-
题名常压CVD法制备氮氧化硅薄膜沉积特性的研究
被引量：2
- 1
-
-
作者
丁新更
杨辉
孟祥森
-
机构
浙江大学纳米科学与技术中心硅材料科学国家重点实验室
浙江省建筑科学设计研究院
-
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第11期1086-1090,共5页
-
基金
浙江省重大科技计划资助项目(0221101562)
-
文摘
采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。
-
关键词
常压化学气相沉积
氮氧化硅
薄膜
三维成核
APCVD
-
Keywords
chemical vapor deposition
silicon oxynitride
thin film
three-dimension nucleation
-
分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
TN304.055
-
