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硝酸银水溶液处理新生多孔硅的研究 被引量:1
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作者 薛亮 李怀祥 +2 位作者 于磊 胡明波 陈姗姗 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期370-373,377,共5页
n型单晶硅经光电化学阳极刻蚀成多孔硅,研究了多孔硅经硝酸银(AgNO3)水溶液浸泡前后样品的光致发光(PL)性质,实验发现,浸泡很短时间内多孔硅发光强度增强,浸泡时间较长的样品发光强度会衰减直至猝灭,且浸泡液浓度越大荧光衰减越明显。... n型单晶硅经光电化学阳极刻蚀成多孔硅,研究了多孔硅经硝酸银(AgNO3)水溶液浸泡前后样品的光致发光(PL)性质,实验发现,浸泡很短时间内多孔硅发光强度增强,浸泡时间较长的样品发光强度会衰减直至猝灭,且浸泡液浓度越大荧光衰减越明显。通过扫描电子显微镜(SEM),傅立叶红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)的检测显示,AgNO3水溶液浸泡的多孔硅样品表面有金属银析出。光致发光增强是多孔硅表面形成Si—O结构所致,荧光猝灭是因为银在多孔硅表面形成大量非辐射复合中心。 展开更多
关键词 多孔硅 光致荧光 自组装 银纳米岛
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