应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关 被引量：7

1

作者 王超 吴嘉丽 陈光焱 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1076-1083,共8页

采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁... 采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术,在玻璃封盖底部设计制作了大小为200μm×200μm的防粘连凸台,解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题。采用ICP刻蚀用硅衬片方法,解决了ICP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题。实验验证显示,提出的方法效果较好,芯片成品率得到较大提高,为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。 展开更多

关键词 低g值微惯性开关 双埋层SOI 等电位 防粘连 硅衬片

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硅基光波导材料的研究 被引量：3

2

作者 陈媛媛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期811-816,共6页

光波导是集成光路及其元器件中最基本的构成单元。本文介绍了各种不同类型的光波导材料的特性。硅材料作为目前研究得最透彻的半导体材料,它在光电子领域的应用也是令人关注的。硅基光波导材料种类繁多,主要包括聚合物、外延硅/重掺杂硅... 光波导是集成光路及其元器件中最基本的构成单元。本文介绍了各种不同类型的光波导材料的特性。硅材料作为目前研究得最透彻的半导体材料,它在光电子领域的应用也是令人关注的。硅基光波导材料种类繁多,主要包括聚合物、外延硅/重掺杂硅、SiO2,SOI和SiGe/Si等。硅基光波导材料是实现硅基光波导器件的基础,本文阐明了它们各自的特点和应用前景。其中聚合物、SiO2和SOI波导是目前研究的热点。 展开更多

关键词 光波导材料 硅基 聚合物 SIO2 SOI

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有机硅席夫碱聚氨酯液晶色谱固定液的合成及性能研究 被引量：1

3

作者 王利鸿 申书昌 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期69-72,共4页

以对羟基苯甲醛、3-氯-1-丙醇、对苯二胺合成液晶基元—1,4-二(4-丙氧基醇苯亚胺基)苯,液晶基元与对苯二异氰酸酯和1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷反应合成有机硅席夫碱聚氨酯液晶聚合物。采用红外光谱、X射线衍射、差式扫描量热分... 以对羟基苯甲醛、3-氯-1-丙醇、对苯二胺合成液晶基元—1,4-二(4-丙氧基醇苯亚胺基)苯,液晶基元与对苯二异氰酸酯和1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷反应合成有机硅席夫碱聚氨酯液晶聚合物。采用红外光谱、X射线衍射、差式扫描量热分析、偏光显微镜、X射线能谱等手段对液晶聚合物的结构、热稳定性、液晶性能、元素组成及分布进行了测试与表征。用此液晶聚合物作为气相色谱固定液,制备成气相色谱填充柱,测定了该色谱柱的相对极性,苯取代物及二氯苯的同分体异构体的分离性能。该液晶聚合物作为色谱固定液具有较强的分离能力。 展开更多

关键词 有机硅席夫碱聚氨酯液晶 气相色谱固定液 取代苯异构体分离

原文传递

新型氮硅系席夫碱的制备及其在纤维素膜中的应用

4

作者 明景 李娜 +2 位作者 王学利 俞建勇 吴德群 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第6期820-825,831,共7页

采用1,3-二(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(MSDS)与3,4-二羟基苯甲醛(DHBA)制备得到新型氮硅系席夫碱。质谱(MS)、核磁共振氢谱(1H-NMR)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试结果表明,BHDA和MSDS可通过醛基与氨基的加成反应生成新型氮... 采用1,3-二(3-氨基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(MSDS)与3,4-二羟基苯甲醛(DHBA)制备得到新型氮硅系席夫碱。质谱(MS)、核磁共振氢谱(1H-NMR)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试结果表明,BHDA和MSDS可通过醛基与氨基的加成反应生成新型氮硅系席夫碱。热失重分析(TGA)测试表明新型氮硅系席夫碱具有优异的热稳定性。将N-甲基吗啉-N-氧化物(NMMO)溶解的黏胶纤维与氮硅系席夫碱共混,制得阻燃纤维素膜。该纤维素膜经扫描电子显微镜(SEM)及TGA测试表明,新型氮硅系席夫碱在气相和凝聚相阻燃中共同发挥作用。当阻燃剂的添加量为纤维素的10%时,阻燃纤维素膜的极限氧指数(LOI)为32%,达到阻燃标准规定的LOI值>28%。 展开更多

