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一种单电子晶体管的Spice模型 被引量:10
1
作者 孙铁署 蔡理 陈学军 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 2003年第6期65-67,共3页
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉... 基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。 展开更多
关键词 单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图
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一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计 被引量:9
2
作者 孙铁署 蔡理 《电子器件》 CAS 2005年第2期366-369,共4页
基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短... 基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。 展开更多
关键词 单电子晶体管 互补 反相器 全加器 SPICE宏模型
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多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析 被引量:6
3
作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 郝跃 刘玉贵 武一宾 吕苗 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1804-1808,共5页
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电... 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电压 .对试验数据进行了分析 ,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 . 展开更多
关键词 多岛单电子晶体管 量子点 库仑阻塞 共隧穿效应
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单电子晶体管通断图及其分析 被引量:6
4
作者 吴凡 王太宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2829-2835,共7页
通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通断图 .并且发现单电子晶体管的对外特性主要由其对外的总电容决定 ;而单电子岛两个隧道结电容的不同主要... 通过研究单电子晶体管在电路中的静电能量的变化 ,得到了它的阻塞、导通情况与其两端偏压和控制栅压之间的关系 ,从而给出了它的通断图 .并且发现单电子晶体管的对外特性主要由其对外的总电容决定 ;而单电子岛两个隧道结电容的不同主要反映在通断图上由隧道结电容所决定的晶体管阻塞、导通边界线上 。 展开更多
关键词 通断图 单电子晶体管 库仑阻塞 隧穿 静电能量 导通
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基于库仑阻塞原理的多值存储器 被引量:5
5
作者 孙劲鹏 王太宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期2563-2568,共6页
设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用... 设计了一种基于库仑阻塞原理的新型单电子多值存储器 .器件包括两个多隧穿结结构和一个单电子晶体管 ,其中单电子晶体管起到一个静电计的作用来实现数据的读取 .两个隧穿结库仑阻塞区域的大小不同使得器件具有三个稳定的存储状态 .利用这个原理可以制备出多值的动态随机存储器和非挥发性的随机存储器 .这种低功耗的单电子多值存储器可以实现信息的超高密度存储 . 展开更多
关键词 库仑阻塞 单电子晶体管 多值存储器 多隧穿结结构 随机存储器 集成电路
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一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计 被引量:5
6
作者 孙铁署 蔡理 马彦芬 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第6期652-656,共5页
基于单电子晶体管(SET)的I_U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R_S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于... 基于单电子晶体管(SET)的I_U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R_S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于0.02V和0,解决了电平匹配问题.SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性. 展开更多
关键词 单电子晶体管 互补型 R-S触发器 D触发器
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纳米器件与单电子晶体管 被引量:5
7
作者 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期28-32,共5页
报道了一种非常重要的纳米器件———单电子晶体管,介绍了它的原理、基本特性、制备方法及其集成,着重分析讨论了两种新型的单电子晶体管即波导型单电子晶体管和点接触栅型单电子晶体管。
关键词 单电子晶体管 纳米器件 超敏感探测 纳米加工
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纳米结构的制备及单电子器件研究 被引量:5
8
作者 王太宏 李宏伟 +3 位作者 贾海强 李卫 黄绮 周均铭 《物理》 CAS 北大核心 2001年第1期3-5,共3页
建立了单电子器件的制备工艺和单电子器件的分析、测量系统 ,研究了有潜在应用价值的纳米结构加工技术 ,制备了适合光电集成的多种纳米结构 ,发展了常规光刻法制备单电子器件的多种技术 .其中 ,在生命科学和信息领域有着广泛应用的“纳... 建立了单电子器件的制备工艺和单电子器件的分析、测量系统 ,研究了有潜在应用价值的纳米结构加工技术 ,制备了适合光电集成的多种纳米结构 ,发展了常规光刻法制备单电子器件的多种技术 .其中 ,在生命科学和信息领域有着广泛应用的“纳米电极对”引起了国内外专家的重视 .发展以“纳米电极对”为基础的单电子器件及其应用是我们目前的主要研究方向 .目前我们正在探索这种单电子器件在生命芯片、微电子系统集成方面的应用 . 展开更多
关键词 单电子晶体管 纳米加工技术 量子点 纳米结构
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单电子晶体管I-V特性数学建模
9
作者 孙铁署 蔡理 陈学军 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第9期76-78,共3页
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
关键词 单电子晶体管 I-V特性 数学建模 隧穿电流 单电子电路 计算机模拟
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铟量子点实现单电子晶体管方法 被引量:1
10
作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 郝跃 刘玉贵 武一斌 吕苗 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期186-189,共4页
研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 量子点
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单电子晶体管全加器电路设计
11
作者 马彦芬 《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期111-114,共4页
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。
关键词 单电子晶体管 二叉判别图 全加器 SPICE宏模型
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基于单电子晶体管的数字滤波器硬件实现
12
作者 孙铁署 蔡理 马彦芬 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2006年第6期41-44,共4页
基于互补型单电子晶体管(SET)逻辑门,提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上,由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性。
关键词 单电子晶体管 数字滤波器 互补型 加法器 移位寄存器 ROM
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纳米电子器件的研究进展与军事应用前景 被引量:5
13
作者 杜晋军 李俊 +1 位作者 洪海丽 刘振起 《装备指挥技术学院学报》 2004年第4期86-89,共4页
首先,分析了纳米电子器件碳纳米管、单电子晶体管的结构特点及其应用;然后,指出了碳纳米管、单电子晶体管应用中有待解决的问题;最后,综合阐述了纳米电子学的纳米技术在军事及航天领域中的应用前景.
