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静电电动机及其研究发展状况 被引量:10
1
作者 王欣利 程树康 《微特电机》 北大核心 2001年第6期12-15,共4页
文章详细介绍了静电电动机的基本原理、分类以及各自的特点 ,综述了其研究发展的历程和国内外研究现状 。
关键词 微机电系统 静电电动机 介电驰豫 电容可变 发展
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一种新型IGBT缓冲电路的设计 被引量:6
2
作者 周跃庆 尹中明 《电焊机》 2004年第10期11-12,18,共3页
在分析常用的IGBT缓冲电路特点的基础上,设计了一种新型的IGBT缓冲电路。该电路利用二极管的特性来改变缓冲电路中的电容值,从而达到在IGBT关断时有效抑制瞬态过电压,又可在其开通时减小放电时间,迅速释放电荷的目的。通过理论分析和Psp... 在分析常用的IGBT缓冲电路特点的基础上,设计了一种新型的IGBT缓冲电路。该电路利用二极管的特性来改变缓冲电路中的电容值,从而达到在IGBT关断时有效抑制瞬态过电压,又可在其开通时减小放电时间,迅速释放电荷的目的。通过理论分析和Pspice仿真证明了该电路的可行性,并在实践中得到应用。 展开更多
关键词 IGBT 缓冲电路 电容可变
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微机械线加速度计 被引量:3
3
作者 候正君 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第3期174-178,共5页
叙述一种新型微机械伺服加速度计,并与电磁式及变电容式线加速度计原理、性能特点进行比较。微机械伺服加速度计测量上限可达±500m/s2,且能承受50000m/s2以上高冲击。
关键词 加速度计 微机械 伺服 变电容
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Digitally controlled oscillator design with a variable capacitance XOR gate 被引量:2
4
作者 Manoj Kumar Sandeep K.Arya Sujata Pandey 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期86-92,共7页
A digitally controlled oscillator(DCO) using a three-transistor XOR gate as the variable load has been presented.A delay cell using an inverter and a three-transistor XOR gate as the variable capacitance is also pro... A digitally controlled oscillator(DCO) using a three-transistor XOR gate as the variable load has been presented.A delay cell using an inverter and a three-transistor XOR gate as the variable capacitance is also proposed. Three-,five- and seven-stage DCO circuits have been designed using the proposed delay cell.The output frequency is controlled digitally with bits applied to the delay cells.The three-bit DCO shows output frequency and power consumption variation in the range of 3.2486-4.0267 GHz and 0.6121-0.3901 mW,respectively,with a change in the control word 111-000.The five-bit DCO achieves frequency and power of 1.8553-2.3506 GHz and 1.0202-0.6501 mW,respectively,with a change in the control word 11111-00000.Moreover,the seven-bit DCO shows a frequency and power consumption variation of 1.3239-1.6817 GHz and 1.4282-0.9102 mW,respectively, with a varying control word 1111111-0000000.The power consumption and output frequency of the proposed circuits have been compared with earlier reported circuits and the present approaches show significant improvements. 展开更多
关键词 digital control oscillator delay cell power consumption variable capacitance voltage controlled oscillators XOR gate
原文传递
一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计 被引量:3
5
作者 齐贺飞 王磊 +2 位作者 王鑫 王绍权 张梦月 《现代信息科技》 2022年第12期52-55,共4页
