期刊文献+
共找到873篇文章
< 1 2 44 >
每页显示 20 50 100
发光二极管的特性研究 被引量:20
1
作者 蒋芸 鲍丽莎 曹正东 《实验室研究与探索》 CAS 2007年第6期30-33,共4页
通过测量各发光二极管的正向伏安特性以及光谱特性,确定发光二极管的阈值电压和其禁带宽度所对应的电压。测量结果表明阈值电压与禁带宽度所对应电压不相等,对此作了理论分析。并通过测量高亮度和非高亮度发光二极管的发光强度角分布特... 通过测量各发光二极管的正向伏安特性以及光谱特性,确定发光二极管的阈值电压和其禁带宽度所对应的电压。测量结果表明阈值电压与禁带宽度所对应电压不相等,对此作了理论分析。并通过测量高亮度和非高亮度发光二极管的发光强度角分布特性,确定两种发光二极管的半值角和视角。测量结果表明两种发光二极管的半值角皆小于20°,具有很好的指向性。 展开更多
关键词 发光二极管 阈值电压 禁带宽度 半值角 视角
下载PDF
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究 被引量:16
2
作者 张鹤鸣 崔晓英 +2 位作者 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3504-3508,共5页
在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOS... 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高. 展开更多
关键词 应变SiGe SOI MOSFET 阈值电压 模型
原文传递
相位实时检测技术研究 被引量:17
3
作者 郑金菊 余水宝 《电测与仪表》 北大核心 2003年第12期29-32,共4页
本文从门限电压值的选择对信号周期检测精度影响的分析入手,提出了一款基于“过零检测”理论和双CPU的单片机的相位检测技术。该技术具有电路实现简洁、测量精度高、实时性强等优点,在信号测试等应用领域,有较好的参考价值。
关键词 相位 过零检测 门限电压 单片机 测量精度 信号测试
下载PDF
应用于无源RFID标签的CMOS温度传感器 被引量:18
4
作者 李蕾 谢生 黄晓综 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1098-1101,共4页
针对无源RFID标签功耗受限、芯片面积小的特点,采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺设计了一种温度传感器。利用MOS管沟道电流的温度特性,设计了两种带有偏置电流源的延迟单元,通过其相互补偿产生脉冲与温度相关以提取温度信息。设计了后续电... 针对无源RFID标签功耗受限、芯片面积小的特点,采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺设计了一种温度传感器。利用MOS管沟道电流的温度特性,设计了两种带有偏置电流源的延迟单元,通过其相互补偿产生脉冲与温度相关以提取温度信息。设计了后续电路将提取的温度信息转换成数字信号供RFID标签数字控制模块使用。仿真结果表明,当温度范围为-20~80℃时,温度传感器精度为0.8℃;标签芯片供电电压为1.8 V时,传感器芯片总的工作电流为440 nA,标签芯片模拟前端电路总工作电流为5μA。 展开更多
关键词 无源RFID标签 温度传感器 阈值电压 迁移率
下载PDF
基于门限电压法的谐波源定位 被引量:16
5
作者 孙媛媛 李培鑫 尹志明 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2015年第23期145-151,共7页
为确定系统公共耦合点处的主要谐波源,提出一种基于门限电压进行判断的配电系统谐波扰动源定位新方法。门限电压值可基于系统侧等值谐波源和等值阻抗得出,该值对应于系统侧和用户侧发出相等谐波电流的临界状态。通过直接对比系统公共耦... 为确定系统公共耦合点处的主要谐波源,提出一种基于门限电压进行判断的配电系统谐波扰动源定位新方法。门限电压值可基于系统侧等值谐波源和等值阻抗得出,该值对应于系统侧和用户侧发出相等谐波电流的临界状态。通过直接对比系统公共耦合点处所测的谐波电压与门限电压即可判定出主要谐波源的位置。进一步采用基于随机变量协方差特性的系统参数估计法,有效规避了背景谐波波动对估算结果的影响,从而保证了门限电压法的高鲁棒性。仿真分析和实际算例结果均验证了所述方法的有效性。 展开更多
关键词 电能质量 谐波源定位 诺顿等值电路 门限电压
下载PDF
论施密特触发器 被引量:11
6
作者 康裕荣 康向东 《赣南师范学院学报》 2007年第3期65-67,共3页
