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二维方形GaAs量子点电子特性的研究
被引量：
1
1
作者
黄晓亚
赵铧
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期749-753,共5页
采用抛物线形限制势作为量子点对电子的有效束缚势,在密度泛函理论的基础上,使用五点差分法把二维方形量子点中电子的薛定谔方程离散化,然后用自洽迭代的方法求解二维方形量子点,得出绝对零度情况下二维方形量子点中处于基态电子的总能...
采用抛物线形限制势作为量子点对电子的有效束缚势,在密度泛函理论的基础上,使用五点差分法把二维方形量子点中电子的薛定谔方程离散化,然后用自洽迭代的方法求解二维方形量子点,得出绝对零度情况下二维方形量子点中处于基态电子的总能量、化学势和电子密度。并讨论了抛物线形限制势的强度对量子点中电子基态能量、化学势和电子密度的影响,得出了方形量子点多电子系统基态的一些性质。
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关键词
光电子学
方形量子点
化学势
密度泛函
五点差分
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职称材料
二维方形量子点体系等离激元的量子化
被引量：
3
2
作者
吴仍来
肖世发
+1 位作者
薛红杰
全军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第22期266-272,共7页
量子点体系等离激元的研究是光电子学领域的热点.为进一步加深和完善对等离激元的量子效应的认识,本文利用紧束缚近似和线性响应理论研究了二维方形量子点体系对外场的集体响应.结果表明,当外场频率等于等离激元的频率时,量子点体系会...
量子点体系等离激元的研究是光电子学领域的热点.为进一步加深和完善对等离激元的量子效应的认识,本文利用紧束缚近似和线性响应理论研究了二维方形量子点体系对外场的集体响应.结果表明,当外场频率等于等离激元的频率时,量子点体系会有强烈的电荷振荡,并伴随着能量的极大吸收和近场的增强.在量子点中,等离子体存在分立的元激发.等离子体元激发的个数将随着量子点尺寸和电子个数的增加而增加.随量子点尺寸的增加,分立的等离激元将逐步呈现准连续的特性,即过渡为经典连续的等离激元,其频谱曲线演化为经典的色散曲线.结果还表明:随量子点尺寸的增加,等离激元的频率会红移,等离激元的激发强度会增大;随量子点中电子数的增加,等离激元的频率会蓝移,等离激元的激发强度会增大.
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关键词
二维方形量子点
等离激元
量子化
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职称材料
题名
二维方形GaAs量子点电子特性的研究
被引量：
1
1
作者
黄晓亚
赵铧
机构
平顶山工学院基础部
重庆大学数理学院
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期749-753,共5页
文摘
采用抛物线形限制势作为量子点对电子的有效束缚势,在密度泛函理论的基础上,使用五点差分法把二维方形量子点中电子的薛定谔方程离散化,然后用自洽迭代的方法求解二维方形量子点,得出绝对零度情况下二维方形量子点中处于基态电子的总能量、化学势和电子密度。并讨论了抛物线形限制势的强度对量子点中电子基态能量、化学势和电子密度的影响,得出了方形量子点多电子系统基态的一些性质。
关键词
光电子学
方形量子点
化学势
密度泛函
五点差分
Keywords
optoelectronics
square
quantum
dot
chemical
potential
density-functional
theory
five
point
difference
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
O481.3 [理学—物理]
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职称材料
题名
二维方形量子点体系等离激元的量子化
被引量：
3
2
作者
吴仍来
肖世发
薛红杰
全军
机构
岭南师范学院物理科学与技术学院
西安航空学院电子工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第22期266-272,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:11647156)
广东省自然科学基金(批准号:2014A030307035)资助的课题~~
文摘
量子点体系等离激元的研究是光电子学领域的热点.为进一步加深和完善对等离激元的量子效应的认识,本文利用紧束缚近似和线性响应理论研究了二维方形量子点体系对外场的集体响应.结果表明,当外场频率等于等离激元的频率时,量子点体系会有强烈的电荷振荡,并伴随着能量的极大吸收和近场的增强.在量子点中,等离子体存在分立的元激发.等离子体元激发的个数将随着量子点尺寸和电子个数的增加而增加.随量子点尺寸的增加,分立的等离激元将逐步呈现准连续的特性,即过渡为经典连续的等离激元,其频谱曲线演化为经典的色散曲线.结果还表明:随量子点尺寸的增加,等离激元的频率会红移,等离激元的激发强度会增大;随量子点中电子数的增加,等离激元的频率会蓝移,等离激元的激发强度会增大.
关键词
二维方形量子点
等离激元
量子化
Keywords
two-dimensional
square
quantum
dot
,
plasmon,
quantization
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二维方形GaAs量子点电子特性的研究
黄晓亚
赵铧
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
2
二维方形量子点体系等离激元的量子化
吴仍来
肖世发
薛红杰
全军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
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职称材料
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