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直流弧光放电PCVD金刚石膜制备中基底控温系统的研制与应用 被引量:4
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作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期75-82,共8页
基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征。结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所... 基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征。结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所制备的金刚石薄膜的品质明显得到提高,具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 直流弧光放电 等离子体CVD 金刚石薄膜 基底托架 温度自动控制
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HFCVD金刚石膜衬底温度的计算机控制
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作者 褚向前 朱武 +2 位作者 陈长琦 左敦稳 朱胤 《真空》 CAS 北大核心 2007年第3期51-53,共3页
针对CVD金刚石膜生长手动控制的种种不便,在生长系统中引入了计算机控制,实现了用计算机控制生长金刚石膜的衬底温度。详细介绍了计算机控制系统的设计和实现方法。实际运行结果表明,该系统稳定性好、可靠性高,实现了金刚石膜稳定生长。
关键词 HFCVD 金刚石膜 衬底温度 计算机控制
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基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响 被引量:2
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作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1554-1560,共7页
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜... 如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析。研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃~±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显。对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳。 展开更多
关键词 直流弧光放电PCVD法 金刚石薄膜 基底温度 开环、闭环及开闭环复合控制方式
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大面积热丝化学气相沉积系统衬底温度自回归模糊神经网络控制技术 被引量:2
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作者 宋胜利 左敦稳 +1 位作者 徐锋 王珉 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期136-140,共5页
建立了大面积热丝化学气相沉积衬底温度控制系统的数学模型,提出了一种基于自回归模糊神经网络控制策略,并进行了计算机仿真和试验研究。结果表明,系统具有较强的自适应、自学习能力,对设定轨迹具有良好的跟踪性能,可很好地满足金刚石... 建立了大面积热丝化学气相沉积衬底温度控制系统的数学模型,提出了一种基于自回归模糊神经网络控制策略,并进行了计算机仿真和试验研究。结果表明,系统具有较强的自适应、自学习能力,对设定轨迹具有良好的跟踪性能,可很好地满足金刚石膜沉积过程中系统的控制性能要求。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 衬底温度 模糊神经网络 自动控制
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物理气相沉积过程中金属基片控温系统的研制 被引量:1
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作者 赵升升 丁继成 +2 位作者 梅海娟 潘展程 彭楚尧 《深圳职业技术学院学报》 CAS 2016年第3期44-47,共4页
研制了一套在物理气相沉积过程中的金属基片控温装置,该装置通过接触导热的方式,可将基片温度在20~350℃之间任意可调,控温误差低于10℃.降温时,通过样品台内循环流动的低温冷却水带走多余的热量,使温度迅速下降;加热时,利用惰性气体排... 研制了一套在物理气相沉积过程中的金属基片控温装置,该装置通过接触导热的方式,可将基片温度在20~350℃之间任意可调,控温误差低于10℃.降温时,通过样品台内循环流动的低温冷却水带走多余的热量,使温度迅速下降;加热时,利用惰性气体排空样品台内冷却水后,通过红热加热管使基片快速升温.实测结果表明,金属基片表面的最大升温速度和降温速度均达到了3℃/s,样品台和金属基片表面温度具有较好的一致性. 展开更多
关键词 基片控温 真空装置 物理气相沉积
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基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
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作者 张湘辉 汪灵 +2 位作者 龙剑平 邓苗 冯珊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期3018-3022,共5页
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研... 采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。 展开更多
关键词 直流弧光放电等离子体化学气相沉积法 纳米金刚石薄膜 基底温度 开-闭环复合控制
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