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题名两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路
被引量：2
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作者
余岳辉
李伟邦
梁琳
尚超
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期3047-3053,共7页
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基金
国家自然科学基金(50907025)
中国博士后科学基金(20080440931)~~
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文摘
为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析。根据实验结果,在主电压10kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0kA的主电流和15μs脉宽下7.5kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545A2·s、426A2·s。实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境。
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关键词
反向导通双晶复合管
半导体开关
磁开关
直接预充
变压器预充
高电压
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Keywords
reversely switched dynistor（RSD）
semiconductor switch
magnetic switch
direct pre-charge
transformer＇s pre-charge
high voltage
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分类号
TN78
[电子电信—电路与系统]
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