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题名衬底温度对ZnO：Al薄膜结构和性能的影响
被引量：5
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作者
徐玮
于军
王晓晶
袁俊明
雷青松
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
湖北省光伏工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期665-668,共4页
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基金
国家自然科学基金重大资助项目(90407023)
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文摘
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明,衬底温度对薄膜结构及光电学性能影响最大。溅射功率120W、衬底温度300℃、工作气压0.6Pa制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为79.49%(考虑衬底的影响,电阻率为4.99×10-2Ω.cm)。
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关键词
磁控溅射
陶瓷靶材
电阻率
透过率
ZAO薄膜
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Keywords
magnetron sputtering
ceramic target
resistivities
tranmisttance
ZnO ： Al film
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分类号
TN305.92
[电子电信—物理电子学]
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题名磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响
被引量：2
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作者
徐玮
于军
王晓晶
袁俊明
雷青松
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
湖北省光伏工程技术研究中心
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期256-259,262,共5页
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基金
国家自然科学基金重大项目(90407023)
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文摘
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明:溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为88.21%、电阻率为8.28×10-4Ω.cm)。
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关键词
磁控溅射
陶瓷靶材
电阻率
透过率
ZnO∶Al薄膜
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Keywords
RF magnetron sputtering
ceramic target
resistivity
tranmisttance
ZnO∶Al films
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分类号
O484.41
[理学—固体物理]
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