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薄膜生长中的表面动力学(Ⅰ) 被引量:92
1
作者 王恩哥 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第1期1-61,共61页
本文较全面地从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现 ,涉及的内容包括亚单层生长时 ,原子在表面上的扩散 ,粘接 ,成核 ,以及已经形成的原子岛之间的相互作用 ,兼并 ,失稳 ,退化等一系列过程。作为研究的基础 ,在本... 本文较全面地从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现 ,涉及的内容包括亚单层生长时 ,原子在表面上的扩散 ,粘接 ,成核 ,以及已经形成的原子岛之间的相互作用 ,兼并 ,失稳 ,退化等一系列过程。作为研究的基础 ,在本文的第一部分 (即0~ 6章 )中 ,我们首先介绍了目前这方面理论研究中所主要使用的各种方法。例如 ,第一性原理计算 ,分子动力学模拟 ,蒙特卡罗模拟 ,速率方程和过渡态 (TST)理论等。基于这些研究 ,我们介绍给读者为什么原子成岛时在低温下选择分形状 ,而在高温时则选择紧致状。这一过程可以用经典的扩散子限制集聚理论 (Diffusion_LimitedAggregation ,DLA)。然而当有表面活性剂存在时形核的规律完全相反 ,由此提出了一个反应限制集聚理论 (Reaction_LimitedAggregation,RLA)。这两个理论目前可以很好地解释亚单层生长时的一般形核规律。接下来我们讨论了长程相互作用对生长初期原子形核的影响 ,并进一步得出了相应的标度理论。在第 6章我们系统地研究了分了吸附对二维原子岛形状的控制性 ,从而提出了边 角原子扩散的对称破缺模型。 展开更多
关键词 表面动力学 薄膜生长 纳米结构 形核理论 原子扩散
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薄膜生长中的表面动力学(Ⅱ) 被引量:18
2
作者 王恩哥 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第2期145-191,共47页
本文较全面地从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现 ,涉及的内容包括亚单层生长时 ,原子在表面上的扩散 ,粘接 ,成核 ,以及已经形成的原子岛之间的相互作用 ,兼并 ,失稳 ,退化等一系列过程。在第一部分 (即 0~ 6... 本文较全面地从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现 ,涉及的内容包括亚单层生长时 ,原子在表面上的扩散 ,粘接 ,成核 ,以及已经形成的原子岛之间的相互作用 ,兼并 ,失稳 ,退化等一系列过程。在第一部分 (即 0~ 6章 ,刊登在《物理学进展》2 3卷 1期上 )介绍了薄膜生长动力学的基础之后 ,从第 7章开始我们侧重研究一个在向同性和各向异性表面都普遍成立的原子岛尺寸大小及密度分布的标度定律 ;建立了一套研究在各向同性和各向异性表面上二维原子岛退化过程的广义动力学标度理论。基于对层间质量扩散通道的研究 ,本文提出了两种不同的原子下跃机制 ,既任意跃迁机制和选择跃迁机制 ,并做了进一步的实验验证。利用这一新的层间质量扩散机制 ,我们成功地解释了实验上观测到的三维原子岛的退化规律。更加有趣的是 ,本文讨论了应力对岛的形状和各种动力学规律的影响。在最后我们还提出了一个利用凝聚能转化来控制二维原子岛生长的方法 ,其目的是希望能够找到一种人为有效地在表面上制备低维量子结构的方法。 展开更多
关键词 薄膜生长 表面动力学 纳米结构 标度理论 稳定性 应力 尺寸分布
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薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟 被引量:17
3
作者 杨宁 陈光华 +2 位作者 张阳 公维宾 朱鹤孙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期2225-2229,共5页
用MonteCarlo方法模拟了薄膜的二维生长 .引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况 ,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响 .薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜 4个阶段 .模拟结果表明 ,随... 用MonteCarlo方法模拟了薄膜的二维生长 .引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况 ,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响 .薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜 4个阶段 .模拟结果表明 ,随着沉积粒子数的增加 ,成团粒子所占百分比下降 .这与实际情况相符 . 展开更多
关键词 薄膜生长 MORSE势 蒙特卡罗模拟
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薄膜生长模型与计算机模拟 被引量:15
4
作者 杨春 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期247-249,共3页