关键词 氮硅系席夫碱 共混 纤维素膜 气相阻燃 凝聚相阻燃

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不同结构及新型材料在硅基光电探测器上的应用展望 被引量：1

5

作者 李浩杰 冯松 +3 位作者 胡祥建 后林军 欧阳杰 郭少凯 《航空兵器》 CSCD 北大核心 2024年第1期13-22,共10页

硅基光电探测器是硅光子集成电路中的核心器件,在导弹制导系统中起着高效探测目标并精确跟踪目标的关键作用。本文综述了国内外关于硅基光电探测器的研究进展和应用前景,并探讨了不同结构和材料对探测器性能的影响。通过回顾相关文献并... 硅基光电探测器是硅光子集成电路中的核心器件,在导弹制导系统中起着高效探测目标并精确跟踪目标的关键作用。本文综述了国内外关于硅基光电探测器的研究进展和应用前景,并探讨了不同结构和材料对探测器性能的影响。通过回顾相关文献并分析研究成果,重点关注了PIN结构、肖特基结构、GeSn材料和二维材料在硅基光电探测器中的应用情况。随着研究的深入,硅基光电探测器的响应速度和灵敏度得到了显著提高,并且实现了对从紫外波段到红外波段宽范围内的探测需求,旨在提高硅基光电探测器的响应度、缩短响应时间和降低暗电流的同时,探索新的结构和材料,以进一步拓展硅基光电探测器在红外成像和光通信系统等领域的应用范围。 展开更多

关键词 硅基 硅光子学 硅光子器件 光电探测器 导弹制导 红外成像

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基于5G通信的硅基IPD滤波器设计与仿真 被引量：6

6

作者 彭刚彬 周云燕 曹立强 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第5期10-13,18,共5页

集成无源器件(IPD)因其集成度高而被广泛应用于系统级封装(SIP)和现代无线通信系统中.同时为达到系统设计中低功耗、低成本和小型化的要求,本文设计了基于5G通信的IPD滤波器.利用电子设计自动化软件(ADS)设计滤波器原理图,并结合全波仿... 集成无源器件(IPD)因其集成度高而被广泛应用于系统级封装(SIP)和现代无线通信系统中.同时为达到系统设计中低功耗、低成本和小型化的要求,本文设计了基于5G通信的IPD滤波器.利用电子设计自动化软件(ADS)设计滤波器原理图,并结合全波仿真工具(HFSS)对电容、电感、互感以及整体滤波器结构进行仿真.系统仿真结果表明,滤波器在3.4～3.6 GHz带宽内损耗为1.08 dB,带外抑制达到-30 dB. 展开更多

关键词 IPD 5G通信 滤波器 硅基

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基于5G通信的硅基IPD滤波器研究与验证 被引量：5

7

作者 彭刚彬 周云燕 曹立强 《电子设计工程》 2019年第20期175-179,共5页

随着5G通信的逐步发展,系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件(IPD)因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容,而被广泛应用于系统级封装(SIP)。为提高电容密度,增大电感品质因数,提高整体滤波器的性能,结合... 随着5G通信的逐步发展,系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件(IPD)因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容,而被广泛应用于系统级封装(SIP)。为提高电容密度,增大电感品质因数,提高整体滤波器的性能,结合硅基薄膜技术、半加成工艺分别制备电容、电感,设计了基于5G通信的双零点电容耦合带通滤波器。该滤波器具有低成本、小尺寸(1.1mm*0.68mm)、低带内插损(-1.87dB@4.75GHz)和较好的带外抑制(零点位置:-48.5dB@2.5GHz和-34dB@7.7GHz)等优点。为提高电感Q值,提高电容密度,实现低成本及小型化,制造高性能的IPD器件,提供了一种可实施的制备方案。 展开更多

