基于薄膜电阻的风动压检测系统 被引量：2

1

作者 田俊琦 秦会斌 华咏竹 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第5期111-113,共3页

针对风动压检测,提出一种基于薄膜电阻检测风动压的方法。根据热平衡方程将薄膜电阻阻值转换成空气流速,风动压可通过伯努利方程转换空气流速获得。利用数字滤波去除采集到的异常数据,结合施密斯补偿去除传感器检测过程中的延迟,从而得... 针对风动压检测,提出一种基于薄膜电阻检测风动压的方法。根据热平衡方程将薄膜电阻阻值转换成空气流速,风动压可通过伯努利方程转换空气流速获得。利用数字滤波去除采集到的异常数据,结合施密斯补偿去除传感器检测过程中的延迟,从而得到准确可靠的风动压数据。试验表明:本文提出的基于薄膜电阻的风动压检测系统能够检测到空气流速和风动压,可以广泛运用于工业、农业、风速风压测量等研究领域。 展开更多

关键词 薄膜电阻 热平衡方程 伯努利方程 风动压 施密斯补偿

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金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用 被引量：2

2

作者 毛大立 张澜庭 +2 位作者 夏年生 毛立忠 吴建生 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期123-126,共4页

研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用．用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和镍的硅化物，作为溅射沉积电阻薄膜的溅射阴极靶材．发现随着硅含量的增加，溅射得到的薄膜电阻值变大，Ｓｉ含量在５０％（质量分数）以上时，溅射阴极... 研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用．用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和镍的硅化物，作为溅射沉积电阻薄膜的溅射阴极靶材．发现随着硅含量的增加，溅射得到的薄膜电阻值变大，Ｓｉ含量在５０％（质量分数）以上时，溅射阴极靶材的组成由ＣｒＳｉ２，ＮｉＳｉ两相变成Ｓｉ，ＣｒＳｉ２和ＮｉＳｉ２三相．所研制的三种型号的溅射阴极靶材适用于不同电阻值范围的电阻薄膜的溅射沉积，可在金属膜和金属氧化膜电阻器上应用． 展开更多

关键词 硅化物 靶 溅射 薄膜电阻

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高温高湿环境下镍铬合金薄膜电阻器失效分析 被引量：1

3

作者 蔡亚丽 刘丽霞 +6 位作者 戴文斌 俞亮 岳文锋 张冲 郭全胜 贾婷婷 于淑会 《集成技术》 2022年第5期88-98,共11页

在85℃和85%相对湿度的环境下,对镍铬(Ni-Cr)合金薄膜电阻器进行带载老化试验(“双85”老化试验),测试其老化试验3 000 h后的可靠性。测试结果显示,在“双85”老化试验环境下,薄膜电阻器进行老化试验后,表现出两种失效模式:阻值漂移和... 在85℃和85%相对湿度的环境下,对镍铬(Ni-Cr)合金薄膜电阻器进行带载老化试验(“双85”老化试验),测试其老化试验3 000 h后的可靠性。测试结果显示,在“双85”老化试验环境下,薄膜电阻器进行老化试验后,表现出两种失效模式:阻值漂移和开路。该文进一步对两种失效模式的失效机理进行分析,阐明了失效的原因。针对失效的薄膜电阻,采用3D共聚焦激光显微镜、扫描电子显微镜、X射线能谱仪和聚焦离子束等分析手段进行检测,检测结果显示,薄膜电阻器的端电极处出现开裂。进一步对失效部位进行分析发现,电极层除开裂等明显问题外,还出现了银电极被硫化腐蚀的情况。 展开更多

