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题名微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究
被引量：18
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作者
杨洁
刘尚合
原青云
武占成
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机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
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出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期111-114,158,共5页
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基金
国家自然科学基金(50237040)~~
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文摘
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。
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关键词
微波低噪声硅晶体管
方波电磁脉冲
敏感端对
灵敏参数
损伤功率
统计分布
损伤机理
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Keywords
microwave low-noise silicon transistors
square-wave EMP
sensitive port
susceptive parameters
dam- age power
statistic and distribution
damage mechanism
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分类号
TN325.2
[电子电信—物理电子学]
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题名新型微带带通滤波器设计
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作者
刘青爽
韩莉
薄娟
刘丽红
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机构
中国矿业大学信息与电气工程学院
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出处
《电子设计工程》
2009年第11期89-90,共2页
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文摘
提出一种新型微带带通滤波器设计,它是由带有J-变频器的零阶谐振ZOR(zeroth-order resonant)系统构成。零阶谐振系统以互补分裂谐振环和一系列沟道组成的左手材料LHM(Left-Handed Material)为基本单元,在传统设计的基础上进行改进,得到适合具有严格设计要求的滤波器设计使用模型,并给出此零阶谐振系统的共振频率和导纳斜率参数的确定方法。实验表明,该微带带通滤波器的模拟量与测量之间存在最佳关系,并具有高选择性能、对称的响应曲线以及良好的通带带宽控制性能。
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关键词
微波技术
带通滤波器(BPF)
互补分裂谐振环(CSRR)
零阶谐振(ZOR)
共振频率
导纳谐振参数
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Keywords
microwave technique
bandpass filter（BPF）
complementary split ring resonators（CSRR）
zeroth-order resonant （ZOR）
resonant frequency
susceptance slope parameter
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分类号
TN713
[电子电信—电路与系统]
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