关键词 IPD 薄膜技术 半加成工艺 滤波器 硅基 5G通信

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硅基负极材料预锂化技术研究进展 被引量：4

8

作者 白杨芝 曹新龙 +1 位作者 张长安 杨时峰 《电池》 CAS 北大核心 2022年第1期101-104,共4页

从物理预锂、化学反应预锂和电化学预锂等方面,综述硅基负极材料预锂化技术的研究进展。物理预锂包括:与金属锂粉末直接混合法,将气态的金属锂沉积在硅基负极材料或集流体上的真空热蒸发法,将金属锂负载在集流体上的电化学沉积法;化学... 从物理预锂、化学反应预锂和电化学预锂等方面,综述硅基负极材料预锂化技术的研究进展。物理预锂包括:与金属锂粉末直接混合法,将气态的金属锂沉积在硅基负极材料或集流体上的真空热蒸发法,将金属锂负载在集流体上的电化学沉积法;化学反应预锂包括:溶液预锂法,将硅制成硅化锂的高能球磨法,将预锂化前驱体生成稳定Li_(x)Si_(y)O_(z)结构的高温处理法;电化学预锂包括:利用自放电机理的锂箔直接接触法、电解锂盐溶液法和短路法等。展望预锂化技术的发展趋势。 展开更多

关键词 锂离子电池 负极材料 硅基 预锂化 库仑效率

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Cu对高硅铁基合金组织和耐蚀性能的影响 被引量：8

9

作者 李具仓 赵爱民 胡玉亭 《铸造技术》 EI CAS 北大核心 2005年第6期470-473,共4页

研究了Cu对高硅铁基合金的组织和性能的影响。结果表明在高硅铁基合金中加入一定量的Cu可使石墨由片状分布变为球状均匀分布,使其组织细化与均匀化,并在晶界上有富铜相析出,提高了高硅铁基合金的耐蚀性能,力学性能也有明显的改善。

关键词 高硅铁基合金 组织 力学性能 耐蚀性能

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硅基MEMS悬臂梁支撑的离心驱动隔离装置 被引量：6

10

作者 刘章 牛兰杰 +1 位作者 赵旭 范晨阳 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2018年第7期162-165,174,共5页

针对微小火工品与引信安全系统工作环境对隔离装置的需求,提出一种硅基MEMS悬臂梁支撑的离心驱动隔离装置。隔离装置由隔断滑块、悬臂梁支撑结构、卡头、卡槽、固定质量块组成。隔离装置能够与飞片起爆方式匹配,并能够满足引信安全系统... 针对微小火工品与引信安全系统工作环境对隔离装置的需求,提出一种硅基MEMS悬臂梁支撑的离心驱动隔离装置。隔离装置由隔断滑块、悬臂梁支撑结构、卡头、卡槽、固定质量块组成。隔离装置能够与飞片起爆方式匹配,并能够满足引信安全系统的工作环境要求。悬臂梁结构简单且悬臂梁与隔断滑块作为一个整体,省去装配环节。仿真结果表明,当转速5 000 r/min以上时,该隔离装置在离心过载的作用下解除隔离并锁定,使微装药与加速膛对正,且在12 m跌落过载与后坐过载下强度仍满足设计要求。 展开更多

关键词 引信安全系统 硅基隔离装置 微小火工品匹配

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锂基脂润滑下HIP-Si_3N_4/GCr15配副材料磨损特性试验分析 被引量：4

11

作者 石维佳 王宗英 +2 位作者 张而耕 丁津原 杨文通 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期39-41,共3页

采用MHK - 5 0 0型摩擦试验机 ,在不同锂基脂润滑下 ,对热静等压氮化硅工程陶瓷 (HIP -Si3 N4 )与轴承钢GCr15组成的摩擦副 ,进行了定量试验研究 ,并采用SEM对磨痕表面形貌进行了分析。

关键词 氮化硅 轴承钢 锂基脂润滑 磨损特性

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硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光 被引量：2

12

作者 王艳兵 孙永科 +7 位作者 乔永平 张伯蕊 秦国刚 陈文台 龚义元 吴德馨 马振昌 宗婉华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期667-672,共6页

将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离... 将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离子注入情况 ,只观察到 Au/ 1 0 50℃退火的离子注入的富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光 .低于 1 0 50℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅 ,无论离子注入与否 ,都未观察到电致发光 .Au/未注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光光谱在 1 .8e V处出现主峰 ,在 2 .4e V处还有一肩峰 .在 Au/ Si注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度分别增加了 2倍和 8倍 ;在 Au/ Ge注入富硅二氧化硅 / p- Si和 Au/ Ar注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度变化不大 ,但都观测到峰位位于 2 .2 e V的新发光峰 .采用隧穿 -量子限制 展开更多

