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Cu元素对氧化锌压敏电阻性能的影响 被引量：1
1
作者 洪俊伟 章来平 +1 位作者 邴绍同 孙丹峰 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第5期30-33,37,共5页
通过添加Cu(NO3)2溶液的方式,在中压压敏电阻基础料中引入杂质元素Cu,测试其电性能并分析影响机理。得出:Cu元素在压敏电阻中无论哪种固溶形式,都是以受主态方式对压敏电阻的性能产生影响;随着Cu掺入量的增加,施主浓度Nd减小,但同时也... 通过添加Cu(NO3)2溶液的方式,在中压压敏电阻基础料中引入杂质元素Cu,测试其电性能并分析影响机理。得出:Cu元素在压敏电阻中无论哪种固溶形式,都是以受主态方式对压敏电阻的性能产生影响;随着Cu掺入量的增加,施主浓度Nd减小,但同时也引起晶界界面电子态密度Ns的减少,补偿了施主浓度的减少,从而使φB减少,非线性系数减小;随着Cu掺入量的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,使电压梯度上升,漏电流几乎不变,电容增大,残压比增大,通流能力和耗散能量能力变差;对比基料来讲,添加Cu元素之后漏电流是下降的;建议在生产过程中,Cu掺入量(质量分数)最好不要超过8×10-6,最大不要超过20×10-6。 展开更多
关键词 Cu元素 溶液添加法 压敏电阻 晶粒电阻率
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钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响
2
作者 洪俊伟 章来平 +1 位作者 邴绍同 孙丹峰 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第3期17-21,共5页
采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的... 采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。 展开更多
关键词 钾元素 溶液添加法 压敏电阻 晶界稳定性 影响机理 液相烧结剂
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油田设备富碳酸盐管垢的清洗研究
3
作者 魏伯荣 刘郁杨 +1 位作者 晋治涛 陈瑞 《清洗世界》 CAS 2000年第2期5-7,共3页
利用盐酸、醋酸及它们的混酸对富碳酸盐油田设备管垢进行清洗研究 ,讨论了酸的浓度、温度及添加剂对其溶垢能力的影响 .结果表明 ,盐酸具有很强的溶垢能力 ,反应剧烈 ,对金属腐蚀大 ,需要其它添加剂配合使用 ;醋酸在室温下溶垢能力小 ,... 利用盐酸、醋酸及它们的混酸对富碳酸盐油田设备管垢进行清洗研究 ,讨论了酸的浓度、温度及添加剂对其溶垢能力的影响 .结果表明 ,盐酸具有很强的溶垢能力 ,反应剧烈 ,对金属腐蚀大 ,需要其它添加剂配合使用 ;醋酸在室温下溶垢能力小 ,在较高温度下才具有较好的除垢性 ,使用时浓度不宜过大 . 展开更多
关键词 富碳酸盐管垢 酸洗 溶垢能力 添加剂
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电镀液添加剂成分对钯镀层的影响研究
4
作者 奚菊芳 武冰鑫 +4 位作者 唐振艳 刘朝能 李江民 侯文明 戴云生 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第8期11-17,共7页
采用二氯四氨钯为主盐,润湿剂A、光亮剂B、稳定剂C为组合添加剂配制成电镀液,进行侯氏槽测试,电沉积获得钯镀层。通过设计正交试验对添加剂的组成及含量进行了筛选,采用扫描电子显微镜、X射线衍射表征了钯镀层的形貌和结构,考察了添加... 采用二氯四氨钯为主盐,润湿剂A、光亮剂B、稳定剂C为组合添加剂配制成电镀液,进行侯氏槽测试,电沉积获得钯镀层。通过设计正交试验对添加剂的组成及含量进行了筛选,采用扫描电子显微镜、X射线衍射表征了钯镀层的形貌和结构,考察了添加剂组分及含量对镀钯层表观形貌、微观形貌以及硬度的影响。正交试验研究结果表明:在电流密度0.85 A/dm^(2)、镀液pH 8.0,50℃施镀20 min的电镀工艺下,添加剂中稳定剂含量对于电沉积的影响较为明显,稳定剂含量大的镀层外观和硬度比较好,而光亮剂和润湿剂起辅助性作用。稳定剂与钯离子络合,阻止钯离子被还原,提高了镀液稳定性;光亮剂吸附在阴极表面,增大阴极极化值,形成活性位点,提高了晶核的生成速度,能够获得结晶细致紧密的镀层;润湿剂降低了阴极电沉积过程中产生的氢气气泡附着力,扩展了低电流区镀层,提高抗杂质干扰能力使镀层光亮平整。添加剂中各组分的协同提高了镀液整平能力及低电流密度区镀层光亮性,获得的纯钯镀层阴极电流密度范围更宽。 展开更多
关键词 钯镀层 电沉积 镀液添加剂
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