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题名软容量约束的物流设施选址问题的改进差分进化算法
被引量：1
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作者
张新邦
邢航
李贵栋
汪恭书
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机构
东北大学工业工程与物流优化研究所
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出处
《物流科技》
2016年第6期6-9,共4页
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基金
国家自然科学基金青年基金项目
项目编号:71202151
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文摘
研究了广泛存在于物流系统设计与管理中的软容量约束的物流设施选址问题,主要决策每个客户需求由哪个设施服务以及每个设施开放的次数,目标为最小化设施开放成本和运输成本之和。为了有效求解该问题,提出了一种改进的差分进化算法,编码方式上采用实数编码策略,较为简单易于实现且能得到较好结果,进化过程采用多种变异算子并进行对比。对以往文献给出的算例采用5种变异算子进行测试,计算结果表明,DE/rand-to-best/1/bin变异算子最好,且所有算子都能得到较好结果,DE算法在软容量约束的设施选址问题上应用具有可行性。
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关键词
物流设施选址问题
软容量约束
差分进化
实数编码
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Keywords
logistics facility location problem
soft-capacitated
differential evaluation
real number coding
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分类号
F253.9
[经济管理—国民经济]
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题名软容量限制设施选址问题的竞争决策算法
被引量：2
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作者
何永梅
宁爱兵
彭大江
尚春剑
张惠珍
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机构
上海理工大学管理学院
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出处
《计算机工程与应用》
CSCD
北大核心
2019年第3期50-54,共5页
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基金
国家自然科学基金(No.71401106)
上海市一流学科建设项目(No.S1201YLXK)
高等学校博士学科点专项科研基金联合资助课题(No.20123120120005)
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文摘
软容量设施选址问题是NP-Hard问题之一,具有广泛的应用价值。为了求解软容量设施选址问题,提出一种基于数学性质的竞争决策算法。首先研究该问题的数学性质,运用这些数学性质不仅可以确定某些设施必定开设或关闭,还可以确定部分顾客由哪个设施提供服务,从而缩小问题的规模,加快求解速度。在此基础上设计了求解该问题的竞争决策算法,最后经过一个小规模的算例测试并与精确算法的结果比较,得出了最优解;针对大规模的问题快速地求出了可行解,得到了令人满意的结果。
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关键词
软容量设施选址
数学性质
竞争决策算法
竞争力函数
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Keywords
soft-capacitated facility location
mathematical properties
competitive decision algorithm
competitive force function
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分类号
TP301.6
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名软容量约束的动态设施选址问题的近似算法
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作者
姜春艳
李改弟
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机构
武警学院基础部
北京工业大学应用数理学院
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出处
《系统科学与数学》
CSCD
北大核心
2012年第4期476-484,共9页
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基金
国家自然科学基金(11071268)
北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201210005033)资助课题
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文摘
考虑软容量约束的动态设施选址问题.假设设施的开放费用及连接费用都与时间有关,而且每一个设施均有容量约束.对此问题给出了第一个近似比为6的原始对偶(组合)算法.运行贪婪增加程序后,近似比进一步改进到3.7052.
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关键词
软容量约束动态设施选址问题
对偶
近似算法
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Keywords
soft-capacitated dynamic facility location problem, dual, approximation algorithm.
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分类号
O224
[理学—运筹学与控制论]
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题名一种用于DC-DC开关电源芯片的新型软启动电路
被引量：12
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作者
张在涌
谭小燕
赵永瑞
曲韩宾
师翔
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机构
河北新华北集成电路有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期110-114,共5页
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文摘
设计了一种应用于DC-DC开关电源芯片中的新型软启动电路。其核心是一种带电容倍增结构的软启动电路,电路结构简单、易于实现,采用密勒电容倍增技术,极大地减小了所需电容尺寸,进而显著减小了电路版图面积。该软启动电路已在基于0.5μm BCD工艺设计的DCDC开关电源芯片中实现并进行了验证,测试结果表明DC-DC开关电源芯片输出电压逐步上升,没有产生过冲现象,芯片在3 ms左右完成启动开始正常工作。DC-DC开关电源芯片面积为1.88 mm×2.00 mm,软启动电路模块面积仅为0.2 mm×0.07 mm。
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关键词
DC-DC开关电源
软启动电路
电容倍增
BCD工艺
过冲现象
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Keywords
DC-DC switching power supply
soft start capacitance multiplication
BCD process
overshoot phenomenon
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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