关键词 电致发光 二氧化硅 锗 氩离子 离子注入

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北堡西3×1大位移井钻井液技术 被引量：2

13

作者 李洪俊 杨勇 +3 位作者 徐学军 郭永林 王作维 冯京海 《钻井液与完井液》 CAS 北大核心 2003年第1期14-16,共3页

北堡西3×1井上部地层成岩性差,造浆严重,井眼斜度大,裸眼井段长,井壁容易垮塌失稳,钻井过程中极易在井眼下井壁形成钻屑的沉积层,导致钻柱扭矩增大,摩阻升高,造成卡钻。上部地层采用聚合物钻井液;钻开储层时采用聚合物硅基钻井液... 北堡西3×1井上部地层成岩性差,造浆严重,井眼斜度大,裸眼井段长,井壁容易垮塌失稳,钻井过程中极易在井眼下井壁形成钻屑的沉积层,导致钻柱扭矩增大,摩阻升高,造成卡钻。上部地层采用聚合物钻井液;钻开储层时采用聚合物硅基钻井液。现场应用表明,该套钻井液体系使北堡西3×1井固相含量为5％～17％,保证了钻井液性能的稳定;抑制防塌效果好,在聚合物钻井液中加入复合两性金属离子包被剂、无荧光防塌剂和聚合醇,提高了钻井液的抑制防塌能力,井径扩大率较小;润滑防卡效果强,二开定向前在钻井液中加入白油、磺化沥青,钻进过程中保持润滑剂含量不低于3％,三开施工中加入聚合醇、磺化沥青、白油,四开加入极压润滑剂、聚合醇并保持其含量为2％,以减轻旋转钻进时的扭矩、起下钻和下套管时的负荷,减少了复杂事故的发生;携岩净化效果强,95％以上的井段3都为2～10,6为3～12,满足了大位移井对井眼净化的要求,保证了钻井作业的顺利进行。 展开更多

关键词 油气井 聚 的钻井液 硅基钻井液 大位移井 井壁稳定 井眼净化

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锌粉对AZ31B低温固相反应型SiO_2基陶瓷涂层性能的影响 被引量：2

14

作者 马壮 李和万 李智超 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2010年第24期144-147,151,共5页

通过低温固相反应在AZ31B镁合金表面制备SiO2基陶瓷涂层。通过XRD分析,Zn与基体表层镁生成低熔点合金相Mg0.97Zn0.03,降低固相反应温度,并起到固溶强化和时效强化的作用,提高了涂层和基体的结合强度,涂层的耐磨、耐蚀性能均有很大提高。

关键词 固相反应型 SiO2基 陶瓷涂层

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含铬高硅铁基合金组织和性能的研究 被引量：1

15

作者 汪淑英 李具仓 +3 位作者 赵爱民 毛双亮 王贵清 王秀生 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期292-295,302,共5页

用中频感应电炉熔炼获得不同Cr含量高Si铁基合金试样。借助光学显微镜、扫描电镜和力学性能检测设备及腐蚀性能检测仪器等手段,分析和研究了含Cr高Si铁基合金的组织、力学性能和耐腐蚀性能。结果表明:含Cr高Si铁基合金的共晶石墨数量少... 用中频感应电炉熔炼获得不同Cr含量高Si铁基合金试样。借助光学显微镜、扫描电镜和力学性能检测设备及腐蚀性能检测仪器等手段,分析和研究了含Cr高Si铁基合金的组织、力学性能和耐腐蚀性能。结果表明:含Cr高Si铁基合金的共晶石墨数量少,分散度高,组织细小;当Cr含量>5.2%时,大量的富Cr相在晶界处析出;当Cr加入量为4.5%￣6.5%时,其力学性能和耐硝酸腐蚀性能最好,冲击韧性达1.66 J/cm2,腐蚀速率仅为6.3119 g/h.m2;含Cr高Si铁基合金在H2SO4中的腐蚀速率随着Cr含量增加而增加。 展开更多

