提出了一种工作于毫米波波段的基片集成波导滤波器,该滤波器在上下金属层刻蚀出哑铃槽结构,通过哑铃槽之间的耦合,极大提高了其带外抑制性。仿真实测结果表明,滤波器的中心频率在30 GHz,通带内相对带宽为39.5%,中心频率插入损耗为1.44 d...提出了一种工作于毫米波波段的基片集成波导滤波器,该滤波器在上下金属层刻蚀出哑铃槽结构,通过哑铃槽之间的耦合,极大提高了其带外抑制性。仿真实测结果表明,滤波器的中心频率在30 GHz,通带内相对带宽为39.5%,中心频率插入损耗为1.44 d B,带内回波损耗大于13 d B。滤波器带外衰减陡峭,结构紧凑,实测结果与仿真结果吻合良好。展开更多
基于LTCC工艺设计并制作了一种多层T隔板基片集成波导（TSSIW）滤波器。该滤波器以TSSIW谐振腔为基础,利用其灵活的同层与异层的耦合方式实现四阶交叉耦合结构,并节省60%以上的电路面积。实验结果显示滤波器中心频率为9.4 GHz,工作带宽...基于LTCC工艺设计并制作了一种多层T隔板基片集成波导（TSSIW）滤波器。该滤波器以TSSIW谐振腔为基础,利用其灵活的同层与异层的耦合方式实现四阶交叉耦合结构,并节省60%以上的电路面积。实验结果显示滤波器中心频率为9.4 GHz,工作带宽为500 MHz,通带最小插入损耗小于2.5 d B,回波损耗优于15 d B,表明该滤波器具有体积小、易于集成的特点,同时保持了TSSIW优秀的频率选择性和寄生响应。展开更多
文摘提出了一种工作于毫米波波段的基片集成波导滤波器,该滤波器在上下金属层刻蚀出哑铃槽结构,通过哑铃槽之间的耦合,极大提高了其带外抑制性。仿真实测结果表明,滤波器的中心频率在30 GHz,通带内相对带宽为39.5%,中心频率插入损耗为1.44 d B,带内回波损耗大于13 d B。滤波器带外衰减陡峭,结构紧凑,实测结果与仿真结果吻合良好。
文摘基于LTCC工艺设计并制作了一种多层T隔板基片集成波导（TSSIW）滤波器。该滤波器以TSSIW谐振腔为基础,利用其灵活的同层与异层的耦合方式实现四阶交叉耦合结构,并节省60%以上的电路面积。实验结果显示滤波器中心频率为9.4 GHz,工作带宽为500 MHz,通带最小插入损耗小于2.5 d B,回波损耗优于15 d B,表明该滤波器具有体积小、易于集成的特点,同时保持了TSSIW优秀的频率选择性和寄生响应。
