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基于UML的模拟电路仿真系统的设计 被引量：1
1
作者 胡继承 王抒雁 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2004年第11期198-200,共3页
模拟电路仿真程序对集成电路设计和电路性能评价具有十分重要的意义。近年来,面向对象技术已成为软件设计的主流思想,以电路仿真系统为背景,给出了一种基于UML的面向对象的分析与设计方法,清楚有效地进行系统建模。这种方法在模拟电路... 模拟电路仿真程序对集成电路设计和电路性能评价具有十分重要的意义。近年来,面向对象技术已成为软件设计的主流思想,以电路仿真系统为背景,给出了一种基于UML的面向对象的分析与设计方法,清楚有效地进行系统建模。这种方法在模拟电路仿真系统SPICE的开发过程中被证明是提高软件开发质量和效率的有效途径。 展开更多
关键词 UML 建模 模拟电路仿真系统(spice) 电路仿真
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CMOS离子敏场效应管SPICE模型 被引量：1
2
作者 刘肃 韩富强 于峰崎 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期16-18,22,共4页
完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程... 完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 展开更多
关键词 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序
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TSV结构的几种SPICE模型仿真 被引量：4
3
作者 庞诚 王志 于大全 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期770-775,共6页
硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同... 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行S参数仿真,作为比较,建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法计算得到S参数。仿真结果表明,TSV结构主体主导了整个TSV结构的电性能,当信号频率在10 GHz以下时,由各个SPICE模型仿真得到的S参数和由有限元方法计算所得结果差别较小。对SPICE模型中的TSV与硅衬底间电容C TSV不同的处理方式对仿真结果影响明显。 展开更多
关键词 硅通孔（TSV） spice模型 全波模型 有限元方法 S参数
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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型 被引量：4
4
作者 周郁明 蒋保国 +2 位作者 刘航志 陈兆权 王兵 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5604-5612,共9页
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三... 建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。 展开更多
关键词 通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效
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基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计 被引量：4
5
作者 杨会 宋航 肖夏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期97-103,共7页
采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路... 采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路仿真动态链接,进行场路协同仿真。实验验证表明,该仿真方法的精度在6 dBμV之内,满足PCB加工工艺的误差和实验测试的不确定度,符合仿真精度要求。通过该仿真方法评估PCB的电磁干扰强度以及优化PCB的设计,将高速串行计算机扩展总线标准模块上的33Ω电阻替换为磁珠后,该PCB在1.6 GHz处的电磁干扰强度降低了13.4 dB。根据CISPR 25标准规定的1-m法进行测试,PCB的电磁干扰变为-3.4 dBμV,低于GMW 3097标准要求,从而验证了该措施的有效性。 展开更多
关键词 PCIe模块 共模辐射 电磁干扰 通用模拟电路仿真模型 电磁仿真
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二极管器件SPICE电路模型对锥形离子通道I-V特性曲线的模拟
6
作者 江嘉乔 鲁冰新 +1 位作者 肖天亮 翟锦 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期121-131,共11页
离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路... 离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路模型对离子通道体系的电流-电压(I-V)曲线进行模拟.以锥形离子通道的PNP数值模型的计算结果为基础,通过对这一体系进行讨论,给出一个锥形离子通道的SPICE电路模型,它可以较好地模拟I-V特性曲线.离子通道SPICE电路模型的建立可用于研究纳米流体二极管作为一个器件在电路中的应用. 展开更多
关键词 离子通道 整流性 纳米流体二极管 泊松-能斯特-普朗克方程 仿真电路模拟器电路模型
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