关键词 单电子晶体管 纳米电子器件 军事应用 纳米电子学 碳纳米管 综合 纳米技术 航天领域 应用前景
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嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的近藤效应 被引量:6
14
作者 吴绍全 孙威立 +1 位作者 余万伦 王顺金 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2910-2917,共8页
使用单杂质的Ansderson模型,从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov Bohm环系统处在近藤区时的基态性质,并用slave boson平均场方法求解了该模型.结果表明在零温,当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时,系统内仍然存在一个被减... 使用单杂质的Ansderson模型,从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov Bohm环系统处在近藤区时的基态性质,并用slave boson平均场方法求解了该模型.结果表明在零温,当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时,系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质.同时,可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率,达到探测近藤屏蔽云的目的. 展开更多
关键词 持续电流 杂质磁化率 宇称效应 近藤效应 近藤屏蔽云 量子点
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单电子存储器 被引量:6
15
作者 孙劲鹏 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第8期7-17,30,共12页
介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。... 介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。 展开更多
关键词 单电子存储器 库仑阻塞 单电子晶体管 纳米加工 量子点浮栅
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纳米器件的制备、表征及其应用 被引量:1
16
作者 王太宏 赵继刚 +7 位作者 傅英 李宏伟 李卫 王春花 王振霖 庞科 刘淑琴 符秀丽 《物理》 CAS 北大核心 2002年第1期4-6,共3页
利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子晶体管 ,实现了两单电子晶体管的电容耦合集成。
关键词 纳米器件 碳纳米管晶体管 单电子晶体管 纳米加工 制备 表征
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纳米电子器件中的噪声及其应用研究 被引量:2
17
作者 张志勇 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2003年第6期6-15,共10页
对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双... 对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。 展开更多
关键词 纳米电子器件 散粒噪声 单电子晶体管 电荷噪声 双势垒共振隧穿二极管 碳纳米管 量子点器件 热噪声
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基于互补型SET的通用阈值逻辑门设计 被引量:3
18
作者 应时彦 孔伟名 +1 位作者 肖林荣 王伦耀 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期424-428,共5页
与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的... 与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的三变量UTLG实现方案.利用一个UTLG辅之少量门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计进行UTLG综合的过程.对所设计的SET电路进行了Pspice仿真,结果表明,基于SET的UTLG以及用UTLG实现的全比较器均具有正确的逻辑功能. 展开更多
关键词 单电子晶体管 通用阈值逻辑门 SET电路 电路设计
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单电子器件 被引量:1
19
作者 赵正平 郭荣辉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期17-21,共5页
综述了单电子器件的研究进展,包括单电子器件的简要历史、研究现状、基本理论、工作性能及制作工艺,并且深入讨论了本领域今后的发展方向。
关键词 单电子器件 单电子晶体管 单电子内存 库仓阻塞
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Fano-Kondo Effect in a Triple Quantum Dots Coupled to Ferromagnetic Leads 被引量:1
20
作者 毕爱华 吴绍全 +1 位作者 侯涛 孙威立 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第8期3028-3031,共4页
Using the Keldysh nonequilibrium Green function and equation-of-motion technique, we have qualitatively studied the spin-dependent transport of a triple-QD system in the Kondo regime. It is shown that the Kondo resona... Using the Keldysh nonequilibrium Green function and equation-of-motion technique, we have qualitatively studied the spin-dependent transport of a triple-QD system in the Kondo regime. It is shown that the Kondo resonance and Fang interference coexist, and in this system the Fang Kondo effect shows dip behaviours richer than that in the T-shaped QDs. The interdot coupling, the energy level of the side coupled QDs and the spin polarization strength greatly influence the DOS of the central quantum dot QDo. Either the increase of the coupling strength between the two QDs or that of the energy levels of the side coupled QDs enhances the Kondo resonance. Especially, the Kondo resonance is strengthened greatly when the side dot energy is fixed at the Fermi energy. Meanwhile, the Kondo resonance splits for the spin-up and spin-down configurations due to the polarization: the down-spin resonance is enhanced, and the up-spin resonance is suppressed. 展开更多
关键词 single-electron transistor MESOSCOPIC RING TRANSPORT RESONANCE SYSTEM
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