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太赫兹二极管的研究进展及应用
被引量:
1
1
作者
刘子奕
杨建红
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第8期489-497,共9页
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优...
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。
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关键词
太赫兹(THz)
肖特基势垒二极管
耿氏二极管
碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管
隧道渡越时间(
tunnett
)二极管
混频器
倍频器
太赫兹源
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职称材料
题名
太赫兹二极管的研究进展及应用
被引量:
1
1
作者
刘子奕
杨建红
机构
兰州大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第8期489-497,共9页
文摘
太赫兹器件是太赫兹技术的核心。介绍了肖特基势垒二极管、耿氏二极管、碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管以及隧道渡越时间(TUNNETT)二极管四种典型太赫兹二极管的基本理论、器件结构和关键技术,分析了影响器件性能的主要因素,给出了优化改进器件性能的措施。阐述并比较了各种太赫兹二极管的特点以及同一种结构不同材料的太赫兹二极管特性,通过对比得出各自的优缺点及适用范围。分类总结了四种不同类型太赫兹二极管的研究进展和它们相应的应用。基于器件结构和先进的半导体材料特性,指出了不同类型太赫兹二极管的未来发展方向,描述了不同类型太赫兹二极管的应用和前景。
关键词
太赫兹(THz)
肖特基势垒二极管
耿氏二极管
碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)二极管
隧道渡越时间(
tunnett
)二极管
混频器
倍频器
太赫兹源
Keywords
THz
Schottky
barrier
diode
Gunn
diode
impact
avalanche
transit
time
(IM-PATT)
diode
tunnel
injection
transit
time
(
tunnett
)
diode
mixer
multiplier
THz
source
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
太赫兹二极管的研究进展及应用
刘子奕
杨建红
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014
1
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