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蚯蚓粪-土复合基质对益智幼苗生长和叶绿素荧光特征的影响 被引量:4
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作者 程汉亭 李勤奋 +3 位作者 刘景坤 严廷良 张俏燕 王进闯 《热带作物学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2266-2272,共7页
以蚯蚓粪与砖红土混配比例为0∶10、1∶10、2∶10、3∶10、5∶10、10∶10、10∶5、10∶0获得蚯蚓粪-土复合基质,同时设置1个单施化肥处理,研究其对益智幼苗生长和叶绿素荧光参数的影响。结果表明,试验处理60 d后随着蚯蚓粪含量的增加,... 以蚯蚓粪与砖红土混配比例为0∶10、1∶10、2∶10、3∶10、5∶10、10∶10、10∶5、10∶0获得蚯蚓粪-土复合基质,同时设置1个单施化肥处理,研究其对益智幼苗生长和叶绿素荧光参数的影响。结果表明,试验处理60 d后随着蚯蚓粪含量的增加,益智幼苗的株高、叶面积、地上部分干物质积累量、总干物质积累量、根系活力、总叶绿素含量均显著增加,且同等肥力条件下施用蚯蚓粪处理(T6)的生长指标高于化肥处理(HF),而其地下部分干物质积累量和根冠比显著下降;蚯蚓粪含量高于50%时,益智叶片Fv/Fm和Y(II)值显著高于纯土处理(CK),但是当蚯蚓粪含量为50%时,益智幼苗生长发育指标与单施化肥处理无显著差异。结合不同配比蚯蚓粪-土育苗基质对益智幼苗生长发育指标和生产成本综合考虑,蚯蚓粪含量为50%的蚯蚓粪-土复合基质(T5)可以在生产上规模化推广应用。 展开更多
关键词 蚯蚓粪 益智 叶绿素荧光参数 基质
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不同基质体系中白腐菌对喹啉和吲哚的降解 被引量:3
2
作者 颜克亮 任大军 +1 位作者 王宏勋 张晓昱 《应用与环境生物学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期809-813,共5页
采用单基质及混合基质体系,探讨了白腐菌Pleurotus ostreatusBP对氮杂环化合物的降解规律.结果表明,在弱酸性环境下,白腐菌能有效降解喹啉和吲哚.单基质体系中,喹啉的降解率15d内能达到89.48%,98.17%的吲哚6d内被降解;混合基质体系中,基... 采用单基质及混合基质体系,探讨了白腐菌Pleurotus ostreatusBP对氮杂环化合物的降解规律.结果表明,在弱酸性环境下,白腐菌能有效降解喹啉和吲哚.单基质体系中,喹啉的降解率15d内能达到89.48%,98.17%的吲哚6d内被降解;混合基质体系中,基质(喹啉、吡啶、苯酚及氨氮)的加入能促进白腐菌对吲哚的降解,但(吲哚、吡啶、苯酚及氨氮)却抑制了白腐菌对喹啉的降解.不同基质体系中,白腐菌对喹啉和吲哚的降解分别遵循零级和一级反应动力学.相对单基质而言,混合基质的存在对白腐菌生物学特性产生明显影响,可缩短生长周期,提高生长速率和漆酶活性.漆酶在吲哚的降解中起着重要的作用,但不能完全决定喹啉的降解. 展开更多
关键词 喹啉 吲哚 生物降解 白腐菌 基质
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Immobilization of chiral Rh catalyst on glass and application to asymmetric transfer hydrogenation of aryl ketones in aqueous media
3
作者 Tan-Yu Cheng Jing-Lan Zhuang +2 位作者 Hui Yao Huai-Sheng Zhang Guo-Hua Liu 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2014年第4期613-616,共4页
A chiral catalyst, Cp*RhTsDPEN (Cp* = pentamethyl cyclopentadiene, TsDPEN = substitutive phenylsulfonyl-l,2-diphenylethylenediamine), was synthesized and immobilized at the surface of glass. The immobilized cataly... A chiral catalyst, Cp*RhTsDPEN (Cp* = pentamethyl cyclopentadiene, TsDPEN = substitutive phenylsulfonyl-l,2-diphenylethylenediamine), was synthesized and immobilized at the surface of glass. The immobilized catalyst exhibited good catalytic efficiency for asymmetric transfer hydrogenation of aromatic ketones in water with HCOONa as hydrogen source. 展开更多
关键词 Heterogeneous Rh catalyst Asymmetric transfer hydrogenation Aromatic ketones Glass suhstrate