施密特触发器可以用于波形变换、脉冲整形、脉冲鉴幅.用CMOS反相器构成的施密特触发器中,R1必须小于R2,否则电路将进入自锁状态,不能正常工作.从电压传输特性论述了当R1大于R2时,施密特触发器不具有施密特触发特性,电路不能正常工作.论... 施密特触发器可以用于波形变换、脉冲整形、脉冲鉴幅.用CMOS反相器构成的施密特触发器中,R1必须小于R2,否则电路将进入自锁状态,不能正常工作.从电压传输特性论述了当R1大于R2时,施密特触发器不具有施密特触发特性,电路不能正常工作.论述了用TTL门电路组成的施密特触发器中,在输入端串进的二极管D是减小vO=VOH时门G2的负载电流.说明了同相输出和反相输出施密特触发特性对应的施密特触发器图形符号在输出端的区别. 展开更多
关键词 施密特触发器 阈值电压 电平
下载PDF
悬臂式RF MEMS开关的设计与研制 被引量:9
7
作者 郭方敏 赖宗声 +7 位作者 朱自强 贾铭 初建朋 范忠 朱荣锦 戈肖鸿 杨根庆 陆卫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1190-1195,共6页
介绍了一种制作在低阻硅 (3~ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0~ 4 0 GHz... 介绍了一种制作在低阻硅 (3~ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0~ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4~ 7d B(1~ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。 展开更多
关键词 悬臂梁 插入损耗 隔离度 ANSYS软件 阈值电压
下载PDF
基于孤岛模式直流微电网稳定性控制策略 被引量:13
8
作者 刘晓豪 苗虹 曾成碧 《可再生能源》 CAS 北大核心 2013年第5期29-33,共5页
文章针对不同类型的微电源,在孤岛运行时对负荷变化敏感、抗扰动能力弱等问题,提出对本地节点电压和母线电压的分段控制策略。分析了直流微电网的动态运行特点,并据此设立电压的稳定性阈值。以随机性输出电源和储能设备作为互补性单元,... 文章针对不同类型的微电源,在孤岛运行时对负荷变化敏感、抗扰动能力弱等问题,提出对本地节点电压和母线电压的分段控制策略。分析了直流微电网的动态运行特点,并据此设立电压的稳定性阈值。以随机性输出电源和储能设备作为互补性单元,与确定性可控电源在不同暂态状况下共同对系统电压进行协调控制,实现其离网状态功率的平衡恢复及整体稳定。利用Matlab/Simulink建立仿真模型,仿真结果表明了此控制策略的有效性。 展开更多
关键词 直流微电网 孤岛模式 稳定性阈值 电压控制
下载PDF
二极管伏安特性曲线测试电路的改进 被引量:12
9
作者 邵建新 《物理实验》 北大核心 2002年第3期42-43,共2页
指出了文献中所给出的伏安法测二极管特性曲线电路存在的问题 。
关键词 二极管 伏安特性 阈值电压 测试电路
下载PDF
纳米碳管阵列场增强因子的计算 被引量:9
10
作者 王淼 尚学府 +2 位作者 李振华 王新庆 徐亚伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期797-802,共6页
采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结果做了修正.结果表明:纳米碳管阵列的间距对纳米碳管阵列的场发射性能影响很大.当纳米碳管阵列中碳管间... 采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结果做了修正.结果表明:纳米碳管阵列的间距对纳米碳管阵列的场发射性能影响很大.当纳米碳管阵列中碳管间距小于碳管高度时,场增强因子随间距的减小而急剧减小;而当碳管间距显著大于碳管高度时,场增强因子几乎不变.但当考虑阴阳极之间单位面积通过的场发射电流时,可论证当管间距与管高度相若时,能使场发射电流密度最佳(最大).另外,极板间距对场增强因子的影响很小,但是可以通过减小极板间距,来降低纳米碳管作为场发射体的场发射的开启电压,优化纳米碳管的场发射性能. 展开更多
关键词 纳米碳管阵列 场增强因子 开启电压
原文传递
低阈值电压聚合物分散性液晶膜的电光特性 被引量:12
11
作者 刘国柱 黄子强 +3 位作者 杨文君 夏都灵 张翠玉 康桂珍 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期383-388,共6页
采用聚合物诱导相分离(PIPS)方法制备了PDLC膜,研究了不同单体材料、温度、光强等对PDLC膜电光特性的影响。发现Bi-EMA-2和EHMA混合单体(质量组分为1∶9)与液晶C70/02CN在折射率方面匹配较好,且在偏光显微镜下液晶微滴与聚合物单体的晶... 采用聚合物诱导相分离(PIPS)方法制备了PDLC膜,研究了不同单体材料、温度、光强等对PDLC膜电光特性的影响。发现Bi-EMA-2和EHMA混合单体(质量组分为1∶9)与液晶C70/02CN在折射率方面匹配较好,且在偏光显微镜下液晶微滴与聚合物单体的晶相边界清晰,易制备成对比度较高、阈值电压和饱和驱动电压较低的PDLC膜。温度和光强是控制和维持液晶与单体之间相分离速度平衡的重要工艺因素,直接影响到相分离过程中的液晶微滴形貌尺寸及其分布均一性,进而影响PDLC膜电光性能的优劣。通过工艺条件的优化,最终制备出了阈值电压为0.18 V/μm、饱和驱动电压为0.4 V/μm的PDLC膜。 展开更多
