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适用于复杂电路分析的IGBT模型
被引量：
47
1
作者
邓夷
赵争鸣
+2 位作者
袁立强
胡斯登
王雪松
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2010年第9期1-7,共7页
推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概...
推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程,并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数,并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。
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关键词
绝缘栅双极性晶体管
模型
PSIM
开关特性
缓冲吸收电路
并联运行
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职称材料
题名
适用于复杂电路分析的IGBT模型
被引量：
47
1
作者
邓夷
赵争鸣
袁立强
胡斯登
王雪松
机构
电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2010年第9期1-7,共7页
基金
国家自然科学基金项目(50737002
50707015)~~
文摘
推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程,并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数,并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。
关键词
绝缘栅双极性晶体管
模型
PSIM
开关特性
缓冲吸收电路
并联运行
Keywords
insulated
model
PSIM
switching
paralleled
operation
gate
bipolar
transistor
（
igbt
）
characteristic
snubber
circuit
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
适用于复杂电路分析的IGBT模型
邓夷
赵争鸣
袁立强
胡斯登
王雪松
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2010
47
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