-
题名沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究
被引量：3
- 1
-
-
作者
马万里
赵文魁
-
机构
深圳方正微电子
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期840-843,856,共5页
-
文摘
沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的。诸如,通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接;或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入;利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力。
-
关键词
沟槽
垂直双扩散晶体管
源极
单脉冲雪崩击穿能量
硅孔
-
Keywords
trench
VDMOS
source （SRC）
single pulse avalanche energy （EAS）
siliconcont
-
分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