关键词 NI-CR合金 薄膜电阻器 “双85”老化试验 失效模式

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2-6 GHz宽带微带均衡器设计与实现 被引量：2

4

作者 夏祖学 何坤林 何杨 《西南科技大学学报》 CAS 2020年第1期70-74,共5页

较好的性能、更小的尺寸、更低的成本,已经成为宽带微波组件必须满足的基本要求。微带幅度均衡器可以有效改善宽带功率放大器的增益平坦度,使其满足指标要求。利用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振器,结合ADS软件与HFSS软件联合仿真... 较好的性能、更小的尺寸、更低的成本,已经成为宽带微波组件必须满足的基本要求。微带幅度均衡器可以有效改善宽带功率放大器的增益平坦度,使其满足指标要求。利用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振器,结合ADS软件与HFSS软件联合仿真设计了2~6 GHz的紧凑的微带宽带均衡器,并制作了实物,实测和仿真结果基本一致,从而证明了设计方法的有效性。 展开更多

关键词 宽带幅度均衡器 微带谐振器 开路枝节 薄膜电阻 协同仿真

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基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器 被引量：2

5

作者 王斌 田兵 汪春霆 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期114-119,共6页

单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频... 单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值. 展开更多

关键词 KA频段 功率分配/合成器 波导E-T结 薄膜电阻

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方便、廉价的高稳定微带电路铬薄膜电阻 被引量：1

6

作者 陈志一 《现代雷达》 CSCD 1992年第3期72-75,108,共5页

本文通过理论分析和实验获得了蒸发低电阻温度系数铬薄膜电阻的最佳工艺。文章认为在微带电路中用铬薄膜电阻取代钽膜电阻,具有工艺简单、重复性好等优点,这不仅节约了贵重材料,缩短了工艺流程,而且阻值范围宽,应用范围更广。因此,对微... 本文通过理论分析和实验获得了蒸发低电阻温度系数铬薄膜电阻的最佳工艺。文章认为在微带电路中用铬薄膜电阻取代钽膜电阻,具有工艺简单、重复性好等优点,这不仅节约了贵重材料,缩短了工艺流程,而且阻值范围宽,应用范围更广。因此,对微带电路中薄膜电阻的生产来说是一项有意义的改革。 展开更多

关键词 薄膜电阻 温度系数 微带电路

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印制电路板中隐埋薄膜电阻耐受ESD能力的研究 被引量：1

7

作者 方军良 陈小飞 时睿智 《电子工艺技术》 2016年第4期205-209,224,共6页

分析了常见的电子产品或设备和电子元器件的ESD静电放电模拟测试标准,将二者进行了对比,并提出了测试印制电路板中隐埋薄膜电阻的ESD静电放电模拟测试方法。通过实验,研究了隐埋薄膜电阻材料的方阻、电阻宽度、电阻长度/宽度(长宽比)、... 分析了常见的电子产品或设备和电子元器件的ESD静电放电模拟测试标准,将二者进行了对比,并提出了测试印制电路板中隐埋薄膜电阻的ESD静电放电模拟测试方法。通过实验,研究了隐埋薄膜电阻材料的方阻、电阻宽度、电阻长度/宽度(长宽比)、电阻形状以及ESD静电放电模拟测试设备对印制电路板中隐埋薄膜电阻的耐受ESD能力的影响,并通过功率分析,探讨了产生这些影响的机制。另外,还通过对ESD静电放电模拟测试失效样品的分析,研究了印制电路板中隐埋薄膜电阻ESD失效机理。 展开更多

关键词 ESD 静电放电 隐埋电阻 薄膜电阻

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LCP柔性基板的薄膜电阻制作技术 被引量：1

8

作者 丁蕾 罗燕 +2 位作者 刘凯 陈韬 王立春 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第2期170-176,共7页

针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体预处理方式对LCP表面形貌和LCP表面薄膜金属膜层附着强度的影响,进一步研究溅射气压和氮气体积分数等参数... 针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体预处理方式对LCP表面形貌和LCP表面薄膜金属膜层附着强度的影响,进一步研究溅射气压和氮气体积分数等参数对电阻性能的影响,考察LCP柔性基板上的TaN薄膜电阻精度及电阻温度系数(TCR),并制备出50Ω的薄膜电阻。结果表明:当射频功率为300 W的氧等离子体预处理600 s时,LCP表面的面粗糙度低,LCP基板表面薄膜金属膜层附着强度高,其值>5.0 N/mm^(2);当溅射功率为400 W、氮气体积分数为3%、溅射气压为0.2 Pa时,制备的TaN薄膜电阻的阻值精度高,阻值精度≤±4%,TCR电阻稳定性能好。 展开更多