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夏黑葡萄绿枝扦插育苗试验研究
4
作者 方思明 《现代农业科技》 2014年第16期68-69,共2页
以草木灰、河沙和珍珠岩为扦插基质,研究夏黑葡萄当年生绿枝扦插育苗技术。结果表明:以草木灰为夏黑葡萄绿枝扦插基质优于河沙和珍珠岩基质,扦插生根率高;在相同基质中,插条留叶状况对绿枝插条生根率无明显影响;插条上留有一节一叶夏芽... 以草木灰、河沙和珍珠岩为扦插基质,研究夏黑葡萄当年生绿枝扦插育苗技术。结果表明:以草木灰为夏黑葡萄绿枝扦插基质优于河沙和珍珠岩基质,扦插生根率高;在相同基质中,插条留叶状况对绿枝插条生根率无明显影响;插条上留有一节一叶夏芽副梢的生根苗移栽成活率明显高于留有一叶和不留叶的生根苗;选择夏黑葡萄当年生带一节一叶夏芽副梢的双芽绿枝作为扦条,以草木灰为基质,扦插生根率可达93%,移栽成活率为83.3%,但插条生根后继续保持在基质中生长更有利于幼苗发育成株。 展开更多
关键词 夏黑葡萄 基质 绿枝扦插
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甘蔗渣堆肥化处理及用作团花育苗基质的研究 被引量:29
5
作者 聂艳丽 周跃华 +2 位作者 李娅 赵永红 李元 《农业环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期380-387,共8页
云南省热区是我国甘蔗的主产区之一,存在大量的甘蔗渣,为寻求其无害化、资源化高效利用,采用不同堆肥方式及不同物料配比等因素设计基质配方,开展了适合云南热区速生阔叶树种团花育苗基质的试验研究。结果表明,甘蔗渣堆肥化处理用作育... 云南省热区是我国甘蔗的主产区之一,存在大量的甘蔗渣,为寻求其无害化、资源化高效利用,采用不同堆肥方式及不同物料配比等因素设计基质配方,开展了适合云南热区速生阔叶树种团花育苗基质的试验研究。结果表明,甘蔗渣堆肥化处理用作育苗基质,甘蔗渣的配比高达90%,基质中养分如速效磷、速效钾、交换性钙的含量均能满足团花苗木营养需求。在甘蔗渣堆肥化处理过程中,C/N呈下降趋势,基质中总N含量有明显的下降阶段,而其他养分速效磷、速效钾、交换性钙含量呈增加趋势。在基质育苗试验中,试验中期时不同基质对团花苗高、地径、根幅、主根长、侧根数、地上部干物质积累、地下部干物质积累的影响不显著。试验末期,不同基质对团花的苗高、根幅的影响显著,对地径、侧根数的影响达到极显著水平。13#基质是培育热区珍贵速生阔叶树种团花的理想基质,其次是6#基质。 展开更多
关键词 甘蔗渣 腐热 基质育苗 团花
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纳米复合电沉积制备钢基超疏水表面工艺探究 被引量:10
6
作者 汪骥 陈昌毅 +2 位作者 李瑞 蒋文轩 于鑫 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期660-665,共6页
为解决钢基表面超疏水制备工艺复杂、制备成本昂贵、制备效率低等问题,同时避免使用过往单因素分析方法,本文运用纳米微粒复合电沉积理论,提出了一种在船用Q235基材上制备Ni-n SiO_2超疏水复合镀层的新工艺。通过对基础实验设备的改进,... 为解决钢基表面超疏水制备工艺复杂、制备成本昂贵、制备效率低等问题,同时避免使用过往单因素分析方法,本文运用纳米微粒复合电沉积理论,提出了一种在船用Q235基材上制备Ni-n SiO_2超疏水复合镀层的新工艺。通过对基础实验设备的改进,结合复合电镀以及复合电刷镀工艺的优点,在基材上构筑了适合超疏水性能的微纳米双重粗糙度结构。通过正交实验法和极差分析对制得的样板进行分析,得到了优化的制备工艺参数。最终,当电流密度为30 A/dm^2,阳极速度6 m/min,沉积时间3 min时,可制备出接触角为159.96°的超疏水表面。 展开更多
关键词 超疏水表面 表面技术 制备工艺 电沉积 正交实验设计 工艺参数优化 纳米复合材料 钢基板
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柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响 被引量:7
7
作者 江洋 罗毅 +4 位作者 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3468-3473,共6页
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断... 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高. 展开更多
关键词 蓝宝石图形衬底 氮化镓 发光二极管 侧向生长
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食用菌渣在草莓栽培中的应用 被引量:5
8
作者 董琼娥 童江云 +1 位作者 包涛 魏世杰 《安徽农业科学》 CAS 2018年第19期54-56,共3页