基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm^(2),典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V~2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围... 基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm^(2),典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V~2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz~3.3 GHz,通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽,在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz,压控振荡器的典型增益为40 MHz/V。 展开更多
关键词 压控振荡器 可变电容 相位噪声
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基于小母线电容的高过载小型化电机驱动技术研究 被引量:1
6
作者 秦向南 付俊永 许培林 《微电机》 2023年第5期41-46,57,共7页
本文针对小母线电容控制策略中低速转矩性能降低以及衍生的低频异音问题,提出了基于变母线电容电路拓扑和控制算法,达到提升低速转矩性能,解决低频异音的目的。首先分析了传统小母线电容控制策略转矩性能降低和低频噪音问题产生的机理;... 本文针对小母线电容控制策略中低速转矩性能降低以及衍生的低频异音问题,提出了基于变母线电容电路拓扑和控制算法,达到提升低速转矩性能,解决低频异音的目的。首先分析了传统小母线电容控制策略转矩性能降低和低频噪音问题产生的机理;然后提出了基于小电容能量分时控制策略,解决了低频异音的问题并且低速转矩性能提升15.9%;针对网侧谐波电流超标的问题,提出了基于变母线电容电路拓扑和控制算法,网侧谐波电流GB/T 17625.1-2012标准,并且兼顾了低速转矩性能。最后实验验证了该方案的有效性。 展开更多
关键词 小母线电容 变电容 无电解电容 能量分时控制
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静电马达发展综述 被引量:1
7
作者 李翠萍 柴凤 +1 位作者 于艳君 程树康 《微电机》 北大核心 2009年第5期47-50,共4页
分析了静电马达的工作原理及静电力在微领域中的优势;综述了静电马达的发展历程及国内外研究现状,并对其应用前景进行了评析和展望。
关键词 微马达 静电 可变电容 综述
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GaN发光二极管表观电容极值分析 被引量:1
8
作者 谭延亮 游开明 +1 位作者 陈列尊 袁红志 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期237-240,共4页
利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容... 利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容。发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。 展开更多
关键词 GAN发光二极管 负电容 正向交流(ac)小信号方法 可变电容 极值
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芯片粘接对MEMS加速度计性能影响分析
9
作者 王伟忠 刘聪聪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1282-1287,共6页
研究了一种针对微电子机械系统(MEMS)变电容间隙式加速度计芯片粘接应力对零位输出影响的分析方法。通过建立加速度计的数学解析模型,从理论上推导出了电容变化量与间隙变化量的关系式。然后对影响间隙变化量的粘接应力进行了分析,得到... 研究了一种针对微电子机械系统(MEMS)变电容间隙式加速度计芯片粘接应力对零位输出影响的分析方法。通过建立加速度计的数学解析模型,从理论上推导出了电容变化量与间隙变化量的关系式。然后对影响间隙变化量的粘接应力进行了分析,得到了影响粘接应力的因素,并选取关键影响因素(粘结胶点直径)进行仿真分析。为了验证降低加速度计零位输出随温度变化的改进思路,分别装配了0.9 mm直径胶点和1.5 mm直径胶点粘接的加速度计进行了实验。实验结果表明,改进封装方案有效,采用直径0.9 mm胶点方案使零位输出变化量降低了75%。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 加速度计 封装 芯片粘接 变电容
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基于电容变化的角位置检测理论新方法的研究
10
作者 袁海斌 袁海文 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第10期53-54,共2页
结合工程实践,提出了一种新的检测角位置的理论方法。通过在旋转轴周围加工一个特定形状的工件,在空间上形成一个数值可变的电容器,让其容值与空间角位置建立一个对应关系,从而把对角位置的检测转化为对电参数的检测,由此实现了角位置... 结合工程实践,提出了一种新的检测角位置的理论方法。通过在旋转轴周围加工一个特定形状的工件,在空间上形成一个数值可变的电容器,让其容值与空间角位置建立一个对应关系,从而把对角位置的检测转化为对电参数的检测,由此实现了角位置的非接触测量。通过一个近似的模型,推导出了检测需要的理论公式,并给出了具体的检测方法与思路,还就该方法与目前常用方法的性能进行了简单对比。 展开更多
