矩等.结果表明内嵌的Sc、Ti、V、Mn金属二聚体和十二面体硅笼构成了稳定的富勒烯结构,随着d电子数目的增加... 利用密度泛函理论(DFT)研究3d过渡金属掺杂硅团簇的几何结构和稳定性,计算了绝热电子亲和能和垂直电离能,内嵌双金属间距,自旋磁矩等.结果表明内嵌的Sc、Ti、V、Mn金属二聚体和十二面体硅笼构成了稳定的富勒烯结构,随着d电子数目的增加其内嵌的富勒烯构型有部分畸变,总体而言Si20团簇掺杂双金属后稳定性得到了提高. 展开更多
关键词 密度泛函理论 金属掺杂的硅团簇 几何结构 电子亲和能 电离能
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基态Se2^x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的势能函数与垂直电离势 被引量:1
8
作者 刘信平 李光大 冉鸣 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第5期724-728,共5页
用原子分子反应静力学原理推导出了Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在6-311G**水平基础上,用B3LYP方法计算了Se2x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De及谐振频率;并在计算出来的一系列... 用原子分子反应静力学原理推导出了Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子的基态电子状态及其离解极限.在6-311G**水平基础上,用B3LYP方法计算了Se2x(x=0,-1,+1,+2)分子离子的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De及谐振频率;并在计算出来的一系列单点能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数和力学性质;计算了Se2+、Se22+的垂直电离势;计算表明Se2x(x=0,+1,-1,+2)分子离子是可稳定存在的. 展开更多
关键词 Se2^+(x=0 -1 +1 +2)分子离子 势能函数 垂直电离势
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氯化硼分子及离子的势能函数与垂直电离势
9
作者 刘信平 黄生田 冉鸣 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第3期276-279,共4页
用原子分子反应静力学原理推导出了BCln(n =0、+1、+2 )分子及离子的基态电子状态及其离解极限 .基于cc pVDZ水平基组 ,用B3LYP方法计算了其分子及离子的平衡几何、电子状态 ,在此基础上分别计算了BCl、BCl+ 的Murrell Sorbie(M S)解析... 用原子分子反应静力学原理推导出了BCln(n =0、+1、+2 )分子及离子的基态电子状态及其离解极限 .基于cc pVDZ水平基组 ,用B3LYP方法计算了其分子及离子的平衡几何、电子状态 ,在此基础上分别计算了BCl、BCl+ 的Murrell Sorbie(M S)解析势能函数和BCl2 + Zhu Wang(ZW)解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数 .计算表明BCl+ 、BCl2 + 势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点 ,说明BCl+ 、BCl2 + 可稳定存在 . 展开更多
关键词 氯化硼分子及离子 势能函数 垂直电离势
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CuH^n(n=0,+1,+2)分子及离子的势能函数与垂直电离势(英文)
10
作者 刘源 黄萍 +1 位作者 吴海燕 冉鸣 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期79-85,共7页
为了弄清CuH在镁基合金储氢材料中运用,首先需了解CuHn(n=0、+1、+2)分子及离子体系势能函数和稳定性的信息,本工作用原子分子反应静力学原理推导出了CuHn(n=0、+1、+2)的基态电子状态及其离解极限.基于SDD和6-311G**基组,用B3PW91方法... 为了弄清CuH在镁基合金储氢材料中运用,首先需了解CuHn(n=0、+1、+2)分子及离子体系势能函数和稳定性的信息,本工作用原子分子反应静力学原理推导出了CuHn(n=0、+1、+2)的基态电子状态及其离解极限.基于SDD和6-311G**基组,用B3PW91方法计算了他们的平衡几何、电子状态,在此基础上分别计算了CuH,CuH+1的Murrell-Sorbie解析势能函数和CuH+2的解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数.CuHn(n=+1,+2)离子的垂直电离势为:I+=-965.00eV,I++=-944.70eV.计算表明CuH+、CuH2+的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点,说明CuH+、CuH2+可稳定存在. 展开更多
关键词 CuHn(n=0、+1、+2) 分子离子 势能函数 垂直电离
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SAC-CI方法对H_2Se和H_2Te电离态的理论计算
11
作者 张永风 王美山 +2 位作者 马美仲 马荣彩 庞伟秀 《鲁东大学学报(自然科学版)》 2008年第1期38-43,共6页
采用对称匹配组态相互作用(SAC-C I)方法研究了H2Se和H2Te的电离态,结合H2Se+和H2Te+对这些电离态进行了指认.计算和指认结果表明,H2Se和H2Te分子的外层分子轨道是量子数n不同的相同分子轨道a1,b2,a1,b1;单极子强度较大而能量较低的电离... 采用对称匹配组态相互作用(SAC-C I)方法研究了H2Se和H2Te的电离态,结合H2Se+和H2Te+对这些电离态进行了指认.计算和指认结果表明,H2Se和H2Te分子的外层分子轨道是量子数n不同的相同分子轨道a1,b2,a1,b1;单极子强度较大而能量较低的电离态12B1,12A1,12B2,22A1为H2Se+和H2Te+的电子基态和激发态,能量较高的电离态为H2Se+和H2Te+的高激发态;在电子的跃迁和电离过程中,能量较低的四个电离态的形成主要是单电子过程,而能量较高的电离态其形成过程主要是两电子过程.其中许多能量较高的电离态的形成具有2h1p的特征.计算结果与实验数据比较表明,SAC-C I理论值与实验值吻合很好. 展开更多
关键词 硒化氢 碲化氢 激发态 垂直电离势
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XF_3(X=N,P,As)分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算
12
作者 杨文艳 陈恒杰 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期515-520,共6页
应用三阶代数图-表构建法(third-order algebraic diagrammatic construction scheme 简写为 ADC (3))计算了XF3(X=N,P,As)的价层垂直电离势(VIP).结果表明:内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小;来自不同理论结果的分子... 应用三阶代数图-表构建法(third-order algebraic diagrammatic construction scheme 简写为 ADC (3))计算了XF3(X=N,P,As)的价层垂直电离势(VIP).结果表明:内壳层电子关联对电离主峰位置影响非常小;来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响;基组差异则表现的非常明显.由计算值和实验结果比较可知:在实验分子结构和 cc-pVDZ基组下,应用 ADC(3)得到的电离势与实验值整体上差距最小;ADC(3)计算的第一电离势往往小于实验值约0.4~0.8 eV,其余主峰位置与实验值差距约0.01~0.3 eV;随基组增大,ADC(3)结果与实验值偏差明显增大.因此,利用 ADC(3)方法计算价层电离势时,建议使用价层电子关联,基组则采用 cc-pVDZ或DZP,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、密度泛函等理论获得. 展开更多
关键词 XF3 (X=N P As) 价层垂直电离势 三阶代数图-表构建法
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C^2分子的分析势能函数与垂直电离势 被引量:3
13
作者 王红艳 易有根 +2 位作者 唐永建 高涛 朱正和 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期468-472,共5页
用abinitio计算方法和实验光谱数据分别导出C2分子基态X1Σ+g和激发态d3Πg的Murel-Sorbie函数,同时用QCISD/6-311G方法优化出C-2、C+2、C2+2分子离子基态的平衡核间距,算出C... 用abinitio计算方法和实验光谱数据分别导出C2分子基态X1Σ+g和激发态d3Πg的Murel-Sorbie函数,同时用QCISD/6-311G方法优化出C-2、C+2、C2+2分子离子基态的平衡核间距,算出C2分子的垂直电离势,计算数据与实验光谱数据进行了比较。 展开更多
关键词 分析势能函数 垂直电离势 碳分子 光谱数据
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