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砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理研究
被引量：
15
1
作者
李长河
蔡光起
+2 位作者
李琦
修世超
刘枫
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第23期2116-2120,共5页
基于磨粒特征尺寸与砂轮、工件间液膜厚度比值的变化,研究了砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理。分析了在两体加工及三体加工模式条件下,单颗磨粒运动特点以及磨粒由两体研磨加工向三体抛光加工转变的临界条件。实验证明,砂轮...
基于磨粒特征尺寸与砂轮、工件间液膜厚度比值的变化,研究了砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理。分析了在两体加工及三体加工模式条件下,单颗磨粒运动特点以及磨粒由两体研磨加工向三体抛光加工转变的临界条件。实验证明,砂轮约束磨粒喷射光整加工中,随着加工循环的增加,工件表面微观形貌变化规律与理论分析相同,实验结果和理论分析吻合很好。
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关键词
砂轮约束
游离磨粒
材料去除机理
两体研磨加工
三体抛光加工
磨粒喷射加工
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职称材料
三体抛光过程中单晶硅内纳米裂纹的演化研究
被引量：
1
2
作者
周玉琪
戴厚富
周林莉
《组合机床与自动化加工技术》
北大核心
2020年第8期74-78,共5页
抛光过程中纳米裂纹的演变对工件质量有重要影响。为了探究三体抛光过程中纳米裂纹的演化情况,建立了分子动力学(MD)模型和理论计算模型,研究了纳米裂纹的演化过程以及初始温度对裂纹演化的影响。研究发现仿真和计算结果吻合较好,且裂...
抛光过程中纳米裂纹的演变对工件质量有重要影响。为了探究三体抛光过程中纳米裂纹的演化情况,建立了分子动力学(MD)模型和理论计算模型,研究了纳米裂纹的演化过程以及初始温度对裂纹演化的影响。研究发现仿真和计算结果吻合较好,且裂纹倾向于闭合而不是扩展。仿真表明,裂纹愈合有两种不同的方式:原子的协同位移和相变原子的填充。此外,初始温度变化会影响原子的相变和裂纹的最终愈合效果。计算表明,抛光过程中沿裂纹线存在明显的应力分布不均,理论计算得到的应力能很好地解释裂纹在模拟过程中的愈合过程。研究结果可为少缺陷单晶硅的制备提供有益的指导。
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关键词
纳米裂纹
单晶硅
分子动力学模拟
理论计算
三体抛光
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职称材料
双磨粒抛光单晶Si的分子动力学模拟
被引量：
1
3
作者
岳海霞
戴厚富
+1 位作者
胡洋
周玉琪
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期370-378,共9页
目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度...
目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况。结果对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516。随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加。仿真结果还表明,单晶Si相变原子的种类和数目随磨粒横向间距的增加而增加,随着纵向间距的增加反而减少。系统的初始温度设为298 K,抛光深度为1 nm时,抛光完成时的温度是456 K,而抛光深度为3 nm时,温度是733 K。抛光完成时,纵向组和横向组的温度仅相差30~40 K。在抛光深度、横向间距和纵向间距3个对照组中,抛光深度对亚表面损伤的影响最大。抛光深度为3 nm时,亚表面的损伤深度最大,从而导致更多的材料从单晶Si工件表面去除。结论双磨粒的抛光深度和间距不仅对硅的表面微观结构产生影响,还对相变产生影响。模拟参数相同时,较大的抛光深度和横向间距下会产生更多的相变原子,因此相变受抛光深度的影响最大,受纵向间距的影响最小。
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关键词
单晶Si
双磨粒
三体磨粒抛光
去除机理
分子动力学
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职称材料
题名
砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理研究
被引量：
15
1
作者
李长河
蔡光起
李琦
修世超
刘枫
机构
东北大学
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第23期2116-2120,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50475052)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20040145001)
文摘