关键词 角位置 检测方法 可变电容 非接触 电容器
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一种宽带低功耗的VCO设计
11
作者 沈最 《通信电源技术》 2023年第8期67-69,73,共4页
以40 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺为基础,设计可变电容接入电路的方式,该电路由一组固定的可变大电容与3位开关控制的可变小电容阵列组成,能很好地抑制调谐增益的变化,并且在可变电容两... 以40 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺为基础,设计可变电容接入电路的方式,该电路由一组固定的可变大电容与3位开关控制的可变小电容阵列组成,能很好地抑制调谐增益的变化,并且在可变电容两端加入偏置,让其工作在容值变化较为合适的区间,使控制电压对调谐范围的利用率达到最优。测试结果表明,在电源电压为1.1 V的条件下,该压控振荡器的设计功耗为1.155 mW,版图面积仅为0.089 mm2。频率的调谐范围是4.08~5.62 GHz,中心频率在4.8 GHz时的相位噪声为-116.46 dBc/Hz@1 MHz,考虑调谐范围的性能系数(Figure of Merit,FOM)值为-200.03 dBc/Hz,具有良好的综合性能。 展开更多
关键词 压控振荡器 可变电容 低功耗 宽调谐范围
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基于遗传算法的静电微电机优化设计 被引量:1
12
作者 宫香山 刘晓伟 何广平 《微特电机》 北大核心 2014年第7期11-14,共4页
针对顶面驱动可变电容式静电微电机的参数优化设计问题,建立了一般解析物理描述模型,并给出了优化问题的数学模型。在考虑电机结构尺寸和电机控制方法优化的同时,结合数值积分方法和遗传算法,提出一种简单高效的优化设计方法。实验结果... 针对顶面驱动可变电容式静电微电机的参数优化设计问题,建立了一般解析物理描述模型,并给出了优化问题的数学模型。在考虑电机结构尺寸和电机控制方法优化的同时,结合数值积分方法和遗传算法,提出一种简单高效的优化设计方法。实验结果表明,优化后电机的平均力矩提高,而其波动明显减小。 展开更多
关键词 可变电容 静电微电机 优化设计 遗传算法
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顶面驱动可变电容静电微电机的优化设计
13
作者 宫香山 刘晓伟 何广平 《微电机》 北大核心 2014年第5期21-26,共6页
针对顶面驱动可变电容式静电微电机的参数优化设计问题,建立了一般解析物理描述模型,并给出了优化问题的数学模型。在考虑电机结构尺寸和电机控制方法优化的同时,结合数值积分方法和遗传算法,提出一种简单高效的优化设计方法,并通过有... 针对顶面驱动可变电容式静电微电机的参数优化设计问题,建立了一般解析物理描述模型,并给出了优化问题的数学模型。在考虑电机结构尺寸和电机控制方法优化的同时,结合数值积分方法和遗传算法,提出一种简单高效的优化设计方法,并通过有限元分析对提出的方法进行了有效性验证,实现了静电微电机的快速优化设计。 展开更多
关键词 可变电容 静电微电机 优化设计 有限元分析
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Ka波段的反射型模拟电调移相器设计 被引量:5
14
作者 张德伟 李文朝 +2 位作者 周东方 汪永飞 邓海林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期120-125,共6页
为了能对射频信号进行连续相位调制,设计了Ka波段新型小型化的模拟电调移相器,该电路基于90°分支线电桥与并联结构变容二极管实现电路大范围移相,利用四分之一波长微带线实现电路匹配及阻抗变换,通过并联补偿电阻平衡其插入损... 为了能对射频信号进行连续相位调制,设计了Ka波段新型小型化的模拟电调移相器,该电路基于90°分支线电桥与并联结构变容二极管实现电路大范围移相,利用四分之一波长微带线实现电路匹配及阻抗变换,通过并联补偿电阻平衡其插入损耗波动,并对其进行了详细分析与探讨。仿真及实测结果表明:该移相器在29-31GHz频段范围内,可获得180°左右的相移量,插入损耗优于6.5dB,插入损耗波动在1dB内,相移误差小于10°。 展开更多
关键词 移相器 变容二极管 反射型 插入损耗波动 线性相移
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光纤通信系统中光发射机的设计 被引量:2
15
作者 汪杰君 《现代电子技术》 2008年第1期68-70,共3页
光发射机功能是将AV信号接收、调制后,把电信号变换成光信号,经光纤发射出去。在光纤通信系统的原理下,对光发射机的主要组成部分电源、调频电路及锁相器在原理和实现电路上进行设计,使信号源发出的信号经过光发射机后信号失真小、信噪... 光发射机功能是将AV信号接收、调制后,把电信号变换成光信号,经光纤发射出去。在光纤通信系统的原理下,对光发射机的主要组成部分电源、调频电路及锁相器在原理和实现电路上进行设计,使信号源发出的信号经过光发射机后信号失真小、信噪比高,满足信号传输高质量的要求,实现低成本高质量的AV传输解决方案。 展开更多
关键词 光发射机 变容二极管 调频 锁相环
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磁耦合谐振式无线电能传输系统变电容调谐控制方法研究 被引量:2
16
作者 张杰 赵航 +3 位作者 许知博 周磊 杨磊 张元启 《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期102-110,共9页