 阐述了计算机模拟薄膜生长研究在纳米材料设计中的重要意义。通过最近多篇文献报道,归类介绍了常见的薄膜生长模型、原理及方法,并详细对比了分子动力学、蒙特卡罗和量子力学3类方法、原理及应用特点。报道了国内外近几年薄膜生长模...  阐述了计算机模拟薄膜生长研究在纳米材料设计中的重要意义。通过最近多篇文献报道,归类介绍了常见的薄膜生长模型、原理及方法,并详细对比了分子动力学、蒙特卡罗和量子力学3类方法、原理及应用特点。报道了国内外近几年薄膜生长模型与模拟的一些研究成果。结合不同的方法与原理,以分子动力学结合蒙特卡罗模型为重点,简要评述了这些模型及模拟特点,并提出了作者的一些见解。分析了多元化合物薄膜生长模拟的技术难点,指出了量子力学计算理论与方法同分子动力学、蒙特卡罗模型相结合的新型模型是解决这一难题的发展方向,展望了今后国内外的发展趋势。 展开更多
关键词 薄膜生长 模型 计算机模拟 纳米材料 分子动力学 蒙特卡罗 量子力学
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沉积粒子能量对薄膜早期生长过程的影响 被引量:14
5
作者 陈敏 魏合林 +1 位作者 刘祖黎 姚凯伦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期2446-2451,共6页
利用MonteCarlo(MC)模型研究了能量粒子对薄膜生长的初始阶段岛膜的形貌和岛的尺寸的影响 ,沉积粒子的能量范围为 :0— 0 .7eV .在模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩散和蒸发等过程 ,并详细考虑了临近和次临近原子的影响 .结果表明 ,在... 利用MonteCarlo(MC)模型研究了能量粒子对薄膜生长的初始阶段岛膜的形貌和岛的尺寸的影响 ,沉积粒子的能量范围为 :0— 0 .7eV .在模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩散和蒸发等过程 ,并详细考虑了临近和次临近原子的影响 .结果表明 ,在所采用的参量范围内不同的基底温度情况下 ,能量粒子的影响有很大的区别 .低基底温度情况下 ,沉积粒子强烈地影响着薄膜的生长过程中 ,岛膜的形貌、数量和尺寸随能量粒子的能量增加而有很大的变化 .分析表明 。 展开更多
关键词 薄膜生长 MONTE CARLO方法 扩散 沉积粒子 能量
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薄膜外延生长的计算机模拟 被引量:14
6
作者 郑小平 张佩峰 +2 位作者 刘军 贺德衍 马健泰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2687-2693,共7页
以Cu膜为例 ,用Monte Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程 ,并提出了更加完善的模型 .在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上 ,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程 .模拟... 以Cu膜为例 ,用Monte Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程 ,并提出了更加完善的模型 .在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上 ,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程 .模拟计算了薄膜的早期成核情况以及表面粗糙度和相对密度 .结果表明 ,随着衬底温度的升高或入射率的降低 ,沉积在衬底上的原子逐步由离散型分布向聚集状态过渡形成一些岛核 ,并且逐步由二维岛核向三维岛核过渡 .在一定的原子入射率下 ,存在三个优化温度 ,成核率最高时的最大成核温度Tn、薄膜的表面粗糙度最低时的生长转变温度Tr,相对密度趋近于 1时的相对密度饱和温度Td.三者均随入射率的对数形式近似线性增大 ,并且基本重合 .同时发现 ,随着入射率的增大相对密度不断减小 ,但是在不同温度区域入射率对早期成核率和表面粗糙度的影响不同 .当温度较低时 ,随着入射率的增大最大成核率基本不变 ,表面粗糙度不断增大 ;当温度较高时 ,随着入射率的增大最大成核率不断增大 ,但表面粗糙度不断减小 . 展开更多
关键词 薄膜生长 Monte-Carlo算法 计算机模拟 近邻原子连带效应 脱附
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径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟 被引量:15
7
作者 左然 张红 刘祥林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期977-982,共6页
对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的... 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等. 展开更多
关键词 MOCVD 输运过程 热对流 数值模拟
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磁控溅射薄膜生长全过程的计算机模拟研究 被引量:12
8
作者 戴传玮 顾昌鑫 +1 位作者 孙琦 单莉英 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期586-592,共7页
本文通过建立多尺度模型,结合模拟了磁控溅射中溅射原子的产生、溅射原子的碰撞传输、以及最终成膜的全过程,研究了基板温度、溅射速率、磁场分布和靶材-基板间距对薄膜生长过程与薄膜性能的影响。模拟结果显示,提高基板温度或降低溅射... 本文通过建立多尺度模型,结合模拟了磁控溅射中溅射原子的产生、溅射原子的碰撞传输、以及最终成膜的全过程,研究了基板温度、溅射速率、磁场分布和靶材-基板间距对薄膜生长过程与薄膜性能的影响。模拟结果显示,提高基板温度或降低溅射速率都会增加初期生长阶段薄膜的相对密度;磁场对靶的利用率有显著的影响,而对薄膜最终形貌的影响不大;增大靶材-基板间距会降低薄膜的粗糙度。 展开更多