基于磨粒特征尺寸与砂轮、工件间液膜厚度比值的变化,研究了砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理。分析了在两体加工及三体加工模式条件下,单颗磨粒运动特点以及磨粒由两体研磨加工向三体抛光加工转变的临界条件。实验证明,砂轮约束磨粒喷射光整加工中,随着加工循环的增加,工件表面微观形貌变化规律与理论分析相同,实验结果和理论分析吻合很好。
关键词
砂轮约束
游离磨粒
材料去除机理
两体研磨加工
三体抛光加工
磨粒喷射加工
Keywords
grinding
wheel
as
restraint
loose
particle
material
removal
mechanism
two-
body
lapping
three
-
body
polishing
abrasive
jet
machining
分类号
TG580 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
下载PDF
职称材料
题名
三体抛光过程中单晶硅内纳米裂纹的演化研究
被引量：
1
2
作者
周玉琪
戴厚富
周林莉
机构
贵州大学机械工程学院
国网湖北直流运检公司
出处
《组合机床与自动化加工技术》
北大核心
2020年第8期74-78,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51675172)
中国博士后科学基金(2019M662765)
贵州省科学技术基金一般项目(黔科合基础[2020]1Y227)。
文摘
抛光过程中纳米裂纹的演变对工件质量有重要影响。为了探究三体抛光过程中纳米裂纹的演化情况,建立了分子动力学(MD)模型和理论计算模型,研究了纳米裂纹的演化过程以及初始温度对裂纹演化的影响。研究发现仿真和计算结果吻合较好,且裂纹倾向于闭合而不是扩展。仿真表明,裂纹愈合有两种不同的方式:原子的协同位移和相变原子的填充。此外,初始温度变化会影响原子的相变和裂纹的最终愈合效果。计算表明,抛光过程中沿裂纹线存在明显的应力分布不均,理论计算得到的应力能很好地解释裂纹在模拟过程中的愈合过程。研究结果可为少缺陷单晶硅的制备提供有益的指导。
关键词
纳米裂纹
单晶硅
分子动力学模拟
理论计算
三体抛光
Keywords
nano-crack
monocrystalline
silicon
molecular
dynamics
simulation
theoretical
calculation
three
-
body
polishing
分类号
TH16 [机械工程—机械制造及自动化]
TG65 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
双磨粒抛光单晶Si的分子动力学模拟
被引量：
1
3
作者
岳海霞
戴厚富
胡洋
周玉琪
机构
贵州大学
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期370-378,共9页
基金
贵州省研究生科研基金立项课题(黔教合YJSCXJH[2020]052)
贵州省科学技术基金一般项目(JC[2020]1Y227)
+2 种基金
教育部重点实验室开放基金(KY[2019]042)
中国博士后科学基金(2019M662765)
国家自然科学基金面上项目(51675172)。
文摘
目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况。结果对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516。随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加。仿真结果还表明,单晶Si相变原子的种类和数目随磨粒横向间距的增加而增加,随着纵向间距的增加反而减少。系统的初始温度设为298 K,抛光深度为1 nm时,抛光完成时的温度是456 K,而抛光深度为3 nm时,温度是733 K。抛光完成时,纵向组和横向组的温度仅相差30~40 K。在抛光深度、横向间距和纵向间距3个对照组中,抛光深度对亚表面损伤的影响最大。抛光深度为3 nm时,亚表面的损伤深度最大,从而导致更多的材料从单晶Si工件表面去除。结论双磨粒的抛光深度和间距不仅对硅的表面微观结构产生影响,还对相变产生影响。模拟参数相同时,较大的抛光深度和横向间距下会产生更多的相变原子,因此相变受抛光深度的影响最大,受纵向间距的影响最小。
关键词
单晶Si
双磨粒
三体磨粒抛光
去除机理
分子动力学
Keywords
single
crystal
Si
double
abrasive
three
-
body
abrasive
polishing
removal
mechanism
molecular
dynamics
分类号
TG580 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
砂轮约束磨粒喷射精密光整加工材料去除机理研究
李长河
蔡光起
李琦
修世超
刘枫
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
15
下载PDF
职称材料
2
三体抛光过程中单晶硅内纳米裂纹的演化研究
周玉琪
戴厚富
周林莉
《组合机床与自动化加工技术》
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
3
双磨粒抛光单晶Si的分子动力学模拟
岳海霞
戴厚富
胡洋
周玉琪
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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