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WO_3基H_2S气体传感器的研究 被引量：4
1
作者 吴正元 陈涛 +1 位作者 丘思畴 吴正华 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第1期41-43,共3页
介绍了电子束蒸发ＷＯ３膜和以该膜为敏感材料的Ｈ２Ｓ气体传感器工艺。
关键词 气敏元件 三氧化钨 硫化氢 传感器 气体传感器
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用于电致变色技术的氧化钨薄膜最佳厚度的探索
2
作者 唐岩 黄家健 +2 位作者 郑淇玮 唐秀凤 詹云凤 《五邑大学学报（自然科学版）》 CAS 2024年第1期29-35,共7页
WO_(3)薄膜在小直流电压作用下,通过阳离子的嵌入/脱出可以在深蓝色和透明态之间进行可逆变色.注入离子的迁移路程(即薄膜厚度)对WO_(3)电致变色性能和循环稳定性有极大影响.因此,本文采用直流反应磁控溅射制备WO_(3)薄膜,通过控制溅射... WO_(3)薄膜在小直流电压作用下,通过阳离子的嵌入/脱出可以在深蓝色和透明态之间进行可逆变色.注入离子的迁移路程(即薄膜厚度)对WO_(3)电致变色性能和循环稳定性有极大影响.因此,本文采用直流反应磁控溅射制备WO_(3)薄膜,通过控制溅射时间制备得到200 nm、500 nm、800 nm、1100 nm、1400 nm 5种厚度的薄膜样品,分别测试其初始态和1000圈CV循环后的电荷储量、调制率、响应时间及记忆时间,探究用于电致变色技术的WO_(3)薄膜的最佳厚度.结果表明,800 nm厚度的WO_(3)薄膜表现出的电致变色性能和循环稳定性明显优于其他厚度,在1000圈循环后电荷储量下降了25.1%,在波长550 nm处调制率衰减了1.59%,24 h静置后透过率增加了11.73%.该研究可为WO_(3)薄膜的产业化应用提供更为精确的理论指导. 展开更多
关键词 电致变色 氧化钨薄膜 最佳厚度 循环稳定性
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基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响 被引量：2
3
作者 罗乐平 赵青南 +4 位作者 刘旭 丛芳玲 顾宝宝 董玉红 赵杰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1847-1850,共4页
通过选取室温、100℃、200℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响。实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次。当基片温度由100... 通过选取室温、100℃、200℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响。实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次。当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次。 展开更多
关键词 直流反应溅射 氧化钨薄膜 基片温度 循环寿命 光学调制幅度
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多晶氧化钨薄膜的制备及其红外反射调制性能研究 被引量：8
4
作者 黄银松 章俞之 +1 位作者 宋力昕 胡行方 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1263-1268,共6页
通过工艺参数的优化,采用直流反应溅射工艺成功地制备了具有良好的电化学循环稳定性的多晶氧化钨薄膜.Raman散射光谱研究表明:随着锂离子和电子的共同注入,多晶薄膜中的W6+逐渐被还原为W5+.红外反射测试表明:电子注入薄膜后,成为自由载... 通过工艺参数的优化,采用直流反应溅射工艺成功地制备了具有良好的电化学循环稳定性的多晶氧化钨薄膜.Raman散射光谱研究表明:随着锂离子和电子的共同注入,多晶薄膜中的W6+逐渐被还原为W5+.红外反射测试表明:电子注入薄膜后,成为自由载流子,使得氧化钨薄膜表现出一定的金属特性,具有一定的红外反射调制能力.采用该工艺制备的WO3/ITO/Glass结构的发射率可在0.261～0.589的范围内可逆调节. 展开更多
