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发光二极管用荧光材料Sr_2CeO_4:Sm^(3+)的合成及其发光特性 被引量:4
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作者 焦海燕 王育华 张加驰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期471-474,共4页
以具有一维结构的Sr_2CeO_4化合物为研究对象、Sm^(3+)作为发光中心,探索了其作为LED用荧光材料的可能性.用高温固相法于1200℃、6h合成了Sr_2CeO_4:Sm^(3+)系列单相粉末样品,并研究了其发光性质.结果表明,在365nm激发下,从荧光光谱中... 以具有一维结构的Sr_2CeO_4化合物为研究对象、Sm^(3+)作为发光中心,探索了其作为LED用荧光材料的可能性.用高温固相法于1200℃、6h合成了Sr_2CeO_4:Sm^(3+)系列单相粉末样品,并研究了其发光性质.结果表明,在365nm激发下,从荧光光谱中可以看出存在从基质向稀土离子的能量转移.通过调节荧光材料Sr_2CeO_4:Sm^(3+)中稀土离子Sm^(3+)的掺杂浓度,可以调谐发光体的发光颜色,当Sm^(3+)离子浓度较小(<3%)时,体系发出很强的白光;当Sm^(3+)离子浓度较大(3%~15%)时,体系发出红光.测量了荧光材料的色坐标,发现Sr_2CeO_4:1%Sm^(3+)的色坐标是(0.334,0.320),接近于纯白色(0.33,0.33),可以作为一种新型的UV-LED用单一白色荧光材料. 展开更多
关键词 Sr2CeO4:Sm^3+ 能量传递 荧光材料 uv-led
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紫外线消毒技术的研究现状及发展趋势 被引量:42
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作者 文尚胜 左文财 +3 位作者 周悦 叶倩楠 覃东欢 陈贤东 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期664-670,共7页
在COVID-19流行期,为考察新型紫外线消毒技术研究及其应用状况,对紫外发光二极管和222nm远紫外消毒技术两类新型紫外消毒技术进行了探讨。详细介绍了UV-LED的单波长照射,脉冲紫外照射和多波长协同照射三种消毒方案的研究进展、应用场所... 在COVID-19流行期,为考察新型紫外线消毒技术研究及其应用状况,对紫外发光二极管和222nm远紫外消毒技术两类新型紫外消毒技术进行了探讨。详细介绍了UV-LED的单波长照射,脉冲紫外照射和多波长协同照射三种消毒方案的研究进展、应用场所并对其潜力进行了探讨;重点介绍了222nm远紫外消毒技术,对其应用和未来发展做出了展望;讨论了UV-LED现阶段遇到的问题并对紫外消毒市场发展做出了展望,预计未来紫外消毒市场中将形成汞灯为主,LED为辅,两者相互补充的格局。 展开更多
关键词 生物光学 紫外线消毒 低压汞灯 紫外发光二极管 远紫外
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使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED 被引量:3
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作者 杜泽杰 段瑞飞 +5 位作者 魏同波 张硕 王军喜 曾一平 冉军学 李晋闽 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期675-680,共6页
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN... 高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高。使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 m A时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 m W,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 氮化铝(AlN) 深紫外发光二极管(uv-led) 成核层 磁控溅射
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