关键词 磁控溅射 薄膜生长 多尺度模拟
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MOCVD反应器的最佳输运过程及其优化设计 被引量:10
9
作者 左然 李晖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1164-1171,共8页
根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀、以及迅速排出尾气不再发生混合.对照最佳输运过程条件,分别... 根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀、以及迅速排出尾气不再发生混合.对照最佳输运过程条件,分别对水平式、行星式、垂直喷淋式、高速转盘式反应器进行了分析和讨论.水平式反应器的主要问题是反应物的沿程损耗、热对流涡旋以及侧壁效应,造成基片沿横向和纵向的厚度和浓度不均,因此只适合实验室应用.垂直式反应器通过高速旋转或近距离喷射,可以均匀分配反应物浓度,并抑制热对流涡旋.其主要困难是反应后的尾气不能及时排出,从而仍存在径向浓度不均,造成基片沿径向的厚度和浓度的波动.商用的垂直式反应器还面临托盘直径进一步扩大的难度.文章为MOCVD反应器的控制和设计提供了重要的参考依据. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 薄膜生长 MOCVD反应器设计 输运现象 优化条件
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含杂质无格点基底表面分枝状凝聚体的计算机模拟 被引量:8
10
作者 高国良 钱昌吉 +3 位作者 李洪 黄晓虹 谷温静 叶高翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2600-2605,共6页
根据含杂质熔融玻璃表面金原子凝聚的实验规律,在原子团簇具有随机的线扩散步长和刚性转动角度的特征条件下,建立了含杂质无格点基底表面的各向异性团簇-团簇凝聚模型,对团簇的无规扩散、刚性转动以及凝聚全过程进行了计算机模拟,系统... 根据含杂质熔融玻璃表面金原子凝聚的实验规律,在原子团簇具有随机的线扩散步长和刚性转动角度的特征条件下,建立了含杂质无格点基底表面的各向异性团簇-团簇凝聚模型,对团簇的无规扩散、刚性转动以及凝聚全过程进行了计算机模拟,系统地研究了基底表面无规分布的杂质区域对分枝状凝聚体诸多特性的影响,所得结果与实验事实相符合. 展开更多
关键词 薄膜生长 MONTE CARLO模拟 分形 杂质熔融玻璃 金原子凝聚
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薄膜生长的计算机模拟 被引量:2
11
作者 李阳平 刘正堂 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第3期309-313,共5页
薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究,其中计算机模拟是重要的方法。本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析,主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法... 薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究,其中计算机模拟是重要的方法。本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析,主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题,其中主要包括粒子间的相互作用、入射粒子的能量和粒子在衬底上的扩散运动。 展开更多
关键词 薄膜生长 计算机模拟 计算机模型 气相沉积
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改进的DLA方法模拟薄膜二维生长 被引量:8
12
作者 谢国锋 王德武 应纯同 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期2212-2219,共8页
对经典的DLA模型进行改进 ,研究了薄膜的二维生长过程 .通过改变表征吸附原子在基底扩散能力的参量DT,DC 以及表征沉积速率的参量DV ,得到了与实验一致的薄膜分形生长模式和团状生长模式 .分析了薄膜的形核阶段原子团的大小分布 ,以及... 对经典的DLA模型进行改进 ,研究了薄膜的二维生长过程 .通过改变表征吸附原子在基底扩散能力的参量DT,DC 以及表征沉积速率的参量DV ,得到了与实验一致的薄膜分形生长模式和团状生长模式 .分析了薄膜的形核阶段原子团的大小分布 ,以及不同条件下原子团的数目和大小随覆盖度的变化 . 展开更多
关键词 DLA方法 薄膜物理学 分形生长团状生长 原子吸附
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无序杂质区域对沉积在胶体基底表面的金原子凝聚体分形结构的影响 被引量:8
13
作者 钱昌吉 高国良 +1 位作者 李洪 叶高翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1960-1964,共5页
由于受基底表面无规分布杂质的影响 ,沉积在熔融玻璃基底表面的金原子凝聚形成了具有特殊结构的分形凝聚体 .根据这一实验结果 ,建立了各向异性的团簇 团簇凝聚模型 ,对此类胶体基底表面的金原子分枝状凝聚体的生长过程进行了计算机模... 由于受基底表面无规分布杂质的影响 ,沉积在熔融玻璃基底表面的金原子凝聚形成了具有特殊结构的分形凝聚体 .根据这一实验结果 ,建立了各向异性的团簇 团簇凝聚模型 ,对此类胶体基底表面的金原子分枝状凝聚体的生长过程进行了计算机模拟 ,研究了无规分布的杂质区域对凝聚体各种参数的影响 。 展开更多