关键词 液晶聚合物(LCP)柔性基板 TAN 薄膜电阻 电阻温度系数(TCR) 膜层附着强度 电阻精度

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应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究 被引量：1

9

作者 田建柏 熊兵 +3 位作者 王健 蔡鹏飞 孙长征 罗毅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-108,共4页

设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／N... 设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz． 展开更多

关键词 高速热沉 电吸收调制器 共面波导传输线 薄膜电阻 阻抗匹配

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一种四象限14位乘法型D/A转换器设计

10

作者 雷郎成 罗雁心 +5 位作者 刘虹宏 杜宇彬 高炜褀 张俊 吴秋霞 付东兵 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第4期572-576,共5页

设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.... 设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.5 LSB以内,INL在±0.8 LSB以内。该D/A转换器适用于工业控制、仪器仪表等领域。 展开更多

关键词 乘法型D/A转换器 电流模R-2R电阻网络 薄膜电阻 激光修调

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一种测量薄膜电阻器微弱噪声的放大电路设计 被引量：1

11

作者 吴晟 梁津津 +1 位作者 兰卉 刘宁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第3期62-66,共5页

针对薄膜电阻器微弱噪声信号的检测,设计了一种实用化的基于AD797集成运放芯片的低噪声放大电路。同时,在电路形式设计和器件选择两方面论述了放大电路设计要点,并在实验和理论的基础上分别进行了电路性能的验证和探测下限的讨论。实验... 针对薄膜电阻器微弱噪声信号的检测,设计了一种实用化的基于AD797集成运放芯片的低噪声放大电路。同时,在电路形式设计和器件选择两方面论述了放大电路设计要点,并在实验和理论的基础上分别进行了电路性能的验证和探测下限的讨论。实验结果表明:电路在10 Hz^10 MHz宽频带内的放大增益为1 210倍;电路在100Hz输出的噪声功率谱密度仅为3.12×10–18 V2·Hz–1。 展开更多

关键词 薄膜电阻器 微弱信号 放大电路 噪声测量 热噪声 1/f噪声

原文传递

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉 被引量：1

12

作者 熊兵 王健 +3 位作者 蔡鹏飞 田建柏 孙长征 罗毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期2001-2005,共5页

提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了... 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件. 展开更多

关键词 宽带硅基过渡热沉 高速电吸收调制器 高阻率硅衬底 低损耗共面波导 薄膜电阻

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版图设计导致薄膜电阻率不均匀性的研究

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作者 韦柳青 刘欣 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第5期24-29,共6页

在薄膜混合集成电路的制作过程中,由于基片布线版图设计的电阻面积与导线面积的比例失调,薄膜电阻因受工艺加工过程中发烟硝酸去胶和热处理的影响而出现严重的电阻值不成比例偏离效应。这主要体现在R_□值随该电阻所连金属面积与该电阻... 在薄膜混合集成电路的制作过程中,由于基片布线版图设计的电阻面积与导线面积的比例失调,薄膜电阻因受工艺加工过程中发烟硝酸去胶和热处理的影响而出现严重的电阻值不成比例偏离效应。这主要体现在R_□值随该电阻所连金属面积与该电阻面积比例的增大而增大。 展开更多

关键词 混合集成电路 薄膜电阻 电阻网络

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基于RC网络集成电路的多晶硅薄膜电阻工艺优化

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作者 万鹏程 刘世龙 孙芳魁 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2008年第5期50-53,共4页

介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POC l3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵... 介绍基于RC[1]网络集成电路中的制作多晶硅电阻工艺和掺杂方法,并详细阐述了这种方法的工艺过程和控制方式.利用LPCVD方式制作多晶硅薄膜,可以得到很好的膜层均匀性和最佳的淀积速率,再利用POC l3进行高温掺杂[2],得到优化的电阻率,灵活改变各种参数,可使电阻的精度优于5%. 展开更多