关键词 聚合物分散性液晶 相分离 形貌 阈值电压
下载PDF
高压IGBT串联均压控制电路阈值电压设计方法 被引量:11
12
作者 于华龙 鲁挺 +2 位作者 姬世奇 袁立强 赵争鸣 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期1357-1365,共9页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件具有耐压高、开关速度快、易驱动等优点,在电力电子变换器中应用广泛。然而目前单个IGBT器件的电压等级与容量不能满足大容量变换器的需求。应用高压IGBT串联技术是提... 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件具有耐压高、开关速度快、易驱动等优点,在电力电子变换器中应用广泛。然而目前单个IGBT器件的电压等级与容量不能满足大容量变换器的需求。应用高压IGBT串联技术是提升电力电子变换器电压等级与容量的一种有效方法。高压IGBT串联技术的关键问题是保证瞬态过程中的电压均衡。门极均压控制电路可以有效抑制串联IGBT的瞬态电压不均衡。该文介绍了一种门极均压控制电路的工作原理,综合考虑开关瞬态过程中换流回路杂散参数与续流二极管正向恢复特性的影响,提出了该电路的关键参数阈值电压的设计方法,可应用于多电平、多管串联的电力电子变换器系统中,并通过实验对该设计方法的实用性进行了验证。 展开更多
关键词 均压控制电路 高压IGBT 串联 阈值电压 电压平衡
下载PDF
一种基于内部迟滞比较器的新型RC振荡器 被引量:11
13
作者 李展 冯炳军 《电子器件》 CAS 2009年第1期41-44,48,共5页
提出并设计了一种新型RC振荡器,采用3.3 V CMOS工艺实现。与传统的基于外部迟滞比较器的原理不同,该RC振荡器巧妙地基于内部正反馈的迟滞比较器设计而成。它具有电路结构简单,芯片面积小,成本低廉的优点,而且可以根据不同的控制信号,工... 提出并设计了一种新型RC振荡器,采用3.3 V CMOS工艺实现。与传统的基于外部迟滞比较器的原理不同,该RC振荡器巧妙地基于内部正反馈的迟滞比较器设计而成。它具有电路结构简单,芯片面积小,成本低廉的优点,而且可以根据不同的控制信号,工作于高频2.5 MHz或低频135 kHz。仿真结果表明,该电路符合设计指标。 展开更多
关键词 RC振荡器 迟滞比较器 正反馈 翻转阈值 CMOS
下载PDF
等离子体点火器设计及其放电特性研究 被引量:10
14
作者 于锦禄 何立明 +3 位作者 丁未 张倩 胡雅骥 李晓庆 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期396-401,共6页
基于等离子体放电理论,设计了3种不同形式的等离子体点火器:环形等离子体点火器、碟形等离子体点火器和圆柱等离子体点火器。对于不同的等离子体点火器,研究了在电源激励形式、电压、气体压力变化时的点火器放电特性,并将等离子体点火... 基于等离子体放电理论,设计了3种不同形式的等离子体点火器:环形等离子体点火器、碟形等离子体点火器和圆柱等离子体点火器。对于不同的等离子体点火器,研究了在电源激励形式、电压、气体压力变化时的点火器放电特性,并将等离子体点火器与普通火花塞点火器的点火进行了对比分析。结果表明:设计的3种等离子体点火器能够有效地产生等离子体放电流注;随着放电环境的空气气压的逐渐升高,等离子体点火器的临界放电电压不断增大;在低气压时,击穿阈值电压随气压增加呈线性上升,基本符合帕邢定律的放电公式,在高气压时,放电阈值电压会偏离帕邢定律。 展开更多
关键词 等离子体点火 火花塞点火 放电特性 阈值电压
下载PDF
改进的测二极管伏安特性的电路 被引量:10
15
作者 唐恒阳 《大学物理》 2000年第8期31-32,共2页
指出了某普通物理实验教材中所给出的伏安法测二极管特性的电路所存在的问题 。
关键词 二极管 伏安特性 伏安法 阈值电压 电路
下载PDF
4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析 被引量:10
16
作者 徐静平 李春霞 吴海平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2918-2923,共6页
通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiCn-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特性的影响及其最佳取值.