关键词 无序杂质区域 胶体基底 金原子凝聚体 分形结构 表面沉积 薄膜生长 MONTECARLO模拟
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化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展 被引量:5
14
作者 熊礼威 汪建华 +1 位作者 满卫东 曹菊琴 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第7期22-26,共5页
化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后... 化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 化学气相沉积 光学性能 成核 薄膜生长
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薄膜生长的Monte Carlo模拟 被引量:2
15
作者 陈光华 杨宁 宋道颖 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期249-252,共4页
利用Monte Carlo方法模拟了薄膜的二维和三维生长,引入Morse作用势描述了粒子间的相互作用,并根据势中的作用范围α详细考虑了近邻粒子的影响.研究发现,在:二维生长中各粒子团生长过程曲线存在多重线性分布,且在某一阶段各分布直线满... 利用Monte Carlo方法模拟了薄膜的二维和三维生长,引入Morse作用势描述了粒子间的相互作用,并根据势中的作用范围α详细考虑了近邻粒子的影响.研究发现,在:二维生长中各粒子团生长过程曲线存在多重线性分布,且在某一阶段各分布直线满足二分角关系.三维模拟结果表明,随着沉积粒子数的增加,成团粒子数所占百分比下降,这与二维结果相符. 展开更多
关键词 薄膜生长 MonteCarlo方法 多重线性分布 二分角关系
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PbTiO3薄膜生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:模型与算法 被引量:4
16
作者 于光龙 朱建国 +2 位作者 朱基亮 芦苇 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1531-1534,共4页
提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;... 提出了一种基于Monte Carlo方法的模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法,并以模拟PbTiO3薄膜的生长为例加以说明.模拟中使用的晶格空间基本单元为立方体,单个的ABO3结构晶胞简化为2×2×2个立方体,并采用周期性边界条件;Monte Carlo事件由沉积事件,扩散事件和脱附事件组成;根据PbTiO3的组成确定沉积原子的种类和比例,即根据Pb∶Ti∶O为1∶1∶3的比例借助一随机数随机选择原子的种类;原子扩散能力与扩散激活能相关,单个原子的扩散步数由沉积速率与实际扩散时间决定;激活能采用库仑势计算,其大小不仅与原子周围的架构相关,而且与架构中原子的种类相关.有关模拟结果将在另文中给出. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 PbTiO3薄膜 氧化物
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动力学晶格蒙特卡洛方法模拟Cu薄膜生长 被引量:6
17
作者 吴子若 程鑫彬 王占山 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期62-66,共5页
利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了Cu薄膜在Cu(100)面上的三维生长过程。模型中考虑了四个动力学过程:原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移,各动力学过程发生的概率由多体势函数确定。讨论了基底温度、沉积速率及原子... 利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了Cu薄膜在Cu(100)面上的三维生长过程。模型中考虑了四个动力学过程:原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移,各动力学过程发生的概率由多体势函数确定。讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖率对Cu原子迁移、成核和表面岛生长等微观生长机制的影响;获得了Cu薄膜的表面形貌图并计算了表面粗糙度。模拟结果表明,随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目减少,形状更加规则。低温时,Cu薄膜表现为分形的离散生长,高温时,Cu原子迁移能力增强形成密集的岛。Cu薄膜表面粗糙度随着基底温度的升高而迅速减小;当基底温度低于某一临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速率的增大而增大;当基底温度超过临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速率的变化很小,基本趋于稳定。 展开更多
关键词 薄膜生长 原子迁移 KLMC模拟 沉积速率 基底温度 原子覆盖率 表面粗糙度