[目的]研究食用菌渣在草莓栽培中的应用。[方法]以金针菇渣为主要原料,加入复合发酵微生物充分堆制发酵生产栽培基质,并与草炭、珍珠岩按不同体积比例混配。[结果]食用菌渣发酵后按照体积比与草炭、珍珠岩混合成5∶1∶4是最佳配方。该... [目的]研究食用菌渣在草莓栽培中的应用。[方法]以金针菇渣为主要原料,加入复合发酵微生物充分堆制发酵生产栽培基质,并与草炭、珍珠岩按不同体积比例混配。[结果]食用菌渣发酵后按照体积比与草炭、珍珠岩混合成5∶1∶4是最佳配方。该基质栽培的草莓产量、品质均有提高,且生产成本较低,是一种优质的作物栽培基质。[结论]该研究为食用菌渣的资源化利用及草莓的基质栽培提供相关参考。 展开更多
关键词 食用菌渣 混配基质 草莓栽培 果实品质
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一种CMOS智能温度传感器前端电路的设计 被引量:3
9
作者 秦瑞 沈延钊 王纪民 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期286-290,共5页
设计了一种CMOS智能温度传感器的前端电路,包括温度检测电路、基准电流源和自稳零放大器。通过分析垂直衬底PNP晶体管的非理想特性,提出了相应的减小温度检测误差的方法;设计了一个对电源电压和温度变化不敏感的基准电流源,为温度检测... 设计了一种CMOS智能温度传感器的前端电路,包括温度检测电路、基准电流源和自稳零放大器。通过分析垂直衬底PNP晶体管的非理想特性,提出了相应的减小温度检测误差的方法;设计了一个对电源电压和温度变化不敏感的基准电流源,为温度检测器件提供精确的偏置电流;通过自稳零放大器对检测到的微弱电压信号进行放大。整个电路基于上华0.6μm CMOS工艺实现,采用Hspice工具进行仿真。仿真结果表明,该电路检测温度范围从-55℃到125℃,检测精度在1℃以内。 展开更多
关键词 温度传感器 衬底PNP晶体管 基准电流源 自稳零
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射频高损耗硅基双互连线建模 被引量:1
10
作者 金香菊 朱磊 +2 位作者 尤焕成 王向展 杨谟华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期732-735,共4页
针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型。该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约。通过与全波分... 针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型。该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻Rs频率特性的制约。通过与全波分析方法对比,验证了在20 GHz范围内由该模型导出的互连线等效电感L、等效电阻R误差均在8%以内。该模型可望应用于硅基射频集成电路设计。 展开更多
关键词 射频 互连线 趋肤效应 邻近效应 衬底镜像电流 衬底趋肤效应
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高温和常温生物过滤塔中优势微生物的分离及其甲苯降解特性分析 被引量:3
11
作者 王兴华 陆春哲 +2 位作者 倪楠 孔鑫 王灿 《环境污染与防治》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期8-12,19,共6页
从处理甲苯的高温、常温生物过滤塔中筛选获得嗜热菌(55℃)和常温菌(30℃),并系统比较了它们在形态特征、甲苯去除性能和生长特性方面的区别。结果表明,嗜热菌和常温菌在大小、形状、边缘、光泽、质地、颜色和透明程度等方面均有显著不... 从处理甲苯的高温、常温生物过滤塔中筛选获得嗜热菌(55℃)和常温菌(30℃),并系统比较了它们在形态特征、甲苯去除性能和生长特性方面的区别。结果表明,嗜热菌和常温菌在大小、形状、边缘、光泽、质地、颜色和透明程度等方面均有显著不同;嗜热菌的甲苯去除率达到55.56%,常温菌的甲苯去除率达到95.83%。但常温菌在甲苯降解过程存在明显的适应期(约50h),而嗜热菌则能快速启动对甲苯的降解;常温菌和嗜热菌降解甲苯的最适pH分别为6和8;嗜热菌和常温菌的比增殖速率随着甲苯初始浓度的增加而上升,对两者产生抑制作用的甲苯初始质量浓度分别为10 000、8 000mg/m3,嗜热菌更适用于高浓度甲苯的治理;嗜热菌和常温菌的生长特性符合Haldane模型,最大比增殖速率分别为0.048、0.076d-1。 展开更多
关键词 挥发性有机物 甲苯 嗜热菌 降解特性 比增殖速率 基质抑制
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对有核与无核多层基板的供电网络分析
12
作者 Ozgur Misman Mike DeVita Nozad Karim 《中国集成电路》 2014年第12期77-81,88,共6页
由于具有高密度布线能力和相对合理的成本,在特殊用途集成电路(ASI Cs)的倒装封装中使用叠积层式(bui l d-up)有机基板非常受欢迎。典型的叠积层式基板包括核层和其双侧的高密度布线层(叠积层)。核层为封装提供所需刚度,其厚度可以是400... 由于具有高密度布线能力和相对合理的成本,在特殊用途集成电路(ASI Cs)的倒装封装中使用叠积层式(bui l d-up)有机基板非常受欢迎。典型的叠积层式基板包括核层和其双侧的高密度布线层(叠积层)。核层为封装提供所需刚度,其厚度可以是400μm,600μm,或800μm。新兴的无核基板技术去除了核层,可以提高布线密度,减薄封装,和获得更好的电气性能。本文比较了8层有核与无核基板在31mm和900锡球封装中的核心供电网络(PDN)的性能。在50MHz到2GHz频域内,我们用矢量网络分析仪测得两路高频S参数以分析相应的PDN。测量与模拟结果十分吻合。另外,我们还在时域内模拟计算了PDN对瞬变电流的响应。 展开更多