关键词 4H-SIC 迁移率 阈值电压 高温电特性 MOSFET制备工艺
原文传递
纳米集成电路静态功耗机理及低功耗设计技术 被引量:8
17
作者 徐懿 李丽 +2 位作者 高明伦 黄壮雄 杨盛光 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第5期184-188,192,共6页
对当前纳米级低功耗设计中静态功耗的产生机理以及各种降低漏电流功耗的电路设计理论及其特点做详细的论述,以期为相关研究、设计人员提供有益参考。
关键词 低功耗设计 阈值电压 堆垛效应
下载PDF
基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究 被引量:9
18
作者 刘宾礼 肖飞 +2 位作者 罗毅飞 汪波 熊又星 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第16期183-193,共11页
提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能... 提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。 展开更多
关键词 IGBT芯片性能退化 阈值电压 集电极漏电流 健康状态监测方法
下载PDF
LEO航天器高压大功率太阳电池阵静电放电试验与分析 被引量:9
19
作者 朱立颖 乔明 +1 位作者 刘业楠 陈琦 《航天器工程》 北大核心 2015年第4期65-70,共6页
为了避免低地球轨道(LEO)航天器的高压大功率太阳电池阵与等离子体相互作用而发生静电放电(ESD)现象,导致太阳电池阵弧光放电引起太阳电池阵失效,须要确定高压大功率太阳电池阵产生一次放电和二次放电的电压阈值。文章模拟LEO真空等离... 为了避免低地球轨道(LEO)航天器的高压大功率太阳电池阵与等离子体相互作用而发生静电放电(ESD)现象,导致太阳电池阵弧光放电引起太阳电池阵失效,须要确定高压大功率太阳电池阵产生一次放电和二次放电的电压阈值。文章模拟LEO真空等离子环境,采用刚性基板三结砷化镓太阳电池试件,试验研究了LEO条件下发生一次放电和二次放电的电压阈值。试验结果表明:试件发生一次放电的电压阈值为95V;在提高电池串间隙时,发生二次放电的电压阈值由120V提高到145V。分析一次放电和二次放电的产生原因可知:一次放电主要发生在三交结区;二次放电是由电子轰击产生的,2.0mm间隙可以有效提高二次放电电压阈值。此研究结果可为LEO高压大功率太阳电池阵的设计提供参考。 展开更多
关键词 低地球轨道航天器 太阳电池阵 静电放电 电压阈值
下载PDF
包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型 被引量:9
20
作者 马玉涛 李志坚 刘理天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期219-224,共6页
量子力学效应对于深亚微米 MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著 .实验结果表明 :量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移 .本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了 MO... 量子力学效应对于深亚微米 MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著 .实验结果表明 :量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移 .本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了 MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性 .在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上 ,提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念 ,分析了载流子在子带中的分布情况 ,讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素 ,并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型 .该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质 。 展开更多
关键词 MOS器件 多子带结构 量子力学效应 修正模型
下载PDF
上一页 1 2 44 下一页 到第
使用帮助 返回顶部