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超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析
被引量：
2
1
作者
苏亚丽
唐凌虹
王金刚
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第5期120-123,共4页
针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究,结果表明,对于静态电路,饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热量来源;对于动态电路,开关电流引起的器件寄生电容充放电过程产生的开关热效应起主要作用.
关键词
绝缘体上硅
自热效应
热生成
焦耳热效应
开关热效应
下载PDF
职称材料
电容式RF MEMS开关自热效应的多物理场协同仿真
2
作者
高杨
李君儒
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期41-45,共5页
随着信号输入功率的升高,电容式RF MEMS开关会发生自热效应使膜片变形,引起开关气隙高度的改变,导致开关驱动电压漂移,严重影响其可靠性。由于自热效应的失效机理涉及到复杂的多物理场耦合,因此提出了“电磁-热-应力”的多物理场协同仿...
随着信号输入功率的升高,电容式RF MEMS开关会发生自热效应使膜片变形,引起开关气隙高度的改变,导致开关驱动电压漂移,严重影响其可靠性。由于自热效应的失效机理涉及到复杂的多物理场耦合,因此提出了“电磁-热-应力”的多物理场协同仿真方法描述其失效模式,并分析其失效机理。首先利用HF-SS软件建立开关的电磁仿真模型,得到不同输入功率下膜片的耗散功率;再以此作为热源,利用ePhysics软件建立开关的热仿真模型,得到膜片上的温度分布;然后将温度梯度作为载荷,利用ePhysics软件建立开关的应力仿真模型,得到开关的形变行为;最后,根据膜片形变所致的气隙高度变化,得到驱动电压漂移的失效预测模型。以一种具有矩形膜片结构的典型电容式RFMEMS开关为例,利用该方法得到：矩形膜片表面电流密度主要分布在膜片的长边的边缘;温度沿膜片长边逐渐降低,且膜片中心处温度最高、锚点处温度最低;膜片的热应力变形呈马鞍面形,且最大形变点发生在膜片长边的边缘处,仿真还得到0~5 W输入功率下膜片的最大形变量;并拟合出了0~5W输入功率下的开关驱动电压-输入功率漂移曲线,该曲线具有线性特征并与文献实测数据极为吻合,由此证明了该方法的有效性。
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关键词
射频微电子机械系统
电容式开关
自热效应
失效机理
多物理场
协同仿真
下载PDF
职称材料
题名
超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析
被引量：
2
1
作者
苏亚丽
唐凌虹
王金刚
机构
西安石油大学机械工程学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第5期120-123,共4页
基金
陕西省教育厅科研计划项目(16JK1609)
西安石油大学青年科技创新基金(2015BS049)
文摘
针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究,结果表明,对于静态电路,饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热量来源;对于动态电路,开关电流引起的器件寄生电容充放电过程产生的开关热效应起主要作用.
关键词
绝缘体上硅
自热效应
热生成
焦耳热效应
开关热效应
Keywords
silicon-on-insulator
（SOl）
self-
heating
effect
heat
generation
joule
heating
effect
switch
heating
effect
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电容式RF MEMS开关自热效应的多物理场协同仿真
2
作者
高杨
李君儒
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中航(重庆)微电子有限公司
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期41-45,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61574131)
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(2014ZA001)
+1 种基金
西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金项目(14ZXTK01)
重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金项目(2013MS04)
文摘
随着信号输入功率的升高,电容式RF MEMS开关会发生自热效应使膜片变形,引起开关气隙高度的改变,导致开关驱动电压漂移,严重影响其可靠性。由于自热效应的失效机理涉及到复杂的多物理场耦合,因此提出了“电磁-热-应力”的多物理场协同仿真方法描述其失效模式,并分析其失效机理。首先利用HF-SS软件建立开关的电磁仿真模型,得到不同输入功率下膜片的耗散功率;再以此作为热源,利用ePhysics软件建立开关的热仿真模型,得到膜片上的温度分布;然后将温度梯度作为载荷,利用ePhysics软件建立开关的应力仿真模型,得到开关的形变行为;最后,根据膜片形变所致的气隙高度变化,得到驱动电压漂移的失效预测模型。以一种具有矩形膜片结构的典型电容式RFMEMS开关为例,利用该方法得到：矩形膜片表面电流密度主要分布在膜片的长边的边缘;温度沿膜片长边逐渐降低,且膜片中心处温度最高、锚点处温度最低;膜片的热应力变形呈马鞍面形,且最大形变点发生在膜片长边的边缘处,仿真还得到0~5 W输入功率下膜片的最大形变量;并拟合出了0~5W输入功率下的开关驱动电压-输入功率漂移曲线,该曲线具有线性特征并与文献实测数据极为吻合,由此证明了该方法的有效性。
关键词
射频微电子机械系统
电容式开关
自热效应
失效机理
多物理场
协同仿真
Keywords
RF
MEMS
capacitive
switch
self-
heating
effect
failure
mechanism
ulationphysics
cooperative
sim
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超薄体SOI MOSFETs硅膜区热生成行为分析
苏亚丽
唐凌虹
王金刚
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
2
电容式RF MEMS开关自热效应的多物理场协同仿真
高杨
李君儒
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
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