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题名IGCT的原理性电学模型与动态特性仿真
被引量：12
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作者
段大鹏
江秀臣
孙才新
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机构
上海交通大学电气工程系
重庆大学高电压与电工理论新技术教育部重点实验室
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期196-200,206,共6页
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文摘
集成门极换向晶闸管(IGCT)因具有开关速度快、损耗低、容量大、导通管压降低等优越性能而正逐渐广泛地应用于中压大功率领域,但国内外仿真软件中尚无IGCT的器件仿真模型。为此根据IGCT的结构特点、工作原理、额定参数以及外总电学特性,应用两个Hu-Ki模型并联的优化模型及ORCAD建立了IGCT的原理性电学模型,给出了模型的电路图及元件参数,并应用该模型进行了IGCT的动态特性仿真与分析,给出了开通、关断电压和电流波形,关断功率脉冲波形,门极关断电压和电流波形。仿真结果显示仿真的IGCT器件关断时间2μs,关断能量约0.1J,关断时门极反向电流峰值25A,表现出明显的反向抽取作用,与实测波形保持了很好的一致性。该模型意义明确、描述准确、结构简单、仿真速度较快,且有一定的通用性,可用于IGCT器件与简单系统的仿真研究,为IGCT的选择应用、器件匹配与保护电路的设计提供研究手段与设计参考。
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关键词
集成门极换向晶闸管(IGCT)
Hu-Ki模型
ORCAD软件
原理性电学模型
动态特性
仿真
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Keywords
integrated gate commutated thyristor（IGCT）
Hu-Ki model
ORCAD software
the principle-electrics model
dynamic characteristic
simulation
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分类号
TP391.9
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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