关键词 供电网络 无核基板 倒装封装 叠积层式基板 电气性能
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基于STFOD结构的IC全芯片保护 被引量:3
13
作者 古妮娜 郝跃 +3 位作者 李儒章 朱志炜 谢孟贤 杨卫东 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期358-363,共6页
在具有输入、输出静电保护的集成电路中,往往会出现非正常的静电损伤。这是由电源与地之间的静电压以及管脚之间的静电压通过内部电源线的放电而引起的。这种静电损伤给芯片的制造和使用带来了很大的困难。在基于传输诊测电路的电源到地... 在具有输入、输出静电保护的集成电路中,往往会出现非正常的静电损伤。这是由电源与地之间的静电压以及管脚之间的静电压通过内部电源线的放电而引起的。这种静电损伤给芯片的制造和使用带来了很大的困难。在基于传输诊测电路的电源到地NMOS ESD保护结构的基础上,设计了基于衬底触发场氧器件(STFOD)结构的箝位电路和版图,使芯片的静电等级得到大幅提高。 展开更多
关键词 静电保护 传输诊测 衬底触发场氧器件 箝位电路
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低温下磁控溅射AlN薄膜择优取向研究 被引量:2
14
作者 杨杰 马晋毅 +2 位作者 杜波 徐阳 石玉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第2期273-275,共3页
研究了衬底温度从-20~20℃下射频磁控溅射AlN薄膜的择优取向程度。利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对AlN薄膜的晶体结构、粗糙度及表面和断面形貌进行了分析。研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AlN薄... 研究了衬底温度从-20~20℃下射频磁控溅射AlN薄膜的择优取向程度。利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对AlN薄膜的晶体结构、粗糙度及表面和断面形貌进行了分析。研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AlN薄膜中的(100)衍射峰消失,AlN薄膜以(002)面择优取向生长。当衬底温度降低时,AlN薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小。AlN薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度。 展开更多
关键词 ALN薄膜 衬底温度 结构 形貌
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3C-SiC薄膜反向外延生长工艺的研究 被引量:2
15
作者 罗杰斯 王磊 +1 位作者 杨治美 龚敏 《光散射学报》 北大核心 2015年第2期144-147,共4页
本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行... 本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以甲烷CH4作为反应碳气体源,氢气H2作为稀释气体,将两者混合后,在n型Si(111)衬底上反向外延生长n型3C-SiC薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RAM)及扫描电子显微镜(SEM)对生长的3C-SiC薄膜进行测试和分析。对比在相同的反应温度下,不同的热处理方式对生长的3C-SiC薄膜质量的影响,进一步探讨SiC薄膜反向外延生长工艺的改进方法。结果表明,较慢的降温速率能够生长出质量较高的3C-SiC薄膜。 展开更多
关键词 立方碳化硅 低压化学气相沉积 硅衬底 反向外延
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柠檬砧木枳苗的基质配方筛选 被引量:1
16
作者 丁望可 杨世品 +7 位作者 刘佳兴 杜玉霞 周先艳 赖新朴 高俊燕 岳建强 段红平 李进学 《江西农业学报》 CAS 2017年第8期15-19,共5页
选择牛粪、羊粪、蔗渣、草炭、谷壳等农业废弃物为原料,掺入本土、江沙,以不同体积比设计7种基质配方,以筛选出最适合柠檬砧木枳壳苗生长的基质配方。研究结果表明:不同处理的基质配方对枳壳苗的生长有显著影响,其中M4(本土∶江沙∶草... 选择牛粪、羊粪、蔗渣、草炭、谷壳等农业废弃物为原料,掺入本土、江沙,以不同体积比设计7种基质配方,以筛选出最适合柠檬砧木枳壳苗生长的基质配方。研究结果表明:不同处理的基质配方对枳壳苗的生长有显著影响,其中M4(本土∶江沙∶草炭=4∶1∶1.5)和M5(本土∶江沙∶蔗渣=4∶1∶1.5)处理的枳壳苗地上部的生物量居前2位;M4处理的枳壳苗地径显著高于其他处理的,比对照(CK)高13.9%;M4和M5的株高分别达到70.49 cm和65.72 cm;M5处理的地下部生物量显著高于CK的,同时具有较大的根系体积、根尖数。综合考虑成本、效益,筛选出M5处理为枳壳苗繁育的最适基质配方。 展开更多
