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四氯化硅固定床冷氢化工艺的研究 被引量：16
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作者 宋佳 曹祖宾 +2 位作者 李会鹏 韩冬云 李大为 《化学工业与工程》 CAS 2011年第3期20-24,共5页
对四氯化硅固定床加氢工艺进行了研究,考察了反应温度、压力、n(氢气)/n(四氯化硅)、m(催化剂)/m(硅)等因素对四氯化硅转化率的影响。该工艺克服了流化床中粉末状物质会严重堵塞反应装置以及催化剂大量流失的缺点,可以指导生产并为企业... 对四氯化硅固定床加氢工艺进行了研究,考察了反应温度、压力、n(氢气)/n(四氯化硅)、m(催化剂)/m(硅)等因素对四氯化硅转化率的影响。该工艺克服了流化床中粉末状物质会严重堵塞反应装置以及催化剂大量流失的缺点,可以指导生产并为企业带来可观效益。经探讨,最适宜工艺条件为:温度500℃;压力3.5 MPa;n(氢气)/n(四氯化硅)为5.0;m(催化剂)/m(硅)为0.100。 展开更多
关键词 多晶硅 四氯化硅(stc) 三氯氢硅(TCS)
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