关键词 高Si铁基合金 显微组织 力学性能 耐蚀性

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Nd掺杂硅酸钙及其复合电纺丝膜的制备及性能研究

16

作者 马玲玲 常江 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期974-980,共7页

同时具有光热效应与组织修复活性的生物材料在再生医学领域具有潜在应用前景。考虑到稀土元素Nd的荧光发光与光热双重特性,结合钙硅基(Ca-Si)生物材料优异的组织修复活性,有可能制备多功能组织损伤修复材料。本研究通过在硅酸钙中引入N... 同时具有光热效应与组织修复活性的生物材料在再生医学领域具有潜在应用前景。考虑到稀土元素Nd的荧光发光与光热双重特性,结合钙硅基(Ca-Si)生物材料优异的组织修复活性,有可能制备多功能组织损伤修复材料。本研究通过在硅酸钙中引入Nd元素,采用共沉淀方法及800℃以上煅烧,成功制备了Nd-Ca-Si基生物陶瓷粉体(Nd/CS),并评价了粉体的物相组成、光热和荧光性能;进一步采用静电纺丝技术制备了陶瓷粉体/高分子复合膜,并评价了其理化性能与生物学性能。结果显示,Nd/CS陶瓷粉体和复合膜不但具有优异的光热性能与荧光性能,还具有较好的荧光测温性能。细胞实验证实复合膜具有优良的生物学性能。这种集光热治疗、荧光成像/荧光测温、生物活性功能于一体的Nd-Ca-Si基生物陶瓷及其复合材料有望应用于再生医学领域。 展开更多

关键词 钙硅基 稀土掺杂 生物学性能 静电纺丝

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基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计

17

作者 唐昭焕 甘明富 +6 位作者 钟怡 谭开洲 刘勇 杨永晖 胡刚毅 徐学良 李荣强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期285-288,共4页

提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验... 提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管。该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制。 展开更多

关键词 半导体器件 NPN管 多晶外基区 集电极选择性注入

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量子线器件电致性能模拟研究

18

作者 熊金柱 《煤炭技术》 CAS 北大核心 2010年第11期186-187,共2页

用硅基铂钛夹层AAO多孔模板-溶胶凝胶法成功地制备出有序的TiO2纳米线阵列;并用Synopsys TCAD微电子器件仿真软件SenTaurus Device模块,模拟分析了单根纳米线的电致物理性能,重点研究纳米线的直径和长度与电导和电压的关系。

关键词 硅基AAO模板 TiO2纳米线 SynopsysTCAD软件

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量子线器件电致性能模拟研究

19

作者 郭志超 吕昭 《新乡学院学报》 2010年第2期36-37,47,共3页

用硅基铂钛夹层AAO多孔模板-溶胶凝胶法成功地制备出有序的TiO2纳米线阵列;并用Synopsys TCAD微电子器件仿真软件Sen.Taurus Device模块,模拟分析了单根纳米线的电致物理性能,重点研究纳米线的直径和长度与电导和电压的关系。

关键词 硅基AAO模板 TiO2纳米线 SYNOPSYS TCAD软件

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硅基季铵化分离材料对Tc(Ⅶ)及U、Np、Pu的吸附行为研究

20

作者 孔彦荣 贾永芬 +3 位作者 李辉波 王孝荣 王辉 娄海林 《湿法冶金》 CAS 北大核心 2013年第3期184-189,共6页

研究了硅基季铵化分离材料(简称SiR4N)从硝酸溶液中吸附Tc(Ⅶ)的行为,考察了铀、镎、钚等离子对SiR4N吸附Tc(Ⅶ)的影响。结果表明:硝酸浓度为0.55mol/L时,SiR4N对Tc(Ⅶ)的操作交换容量为21.80mg/g(干);在0.50mol/L HNO3溶液中,SiR4N不吸... 研究了硅基季铵化分离材料(简称SiR4N)从硝酸溶液中吸附Tc(Ⅶ)的行为,考察了铀、镎、钚等离子对SiR4N吸附Tc(Ⅶ)的影响。结果表明:硝酸浓度为0.55mol/L时,SiR4N对Tc(Ⅶ)的操作交换容量为21.80mg/g(干);在0.50mol/L HNO3溶液中,SiR4N不吸附U(Ⅵ)、Np(Ⅴ)和Np(Ⅵ),而对Np(Ⅳ)、Pu(Ⅳ)的吸附率分别为84.0%和92.0%;用7.0mol/L HNO3溶液解吸,Tc(Ⅶ)解吸率达99.99%,而流出液中没有检测到Np(Ⅳ)、Pu(Ⅳ)。 展开更多

关键词 硅基季铵化分离材料 铀 镎 钚 Tc(Ⅶ) 吸附

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