关键词 柠檬 枳壳苗 基质配方 生长指标
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硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响 被引量:1
17
作者 周小岩 韩治德 +1 位作者 李传勇 刘晓龙 《中国石油大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期179-183,共5页
采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的p型硅衬底上沉积氧化锌薄膜,制备了ZnO/p-Si异质结。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌。研究室温下不同电阻率的硅衬底对ZnO/p-Si异质结电流-电压特性和酒精敏... 采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的p型硅衬底上沉积氧化锌薄膜,制备了ZnO/p-Si异质结。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌。研究室温下不同电阻率的硅衬底对ZnO/p-Si异质结电流-电压特性和酒精敏感特性的影响。结果表明:ZnO薄膜结晶情况良好,具有高度的c轴择优取向,表面颗粒分布均匀;ZnO/p-Si异质结酒精敏感性依赖于p-Si衬底,当p-Si衬底的电阻率为10~20Ω.cm时,其气敏性能最强;该异质结在+4.0 V的偏置电压下,对0.024 g/L酒精气体的灵敏度为39.7%。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 p-Si衬底 电阻率 气体传感器
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镍基带上取向生长纳米二氧化铈颗粒及薄膜
18
作者 张泽月 任爱华 董明文 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期37-39,共3页
采用低成本的无机铈盐与有机溶剂进行螯合,制备出稳定的前驱溶液,采用旋涂的方法,在金属镍基带上沉积了二氧化铈前驱薄膜。通过差热-热重分析和X射线衍射确定了前驱薄膜的晶化起始温度。通过控制涂膜溶液浓度,可以得到均匀分布的氧化铈... 采用低成本的无机铈盐与有机溶剂进行螯合,制备出稳定的前驱溶液,采用旋涂的方法,在金属镍基带上沉积了二氧化铈前驱薄膜。通过差热-热重分析和X射线衍射确定了前驱薄膜的晶化起始温度。通过控制涂膜溶液浓度,可以得到均匀分布的氧化铈颗粒和致密薄膜。XRD分析表明薄膜外延了镍基底的(200)取向。成功探索了在金属基底上低成本取向生长纳米二氧化铈颗粒和薄膜的可行性。 展开更多
关键词 镍基带 二氧化铈 取向生长 纳米颗粒 纳米薄膜
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红麻机织间隔填充用基布的开发
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作者 张琴 陈志强 《纺织科技进展》 CAS 2012年第5期9-12,共4页
采用全麻、涤纶/红麻交织,开发出了两种用于植被培育和水土保持的机织间隔填充用基布,并进行了填充基质和草本对比生长试验。结果表明,干旱对两种基布草本生长影响都较小;全麻基布草本生长状况更好,适用于强力要求不高的环境;涤纶/红麻... 采用全麻、涤纶/红麻交织,开发出了两种用于植被培育和水土保持的机织间隔填充用基布,并进行了填充基质和草本对比生长试验。结果表明,干旱对两种基布草本生长影响都较小;全麻基布草本生长状况更好,适用于强力要求不高的环境;涤纶/红麻交织基布适用于强力要求较高的情况。 展开更多
关键词 红麻 机织间隔织物 填充基布 草本生长
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Al_2O_3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究
20
作者 马扬昭 谢中 +3 位作者 周艳明 夏丰金 冯双磊 李科 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期23-26,共4页
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;A... 在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变;薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响;N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜。 展开更多
关键词 Al2O3基陶瓷基底 玻璃基底Ta-N薄膜反应磁控溅射氮分压 电阻温度系数
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