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InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备
被引量：
5
1
作者
王琦
任晓敏
+5 位作者
熊德平
周静
吕吉贺
黄辉
黄永清
蔡世伟
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1143-1145,1149,共4页
借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DC...
借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。
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关键词
异质外延
低温InP缓冲层
应变层超晶格(
sls
)
光探测器
原文传递
题名
InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备
被引量：
5
1
作者
王琦
任晓敏
熊德平
周静
吕吉贺
黄辉
黄永清
蔡世伟
机构
光通信与光波技术教育部重点实验室
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1143-1145,1149,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314901)
国际科技合作重点项目计划资助项目(2006DFB11110)
+1 种基金
高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005)
教育部新世纪人才支持计划资助项目(NCET-05-0111)
文摘
借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。
关键词
异质外延
低温InP缓冲层
应变层超晶格(
sls
)
光探测器
Keywords
heteroepitaxy
low
temperature
InP
buffer
strained
layer
superlattice
（
sls
）
photodetector
分类号
TN366 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备
王琦
任晓敏
熊德平
周静
吕吉贺
黄辉
黄永清
蔡世伟
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
原文传递
已选择
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条
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引用分析
参考文献
引证文献
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