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多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究
被引量：
1
1
作者
何玉娟
罗宏伟
肖庆中
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期501-504,共4页
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。
关键词
静电保护
绝缘层上硅
传输线脉冲测试
栅接地N型金属-氧化层-半导体器件
下载PDF
职称材料
题名
多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究
被引量：
1
1
作者
何玉娟
罗宏伟
肖庆中
机构
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期501-504,共4页
基金
国家预研项目资助项目(51308040403)
文摘
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。
关键词
静电保护
绝缘层上硅
传输线脉冲测试
栅接地N型金属-氧化层-半导体器件
Keywords
electrostatic
protection
silicon-on-insulator
（SO1）
transmission line
pulsing
test
gate
grounded
NMOS
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究
何玉娟
罗宏伟
肖庆中
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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