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SiO_2 膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响 被引量：5
1
作者 彭英才 竹内耕平 +1 位作者 稻毛信弥 宫崎诚一 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期267-271,共5页
采用低压化学气相沉积方法 ,依靠纯 Si H4 气体的热分解反应 ,在 Si O2 表面上自组织生长了 Si纳米量子点 .实验研究了 Si O2 膜的薄层化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 .结果表明 ,当 Si O2 膜厚度减薄至 6 nm以下时 ,Si纳米量子... 采用低压化学气相沉积方法 ,依靠纯 Si H4 气体的热分解反应 ,在 Si O2 表面上自组织生长了 Si纳米量子点 .实验研究了 Si O2 膜的薄层化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 .结果表明 ,当 Si O2 膜厚度减薄至 6 nm以下时 ,Si纳米量子点中的光生载流子会量子隧穿超薄 Si O2 层 ,并逃逸到单晶 Si衬底中去 ,从而减少了光生载流子通过Si O2 / Si纳米量子点界面区域内发光中心的辐射复合效率 ,致使光致发光强度明显减弱 .测试温度的变化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 ,则源自于光生载流子通过 Si O2 / 展开更多
关键词 自组织生长 硅 纳米量子点 二氧化碳 薄膜 发光特性
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二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
2
作者 薛坤 许建斌 +3 位作者 贺仲卿 徐明生 安锦 张荣耀 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期237-241,共5页
用超高真空热氧化方法在Si(1 1 1 )清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜 ,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示 ,在超薄范围二氧化硅呈层状生长 ,不同层的微分电导谱所测禁... 用超高真空热氧化方法在Si(1 1 1 )清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜 ,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示 ,在超薄范围二氧化硅呈层状生长 ,不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约 3eV 。 展开更多
关键词 二氧化硅超薄膜 扫描隧道显微镜 扫描隧道谱 禁带宽度 形貌表征 半导体材料
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电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
3
作者 冯文修 田浦延 +1 位作者 陈蒲生 刘剑 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-17,共5页
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没... 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。 展开更多
关键词 电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 超薄二氧化硅膜 遂穿电流 电流传输特性
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