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基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
被引量：
9
1
作者
王帆
李豫东
+4 位作者
郭旗
汪波
张兴尧
文林
何承发
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期176-181,共6页
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 kr...
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.
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关键词
互补金属氧化物半导体图像传感器
电离总剂量效应
钳位二极管
满阱容量
下载PDF
职称材料
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
被引量：
3
2
作者
马林东
李豫东(指导)
+3 位作者
郭旗
文林
周东
冯婕
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期309-313,共5页
对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规...
对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。
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关键词
CMOS有源像素传感器
总剂量效应
暗电流
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职称材料
星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应研究
被引量：
2
3
作者
曹中祥
钟红军
+1 位作者
张运方
李全良
《空间控制技术与应用》
CSCD
北大核心
2018年第6期45-50,共6页
对星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应进行研究,机理分析及总剂量试验结果表明像素暗电流及暗电流不一致性随总剂量增加而增加,像素光强响应及满阱容量随总剂量增加而降低.进一步分析得出星敏感器星点定位误差随辐照总剂量增加...
对星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应进行研究,机理分析及总剂量试验结果表明像素暗电流及暗电流不一致性随总剂量增加而增加,像素光强响应及满阱容量随总剂量增加而降低.进一步分析得出星敏感器星点定位误差随辐照总剂量增加而增大,在100krad(Si)总剂量下,星点定位误差相比辐照前增加约3倍.结合器件总剂量效应退化机理,提出星敏感器在轨使用时器件采用增加像素内传输管电荷转移的开启时间、提高传输管的控制电压以及提高像素的复位电压等措施,可以降低由于总剂量效应导致星敏感器的星点定位误差增加.
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关键词
4T像素
CMOS图像传感器
星敏感器
总剂量效应
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职称材料
一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法
4
作者
李艳艳
顾祥
+2 位作者
潘滨
朱少立
吴建伟
《电子与封装》
2015年第5期36-40,共5页
从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结...
从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。
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关键词
SOI器件
SPICE模型参数
总剂量效应
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职称材料
题名
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
被引量：
9
1
作者
王帆
李豫东
郭旗
汪波
张兴尧
文林
何承发
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期176-181,共6页
文摘
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.
关键词
互补金属氧化物半导体图像传感器
电离总剂量效应
钳位二极管
满阱容量
Keywords
complementary
metal
oxide
semiconductor
image
sensor,
total
ionizing
dose
radiation
effect
,pinned
photodiode,
full
well
chargecapacity
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN32 [自动化与计算机技术—控制科学与工程]
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职称材料
题名
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
被引量：
3
2
作者
马林东
李豫东(指导)
郭旗
文林
周东
冯婕
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期309-313,共5页
基金
国家自然科学基金(11675259)；中国科学院青年创新促进会和新疆维吾尔自治区青年科技创新人才培养工程(qn2015yx035)。
文摘
对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。
关键词
CMOS有源像素传感器
总剂量效应
暗电流
Keywords
CMOS
active
pixel
sensor
total
ionizing
dose
radiation
effect
dark
current
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应研究
被引量：
2
3
作者
曹中祥
钟红军
张运方
李全良
机构
北京控制工程研究所
出处
《空间控制技术与应用》
CSCD
北大核心
2018年第6期45-50,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61174004)
装备发展部基金资助项目(41424040204)~~
文摘
对星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应进行研究,机理分析及总剂量试验结果表明像素暗电流及暗电流不一致性随总剂量增加而增加,像素光强响应及满阱容量随总剂量增加而降低.进一步分析得出星敏感器星点定位误差随辐照总剂量增加而增大,在100krad(Si)总剂量下,星点定位误差相比辐照前增加约3倍.结合器件总剂量效应退化机理,提出星敏感器在轨使用时器件采用增加像素内传输管电荷转移的开启时间、提高传输管的控制电压以及提高像素的复位电压等措施,可以降低由于总剂量效应导致星敏感器的星点定位误差增加.
关键词
4T像素
CMOS图像传感器
星敏感器
总剂量效应
Keywords
4T
CMOS
image
sensor
star
tracker
total
ionizing
dose
radiation
effect
分类号
V448.22 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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职称材料
题名
一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法
4
作者
李艳艳
顾祥
潘滨
朱少立
吴建伟
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2015年第5期36-40,共5页
文摘
从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。
关键词
SOI器件
SPICE模型参数
总剂量效应
Keywords
SOI
device
SPICE
model
parameter
total
ionizing
dose
radiation
effect
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究
王帆
李豫东
郭旗
汪波
张兴尧
文林
何承发
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
9
下载PDF
职称材料
2
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
马林东
李豫东(指导)
郭旗
文林
周东
冯婕
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2018
3
下载PDF
职称材料
3
星敏感器用4T像素CMOS图像传感器总剂量效应研究
曹中祥
钟红军
张运方
李全良
《空间控制技术与应用》
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
4
一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法
李艳艳
顾祥
潘滨
朱少立
吴建伟
《电子与封装》
2015
0
下载PDF
职称材料
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