在实际应用中,无线电能传输系统两耦合线圈之间的相对位置变化会使系统参数发生改变,导致系统处于失谐状态,电能传输效率降低。针对系统失谐问题,提出了一种变电容调谐控制策略,通过控制电容的充放电时间使该电容等效为一个可变电容,调... 在实际应用中,无线电能传输系统两耦合线圈之间的相对位置变化会使系统参数发生改变,导致系统处于失谐状态,电能传输效率降低。针对系统失谐问题,提出了一种变电容调谐控制策略,通过控制电容的充放电时间使该电容等效为一个可变电容,调制等效电容值与线圈感抗满足谐振条件,从而使系统始终处于谐振状态,可使系统发射端线圈和接收端线圈之间的传输效率达到最高。建立仿真模型,搭建基于串联-串联型谐振补偿拓扑结构的磁耦合谐振式无线电能传输系统实验样机,进行了变电容调谐控制实验。实验结果表明,在谐振频率为100 kHz、输入电压为20 V的情况下,样机能够实现无线电能稳定可靠传输,证明了该变电容调谐控制方法的有效性。 展开更多
关键词 磁耦合谐振式 无线电能传输 系统失谐 变电容调谐
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变容二极管C-V特性的控制技术 被引量:2
17
作者 叶新民 《微电子技术》 1999年第1期39-43,共5页
本文针对变容二极管生产难点:C-V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C-V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C-V特性的结论,并应用于生产。
关键词 变容二极管 C-V特性 串连电阻 反向电流
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集成式压控晶体振荡器的优化设计
18
作者 刘志波 刘刚 +1 位作者 高俊雄 于军 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期37-40,共4页
提出了一种厚膜集成式的压控石英晶体振荡器 (VCXO)的设计方法 .通过采用MOSFET的Miller电容取代变容二极管后 ,VCXO的振荡部分和调频部分可以集成在一个专用芯片中 ,另外再与外围电路组成厚膜式集成电路 ,使其体积大大减小 ,并从应用... 提出了一种厚膜集成式的压控石英晶体振荡器 (VCXO)的设计方法 .通过采用MOSFET的Miller电容取代变容二极管后 ,VCXO的振荡部分和调频部分可以集成在一个专用芯片中 ,另外再与外围电路组成厚膜式集成电路 ,使其体积大大减小 ,并从应用的角度阐明了集成电路中有关参数的选用 .同时提出通过谐振器的频率 -负载特性来改善压控线性度 ,减小相位噪声的途径与技术难点 . 展开更多
关键词 石英晶体 压控晶体振荡器 变容二极管 LSI
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基于LTCC工艺的小型化可调频带通滤波器的设计 被引量:2
19
作者 王尔凡 杨晓东 邢孟江 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第7期71-74,共4页
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化带通滤波器。采用两谐振器之间的耦合效应,减小了器件的尺寸。在HFSS中建立滤波器模型并仿真,滤波器的中心频率为1.07 GHz,带宽为428 MHz,回波损耗大于22 dB,2 f_0处抑制大于45 dB,整体尺... 设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化带通滤波器。采用两谐振器之间的耦合效应,减小了器件的尺寸。在HFSS中建立滤波器模型并仿真,滤波器的中心频率为1.07 GHz,带宽为428 MHz,回波损耗大于22 dB,2 f_0处抑制大于45 dB,整体尺寸仅为6.5 mm×4 mm×0.9 mm。在此滤波器上模拟表贴变容二极管来调节两个谐振器中的电容实现中心频率可调。结果表明,滤波器的中心频率在1.05~1.23 GHz内连续变化,在中心频率变化过程中插损始终小于1 dB,回波损耗始终大于15 dB,2f_0处抑制大于45 dB。 展开更多
关键词 小型化滤波器 连续可调频 变容二极管 低温共烧陶瓷 传输零点 电感
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三阶电容耦合可调频带通滤波器的研究 被引量:1
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作者 杨晓东 邢孟江 王尔凡 《无线通信技术》 2017年第2期42-46,51,共6页
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化的可调频带通滤波器,该滤波器电路由Top-C型电容耦合的三阶谐振腔组成,利用增加反馈电容的方式增加了零点,增强了带外抑制。通过器件外接可变电容二极管的方法实现调频,该器件的中心频率... 设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化的可调频带通滤波器,该滤波器电路由Top-C型电容耦合的三阶谐振腔组成,利用增加反馈电容的方式增加了零点,增强了带外抑制。通过器件外接可变电容二极管的方法实现调频,该器件的中心频率可以在1190MHz-1490MHz范围内进行连续调谐,并且带内损耗保持在2d B以下,2f0处带外抑制始终大于25d B,器件尺寸为9.8mm×7mm×0.9 mm。通过仿真实验,总结了调频带通滤波器的性能变化规律。在小型化可调带通滤波器的研究中,给出了很好的设计思路。 展开更多
关键词 小型化 低温共烧陶瓷(LTCC)技术 带通滤波器 连续可调频 变容二极管
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