报道了波长为1015 nm的大功率单频半导体光放大器的设计与研制,实验研究了不同注入光功率和不同温度下,放大器输出光功率与注入电流的依赖关系。结果表明:当波长为1015 nm、功率约为30 m W的种子光注入到半导体激光放大系统中,并把该放...报道了波长为1015 nm的大功率单频半导体光放大器的设计与研制,实验研究了不同注入光功率和不同温度下,放大器输出光功率与注入电流的依赖关系。结果表明:当波长为1015 nm、功率约为30 m W的种子光注入到半导体激光放大系统中,并把该放大器的注入电流增加到5 A时,其输出的激光功率高达1600 m W,相应的放大倍数可达17.3 d B,且放大器输出功率随温度的降低而增大。此外,还观测了半导体光放大器输出功率的稳定性,发现该放大器可长时间保持稳定工作。因此,该1015 nm激光放大系统可用于掺杂稀土离子晶体的激光冷却,四倍频后还可用于汞原子光钟的实验研究。展开更多
文摘报道了波长为1015 nm的大功率单频半导体光放大器的设计与研制,实验研究了不同注入光功率和不同温度下,放大器输出光功率与注入电流的依赖关系。结果表明:当波长为1015 nm、功率约为30 m W的种子光注入到半导体激光放大系统中,并把该放大器的注入电流增加到5 A时,其输出的激光功率高达1600 m W,相应的放大倍数可达17.3 d B,且放大器输出功率随温度的降低而增大。此外,还观测了半导体光放大器输出功率的稳定性,发现该放大器可长时间保持稳定工作。因此,该1015 nm激光放大系统可用于掺杂稀土离子晶体的激光冷却,四倍频后还可用于汞原子光钟的实验研究。
