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半导体硅片的p-n结和铜沉积行为的电化学研究 被引量：9
1
作者 程璇 林昌健 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期509-516,共8页
分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,通过控制光照和溶液化学组分 ,研究了半导体硅片 /氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能 .对 p( 1 0 0 )和 n( 1 0 0 )两种硅片的研究结果均表明 ,有光照条件下硅 /氢氟酸界面上的电化学反应很容... 分别采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,通过控制光照和溶液化学组分 ,研究了半导体硅片 /氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能 .对 p( 1 0 0 )和 n( 1 0 0 )两种硅片的研究结果均表明 ,有光照条件下硅 /氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起着主导作用 ,而黑暗条件下硅片则处于消耗期 ,电化学反应难于发生 ,因而其半导体性能起着重要的作用 .当溶液中有微量铜存在时 ,硅 /溶液界面上的电化学反应将被加速 .通过单独研究两种硅片的电化学行为 ,讨论了半导体硅片在氢氟酸溶液中形成的 p- n接点行为 ,并通过考察溶液中的铜离子浓度、光照条件和沉积时间对铜在硅片上的沉积行为的影响 ,探讨了铜沉积机理 .研究结果表明 ,电化学交流阻抗法对研究稀释氢氟酸溶液中 ppb浓度水平的微量铜杂质对硅片表面的污染极为有效 。 展开更多
关键词 铜沉积 半导体硅片 P-N结 电化学
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半导体硅片的电化学研究(英文)
2
作者 程璇 林昌健 《电化学》 CAS CSCD 2000年第3期258-264,共7页
采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,在有光照和黑暗条件下分别研究了半导体硅片在稀释氢氟酸溶液中的电化学特性 .两种电化学技术均对溶液中含有的微量铜 (1 0 - 9wt % -浓度水平 )非常敏感 ,但仅对溶液中的 1 0 - 6 wt % -浓度水平的... 采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,在有光照和黑暗条件下分别研究了半导体硅片在稀释氢氟酸溶液中的电化学特性 .两种电化学技术均对溶液中含有的微量铜 (1 0 - 9wt % -浓度水平 )非常敏感 ,但仅对溶液中的 1 0 - 6 wt % -浓度水平的非离子型表面活性剂敏感 .结果表明 ,有光照条件下在硅 /溶液界面上极易发生电化学反应 ,且该反应对硅表面性质起主导作用 . 展开更多
关键词 极化电 铜沉积 半导体硅片 电化学特性
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高硅料液萃铜过程中界面污物的影响及生产实践
3
作者 姚现召 付晨晓 +1 位作者 何建 柴鑫 《中国资源综合利用》 2024年第6期55-57,63,共4页
萃铜是湿法炼铜的关键环节,萃取料液硅含量高,但是液-液界面会生成稳定的乳化液,即界面污物。界面污物是由有机相、水相和固相渣组成的多相非均质体系,一般呈絮凝油泥状。因此,有必要分析高硅料液界面污物生成机理,提出高硅料液萃取生... 萃铜是湿法炼铜的关键环节,萃取料液硅含量高,但是液-液界面会生成稳定的乳化液,即界面污物。界面污物是由有机相、水相和固相渣组成的多相非均质体系,一般呈絮凝油泥状。因此,有必要分析高硅料液界面污物生成机理,提出高硅料液萃取生产的控制措施,明确高硅料液严重界面乳化的处理方法,从而有效控制界面污物的影响,确保萃取作业正常进行。 展开更多
关键词 高硅料液 萃铜 界面污物 界面乳化
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