期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究
被引量：
3
1
作者
文译
陈致宇
+3 位作者
邓小川
柏松
李轩
张波
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期520-526,共7页
针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在...
针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm^(2),器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。
展开更多
关键词
击穿电压
栅漏电容
低势垒
碳化硅
第三象限
下载PDF
职称材料
基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究
被引量：
2
2
作者
刘学超
黄建立
叶春显
《电源学报》
CSCD
2016年第4期59-65,81,共8页
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT...
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。
展开更多
关键词
碳化硅
宽禁带
双向逆变器
反并联二极管
第3象限
下载PDF
职称材料
基于新型1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究
被引量：
1
3
作者
刘学超
黄建立
叶春显
《磁性元件与电源》
2018年第6期143-151,共9页
研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IG...
研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBTSN比省略了开关器件的反并联二极管。20kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiCMOSFET相比硅基IGBT方案的优势。
展开更多
关键词
碳化硅
宽禁带
双向逆变器
反并联二极管
第3象限
原文传递
含气等厚薄互层在弹性介质下的AVO响应
4
作者
吕乐
张航
任根生
《天然气勘探与开发》
2022年第S01期9-12,共4页
针对沉积地层中复杂砂泥岩薄互层中的AVO响应研究寥寥无几。由于利用声学介质进行正演模拟会出现“假响应”情况,故采用弹性介质进行正演模拟,再利用有限差分弹性波动方程对等厚砂泥岩薄互层进行数值模拟,通过层数以及薄层厚度的改变来...
针对沉积地层中复杂砂泥岩薄互层中的AVO响应研究寥寥无几。由于利用声学介质进行正演模拟会出现“假响应”情况,故采用弹性介质进行正演模拟,再利用有限差分弹性波动方程对等厚砂泥岩薄互层进行数值模拟,通过层数以及薄层厚度的改变来获取AVO响应特征。经薄互层AVO特征与互层数之间的关系研究发现:(1)受砂泥岩互层单层层厚以及层数的双重调谐效应的影响,当砂泥岩模型单层截距和梯度均大于1/8λ,而层厚小于1/8λ时,顶面AVO效应受薄互层影响有所增强。但当厚度介于1/8λ~1/4λ时,AVO效应反之;(2)极值方面,等厚韵律型薄互层调谐振幅和梯度的最大值均不会超过单层砂岩处于1/4λ处的极大值;(3)结合单层砂体厚度、薄互层层数和孔隙度综合考虑,在薄互层地区,利用PG划分储层时,左上区域是相对有利的含气薄互层区域。
展开更多
关键词
砂泥岩薄互层
AVO响应
有限差分弹性波动方程
双重调谐效应
交会图第三象限
下载PDF
职称材料
题名
10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究
被引量：
3
1
作者
文译
陈致宇
邓小川
柏松
李轩
张波
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
电子科技大学广东电子工程信息研究院
南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期520-526,共7页
基金
国家科技重点研发计划(2017YFB0102302)
广东省自然科学基金(2019A1515012085)。
文摘
针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm^(2),器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。
关键词
击穿电压
栅漏电容
低势垒
碳化硅
第三象限
Keywords
breakdown
voltage
gate-source
capacitance
low
barrier
diode
SiC
The
third
quadrant
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究
被引量：
2
2
作者
刘学超
黄建立
叶春显
机构
科锐香港有限公司功率与射频器件事业部
深圳市鹏源电子有限公司半导体事业部
出处
《电源学报》
CSCD
2016年第4期59-65,81,共8页
文摘
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。
关键词
碳化硅
宽禁带
双向逆变器
反并联二极管
第3象限
Keywords
silicon
carbide（SiC）
wide
bandgap（WBG）
bi-directional
inverter
anti-parallel
diode
the
third
quadrant
分类号
TM919 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
基于新型1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究
被引量：
1
3
作者
刘学超
黄建立
叶春显
机构
科锐香港有限公司功率与射频器件事业部
深圳市鹏源电子有限公司半导体事业部
出处
《磁性元件与电源》
2018年第6期143-151,共9页
文摘
研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBTSN比省略了开关器件的反并联二极管。20kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiCMOSFET相比硅基IGBT方案的优势。
关键词
碳化硅
宽禁带
双向逆变器
反并联二极管
第3象限
Keywords
silicon
carbide
（SIC）
wide
bandgap
（WBG）
bi-directioaal
inverter
anti-parallel
diode
the
third
quadrant
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
含气等厚薄互层在弹性介质下的AVO响应
4
作者
吕乐
张航
任根生
机构
中国石油西南油气田公司川东北气矿
出处
《天然气勘探与开发》
2022年第S01期9-12,共4页
文摘
针对沉积地层中复杂砂泥岩薄互层中的AVO响应研究寥寥无几。由于利用声学介质进行正演模拟会出现“假响应”情况,故采用弹性介质进行正演模拟,再利用有限差分弹性波动方程对等厚砂泥岩薄互层进行数值模拟,通过层数以及薄层厚度的改变来获取AVO响应特征。经薄互层AVO特征与互层数之间的关系研究发现:(1)受砂泥岩互层单层层厚以及层数的双重调谐效应的影响,当砂泥岩模型单层截距和梯度均大于1/8λ,而层厚小于1/8λ时,顶面AVO效应受薄互层影响有所增强。但当厚度介于1/8λ~1/4λ时,AVO效应反之;(2)极值方面,等厚韵律型薄互层调谐振幅和梯度的最大值均不会超过单层砂岩处于1/4λ处的极大值;(3)结合单层砂体厚度、薄互层层数和孔隙度综合考虑,在薄互层地区,利用PG划分储层时,左上区域是相对有利的含气薄互层区域。
关键词
砂泥岩薄互层
AVO响应
有限差分弹性波动方程
双重调谐效应
交会图第三象限
Keywords
Thin
sand-shale
interbed
AVO
response
Finite-difference
elastic
wave
equation
Double-tuning
effect
The
third
quadrant
in
crossplot
分类号
P618.13 [天文地球—矿床学]
P631.4 [天文地球—地质学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究
文译
陈致宇
邓小川
柏松
李轩
张波
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
2
基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究
刘学超
黄建立
叶春显
《电源学报》
CSCD
2016
2
下载PDF
职称材料
3
基于新型1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究
刘学超
黄建立
叶春显
《磁性元件与电源》
2018
1
原文传递
4
含气等厚薄互层在弹性介质下的AVO响应
吕乐
张航
任根生
《天然气勘探与开发》
2022
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