关键词 红外反射调制性能 直流反应溅射 多晶氧化钨薄膜 RAMAN散射 发射率 电致变色
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脉冲准分子激光沉积纳米WO_3多晶电致变色薄膜的研究 被引量：10
5
作者 方国家 刘祖黎 +1 位作者 周远明 姚凯伦 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期559-564,共6页
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在不同条件下 ,在透明导电衬底SnO2 ∶In2 O3 (ITO)及Si ( 111)单晶衬底上沉积了非晶WOx 薄膜 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对... 采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在不同条件下 ,在透明导电衬底SnO2 ∶In2 O3 (ITO)及Si ( 111)单晶衬底上沉积了非晶WOx 薄膜 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析 ,结果表明 :氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数 .采用三斜相的WO3 靶材 ,在 10 0℃及2 0Pa氧压下沉积 ,经 30 0℃以上退火处理 ,在Si( 111)及ITO衬底上得到了三斜相的纳米晶WO3 薄膜 .随着氧压的减少 ,薄膜中氧缺位增多 .采用ITO基片 ,氧压 2 0Pa,经 30 0℃热处理的薄膜 ,呈多晶态 ,晶粒分布均匀 ,晶粒平均尺寸为 2 0～ 30nm .经 40 0℃热处理的薄膜 ,呈多晶态 ,晶界明显 ,晶粒分布呈开放型多孔结构 ,晶粒平均尺寸为 30～ 5 0nm .这一典型的结构有利于离子的注入和抽出 . 展开更多
关键词 三氧化钨薄膜 脉冲准分子激光沉积 工艺条件 结构分析 纳米晶体 电致变色薄膜
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n型有序多孔硅基氧化钨室温气敏性能研究 被引量：8
6
作者 胡明 刘青林 +1 位作者 贾丁立 李明达 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期361-368,共8页
利用电化学腐蚀方法制备了n型有序多孔硅,并以此为基底用直流磁控溅射法在其表面溅射不同厚度的氧化钨薄膜.利用X射线和扫描电子显微镜表征了材料的成分和结构,结果表明,多孔硅的孔呈柱形有序分布,溅射10min的WO3薄膜是多晶结构,比较松... 利用电化学腐蚀方法制备了n型有序多孔硅,并以此为基底用直流磁控溅射法在其表面溅射不同厚度的氧化钨薄膜.利用X射线和扫描电子显微镜表征了材料的成分和结构,结果表明,多孔硅的孔呈柱形有序分布,溅射10min的WO3薄膜是多晶结构,比较松散地覆盖在整个多孔硅的表面.分别测试了多孔硅和多孔硅基氧化钨在室温条件下对二氧化氮的气敏性能,结果表明,相对于多孔硅,多孔硅基氧化钨薄膜对二氧化氮的气敏性能显著提高.对多孔硅基氧化钨复合结构的气敏机理分析认为,多孔硅和氧化钨薄膜复合形成的异质结对良好的气敏性能起到主要作用,氧化钨薄膜表面出现了反型层引起了气敏响应时电阻的异常变化. 展开更多
关键词 有序多孔硅 氧化钨薄膜 二氧化氮 室温气敏性能
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氧分压对直流磁控溅射氧化钨薄膜结构和组成的影响 被引量：3
7
作者 王美涵 温佳星 +1 位作者 龙海波 侯朝霞 《沈阳大学学报（自然科学版）》 CAS 2015年第2期93-97,共5页
采用直流反应磁控溅射,在不同氧分压条件下制备了氧化钨薄膜,并对薄膜进行了热处理.通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-VIS)等手段表征了氧化钨薄膜的晶体结构、... 采用直流反应磁控溅射,在不同氧分压条件下制备了氧化钨薄膜,并对薄膜进行了热处理.通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-VIS)等手段表征了氧化钨薄膜的晶体结构、表面形貌、化学组成以及透射率.结果表明:沉积所得氧化钨薄膜均为无定形结构,经400℃热处理后转变为单斜晶体结构;薄膜表面形貌受氧分压和热处理影响较大;沉积所得氧化钨薄膜的化学分子式应为WO3-x形式,热处理使得薄膜的成分趋近于WO3;薄膜颜色随着氧分压的增加逐渐变浅,当氧分压达到0.2Pa以上时,薄膜呈现完全透明. 展开更多