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氧分压对Mg掺杂ZnO薄膜结晶质量和光学特性的影响 被引量:5
18
作者 鲍善永 董武军 +3 位作者 徐兴 栾田宝 李杰 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期523-529,共7页
利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光谱以及室温和变温荧光光谱,对薄膜的结构和光学性能进行了系统地表征,分析了工作气压对ZnMgO合金薄膜的结... 利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光谱以及室温和变温荧光光谱,对薄膜的结构和光学性能进行了系统地表征,分析了工作气压对ZnMgO合金薄膜的结晶质量及光学特性的影响.研究结果表明:随着沉积环境中氧气压力的增大,ZnMgO薄膜的结晶质量下降,富氧环境下,与蓝宝石晶格平行的ZnO晶粒的出现是导致薄膜结晶质量下降的主要原因;相对于本征ZnO,不同氧气环境下沉积的ZnMgO薄膜的紫外荧光峰均出现了不同程度的蓝移.随着工作气压的增大,ZnMgO薄膜的紫外荧光峰峰位从3.374eV逐渐红移到3.332eV,氧气压力增加导致的ZnMgO薄膜中Mg含量的减少是紫外荧光峰红移主要原因;与ZnO薄膜相比,ZnMgO薄膜的紫外PL光谱存在着明显的宽化现象,而且主要由两个荧光峰构成,分别对应为束缚激子复合过程和局域激子复合过程;ZnMgO薄膜中束缚激子的激活能较大,并随薄膜沉积环境中氧气压力的增加有逐渐增大的趋势. 展开更多
关键词 ZNO Mg掺杂 脉冲激光沉积 薄膜生长 光学特性
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生长初期Ta膜的表面动态演化行为 被引量:4
19
作者 杨吉军 徐可为 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期6023-6027,共5页
用磁控溅射方法在单晶Si衬底上沉积膜厚为15—250nm的Ta膜.基于原子力显微镜获得的薄膜表面形貌,用动力学标度理论量化表征薄膜表面动态演化行为.结果表明:当膜厚d<50nm时,薄膜生长指数β≈0.17,而d>50nm后β≈0.45;随着d增加,粗... 用磁控溅射方法在单晶Si衬底上沉积膜厚为15—250nm的Ta膜.基于原子力显微镜获得的薄膜表面形貌,用动力学标度理论量化表征薄膜表面动态演化行为.结果表明:当膜厚d<50nm时,薄膜生长指数β≈0.17,而d>50nm后β≈0.45;随着d增加,粗糙度指数α由0.24逐渐增加到0.69,且在d>50nm后趋于稳定.Ta膜的表面动态演化行为揭示了其由小岛聚合结构向连续膜演化的生长过程.与自阴影等非局域效应引起的非稳定行为不同的是,当d<50nm时,薄膜表面动态演化的非稳定行为来源于生长初期的小岛聚合,表面小岛沿膜面切向的生长优于沿法向的生长.随着d继续增加,薄膜以连续膜形式生长,表面动态演化趋于稳定. 展开更多
关键词 薄膜 表面形貌 生长 动力学标度
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Structure and visible photoluminescence of Sm^3+, Dy^3+ and Tm^3+ doped c-axis oriented AlN films 被引量:4
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作者 刘福生 刘泉林 +5 位作者 梁敬魁 骆军 苏俊 张毅 孙宝娟 饶光辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第10期2445-2449,共5页
Visible photoluminescence (PL) has been observed from rare earth (Tm, Sm and Dy)-doped AlN films grown by radio-frequency magnetron reactive sputtering. X-ray diffraction indicates that the films are c-axis-orient... Visible photoluminescence (PL) has been observed from rare earth (Tm, Sm and Dy)-doped AlN films grown by radio-frequency magnetron reactive sputtering. X-ray diffraction indicates that the films are c-axis-oriented hexagonal wurtzite type structure with an average crystal size of about 80-110 nm. Room-temperature PL spectra indicate that the blue emission is due to the transition of ^1D2 to ^3F4 and ^1G4 to ^3H6 intra 4f electron of Tm^3+, the yellow emissions of AlN:Sm are due to ^4G5/2 to the ^6HJ (J=5/2, 7/2, 9/2, 11/2) and the reddish emissions of AlN:Dy correspond to the ^4F9/2 to ^6HJ (J=5/2, 13/2, 11/2 and 9/2) and ^6Fll/2 transitions. 展开更多
关键词 PHOTOLUMINESCENCE Ⅲ-V semiconductor thin film growth
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