关键词 多晶硅 RC网络 掺杂工艺 薄膜电阻

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镍铬合金靶材裂纹产生原因分析

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作者 黄伟嘉 陈远星 +1 位作者 刘志坚 黄中越 《南方金属》 CAS 2015年第4期4-6,共3页

研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因.通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测,认为夹杂物是产生裂纹的主要因素,并通过加强对入炉料的清理和改进冶炼工艺等措施,减少和避免废品出现,改善材料质量,提高... 研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因.通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测,认为夹杂物是产生裂纹的主要因素,并通过加强对入炉料的清理和改进冶炼工艺等措施,减少和避免废品出现,改善材料质量,提高产品成材率,增强产品市场竞争力. 展开更多

关键词 薄膜电阻 镍铬合金 溅射靶材 夹杂物 裂纹

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一种精密波形发生器

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作者 殷登国 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第4期13-18,共6页

本文介绍了一种精密波形发生器的工作原理、电路设计、版图设计和制作工艺。该电路采用了模拟实验确定的优化单元电路结构,进行了计算机功能模拟,选用了合理的元件和版图布局,采用了对通隔离技术,并运用了肖特基势垒二极管和薄膜电阻等... 本文介绍了一种精密波形发生器的工作原理、电路设计、版图设计和制作工艺。该电路采用了模拟实验确定的优化单元电路结构,进行了计算机功能模拟,选用了合理的元件和版图布局,采用了对通隔离技术,并运用了肖特基势垒二极管和薄膜电阻等工艺。研制的电路功能多、性能良好,可广泛应用于计算机、自动控制、通信和测量等领域。 展开更多

关键词 波形发生器 薄膜电阻 双极电路

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用溅射法制备混合集成电路中的Cr·SiO薄膜电阻器

17

作者 王军峰 殷小莉 陈福山 《电子元器件应用》 2002年第8期46-47,58,共3页

介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片,并已投入批量生产。

关键词 Ci·SiO薄膜电阻器 混合集成电路 溅射 TCR

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军用内调式四象限精密乘法器电路的设计

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作者 钟咏梅 范振国 阎汉民 《电子元器件应用》 2004年第11期4-6,共3页

介绍内调式四象限精密乘法器电路的线路设计、版图设计、工艺设计及关键技术。着重介绍线路设计和版图设计的特点及四象限乘法器的功能。

关键词 四象限乘法 激光微调 薄膜电阻器 设计

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一种新型E面功率合成器

19

作者 常坚 汤袁亮 靳连根 《舰船电子对抗》 2020年第1期113-116,共4页

介绍了一种新型的E面X波段宽带功率合成器,包含T型波导、波导阻抗变换段、渐变段阻抗匹配结构。通过HFSS仿真,得到8~10 GHz范围内,该合成器的驻波比小于1.3,插入损耗小于0.3 dB,相邻端口之间的隔离度大于20 dB。该合成器结合了四端口合... 介绍了一种新型的E面X波段宽带功率合成器,包含T型波导、波导阻抗变换段、渐变段阻抗匹配结构。通过HFSS仿真,得到8~10 GHz范围内,该合成器的驻波比小于1.3,插入损耗小于0.3 dB,相邻端口之间的隔离度大于20 dB。该合成器结合了四端口合成网络的优点:频率宽、插损小、驻波小、隔离度好、尺寸小,适合集成在功率收发组件内部作为合成网络使用。 展开更多

关键词 功率合成器 E面合成器 薄膜电阻

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一种32MHz低温漂高精度张弛型振荡器的设计

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作者 梁国辉 《集成电路应用》 2024年第6期6-7,共2页

阐述基于0.18μmCMOS工艺设计的一种低温漂张弛型振荡器。该张弛型振荡器在使用平均周期反馈控制的基础上采用金属薄膜电阻和金属-绝缘体-金属电容作为振荡单元,可以实现温度从-40~125℃变化时1%的频率漂移。

关键词 张弛型振荡器 高精度 低温漂 金属薄膜电阻

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