关键词 氧化钨薄膜 磁控溅射 氧分压 结构 组成
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磁控溅射沉积气致变色WO_3薄膜研究进展 被引量：3
8
作者 温佳星 王美涵 +4 位作者 彭洋 王新宇 侯朝霞 王少洪 胡小丹 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期57-63,共7页
氧化钨薄膜因其特殊的物理化学性质,在智能窗、传感器等诸多新领域具有广泛的应用前景。为使WO_3薄膜气致变色特性得到良好的应用,需要制备新型纳米结构氧化钨薄膜。磁控溅射是工业制备WO_3薄膜的有效方法之一。掠射角磁控溅射是在传统... 氧化钨薄膜因其特殊的物理化学性质,在智能窗、传感器等诸多新领域具有广泛的应用前景。为使WO_3薄膜气致变色特性得到良好的应用,需要制备新型纳米结构氧化钨薄膜。磁控溅射是工业制备WO_3薄膜的有效方法之一。掠射角磁控溅射是在传统磁控溅射基础上发展的新型薄膜制备技术,通过将衬底倾斜一定角度,可制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构WO_3薄膜。综述了氧分压、溅射功率及热处理等磁控溅射参数对WO_3薄膜组成、形貌、晶体结构等的影响,重点介绍了具有独特优势的掠射角磁控溅射技术,及利用其制备得到的纳米结构WO_3薄膜在智能窗和气体传感器等方面的应用,提出了掠射角磁控溅射制备纳米结构WO_3薄膜存在的问题及未来发展趋势。 展开更多
关键词 WO3薄膜 磁控溅射 掠射角 纳米结构 气致变色
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以聚合物凝胶为电解质的多层全固态电变色器件的研究
9
作者 陈晓峰 胡行方 +1 位作者 李智勇 田静芬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期623-626,共4页
本文在掺LiClO4与碳酸丙烯酯的聚乙二醇固体电解质离子电导特性与WO3、NiO薄膜离子插入性能研究的基础上，设计并制备了互补型WO3／NiO全固态电变色器件．同时研究了该器件变色过程的循环伏安特性与不同状态的可见、近红外透过特性．结... 本文在掺LiClO4与碳酸丙烯酯的聚乙二醇固体电解质离子电导特性与WO3、NiO薄膜离子插入性能研究的基础上，设计并制备了互补型WO3／NiO全固态电变色器件．同时研究了该器件变色过程的循环伏安特性与不同状态的可见、近红外透过特性．结果表明，互补型的WO3/PEG－LiClO4－PC／NiO器件在可见与近红外均具有良好的电变色特性，其漂白态在波长600nm的透过率为70％，着色态为20％． 展开更多
关键词 电解质 电致变色器件 高聚物 凝胶
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晶体硅/氧化钨背异质结太阳电池的制备及性能研究
10
作者 何涛 闫磊 +1 位作者 吕文辉 王行柱 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期852-856,共5页
采用热蒸发法制备了n型晶体硅/氧化钨(WO_(x))异质结,并将其应用于背结太阳电池,研究了不同背电极对电池性能的影响及电池的变温性能。结果表明:相对于背铝电极,背银电极能够有效地提升电池的光电转换性能,最高光电转换效率达到了15.1%... 采用热蒸发法制备了n型晶体硅/氧化钨(WO_(x))异质结,并将其应用于背结太阳电池,研究了不同背电极对电池性能的影响及电池的变温性能。结果表明:相对于背铝电极,背银电极能够有效地提升电池的光电转换性能,最高光电转换效率达到了15.1%。结合Sun-Voc测试,证实通过降低电池串联电阻可使其光电转换效率提升至17.2%。电池的变温性能测试结果表明,其光电转换效率的温度系数为-0.35%/K,相比传统的铝背场晶体硅电池的温度系数降低22%。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 氧化钨薄膜 异质结 串联电阻 温度系数
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