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题名基于IGCT串联的三电平高压变频器直流环节研究
被引量：12
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作者
李国栋
毛承雄
陆继明
崔艳艳
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机构
华中科技大学电气与电子工程学院
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2007年第1期82-87,共6页
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基金
新世纪优秀人才支持计划。
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文摘
将IGCT串联技术应用于中性点箝位型三电平高压大功率变频器,研究了变频器直流环节(包括限流电感、箝位电容及限流电阻)对变频器安全运行的影响。通过分析三电平结构的开关暂态过程,建立了变频器暂态开关数学模型,并设计了直流环节部分的限流电抗。在综合考虑三电平的开关过程、直流限流电感的大小及IGCT过压能力的基础上,研究了直流箝位电容对变频器逆变侧持续性直流电压的影响,并推导了直流箝位电容及限流电阻的设计要求。基于PDPWM调制方式,分析了限流电阻对死区时间、最小脉宽及开关频率对开通及关断di/dt的影响,并基于IGCT5SHX14H4502文中设计了6kV、2.5MW二极管箝位型三电平中压变频器直流环节,并通过了6kV高压试验的检验,仿真结果验证了所选参数的有效性。
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关键词
开关频率
IGCT
中点钳位
三电平
直流环节
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Keywords
switching frequency
IGCT
neutral point clamped
MVDs
three-level： dc-link
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分类号
TM76
[电气工程—电力系统及自动化]
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